反相器可以把1v电压提升5v吗

⑴ 6反相器 供电电压1.5V 可以正常工作吗

不可以的 cmos电路电压范围是3v----18v， ttl电路电源是4.5---5.5v

⑵ 反相器有什么作用

反相器电路输出电压所代表的逻辑电平与输入相反。反相器可以仅用一个NMOS晶体管或一个PMOS连接一个电阻来构建。因为这种“阻性漏极”方式只需要使用一种类型的晶体管，其制造成本非常小。不过，由于电流以两种状态之一流过电阻，这种阻性漏极配置有功耗和状态改变的处理速率问题。另外，反相器可以用两个互补晶体管配置成CMOS反相器。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻相对较低。反相器也可以电阻－晶体管逻辑（RTL）或晶体管－晶体管逻辑（TTL）使用三极管（BJT）构建。

拓展资料：

反相器性能常用表示输入-输出电压关系的电压传输特性曲线（VTC）来测定。曲线图能反映出元件的参数，包括噪声容限、增益和操作逻辑电平。

北卡罗来纳州立大学组建的20微米反相器的电压传输特性曲线

反相器理想化的电压传输特性曲线是单位阶跃函数，这表明反相器能在高电平和低电平间无延迟精确的翻转，但在实际元件中，曲线存在过渡区。曲线表明若输入为低电压，则输出为高电压；若输入为高电压，则输出电压逐渐接近0V。过渡区的斜率是性能测量的指标，过渡区越陡峭，即斜率越大，性能越好，若斜率接近无穷，则电路能在高电平和低电平间精确翻转，反相器就是理想的。

噪声容限可以通过每一工作区中的最大输出电压VOH和最小输入电压VIL的比值来测定。

输出电压VOH可以在级联多个元件时测定信号驱动强度。

⑶ 提供+5v电源，可以用反相器得到一个-5v电源吗

这样运用是不可以的，反向器的输出高电平，输出也就是0
低电平
，不可能是-5V啊，理解有错误哦。

⑷ 有哪种反相器芯片可以把+5V变成-5V，-5V变成+5V

可以把+5V变成-5V的芯片：ICL7660
ICL7660中文资料
http://wenku..com/view/6f1791d149649b6648d74796.html
-5V变成+5V的没见过。
我以为你说的是电源的极性变换呢，原来是信号啊！
信号的极性变换就只好使用双电源供电的运放了，由反相端输入。

⑸ CMOS反相器的电压传输特性没有看明白

共发射极晶体管电路处于关断状态，有两个稳定的状态：饱和导通，输出低电平，截止，正电源通过集电极电阻器输出高电平。只要各状态之间的转移，就必须越过的线性区域，所以有一个范围内的线性放大状态。 TTL输出级晶体管的集电极电阻形成双管推挽结构，两管轮流转上管，下管截止，输出高电平，反之，输出低。在状态转换，如果双管同时导通管功率芯片的损失急剧增加，这是不允许的，因此从线性区到饱和区管，下管仍处于关闭状态，TTL输出将有一个简短的线性（扩大）状态。 />总之，TTL输出特性的电路的内部结构所决定的。

⑹ 用反相器能不能把5v变成-5v

反相器的输出接一个电容C1，C1的另一端接二极管D1的正极和二极管D2的负极，D1的

负极接地，D2的正极极接电容C2，C2的另一端接地。C2的容量要大于C1。例如C1用0.1微

法，C2用0.47微法(最佳数值可由试验决定)。反相器的输入端加一个方波，其幅值

应该能使反相器正常工作(在输出端出现一个相位相反的方波)。C2上就会出现一个

负电压，理论上比电源电压低0.7V，然后再稳压到负5V。

图片仅供参考

⑺ 为什么反相器输入电压为-5~5V时才能显示正确的输出波形

反相器的输入电压为5V时，输出为-5V，输入为10V时，输出也为-10V，
其实那也要看反相器的所设定的输入电压范围，这个可以设定的

⑻ 提供5V电压给74ls14当做工作电压（VCC），输入3.3V电压信号经过两个反相器以后，输出为什么是5V的电压

你供电是5V，3.3V信号进去出来肯定是5V的样子。这些类型的芯片的要求肯定你进去的信号幅值必须小于芯片供电电压，不知你理解没有。你看看芯片内部结构吧！

⑼ pwm接光耦6N137，然后用74hc14反相器整形，电压为0v和5v，需要10v，需要用什么抬

如果没有什么特殊要求可以用COMS反相器电路及10伏特的电源搞定。