薄膜电容树脂封装方法

A. 环氧树脂AB胶怎么封装的，求方法！

赛恩思专门为您源解答：a)
A料70~80预热（上下限50~130℃）。b)
按比例加入B料、色膏、光扩散剂，混合并搅拌均匀。c)
在-0.1MPa/40℃度真空脱泡8-10分钟。d)
灌胶：将AB混合胶注入灌胶机。e)
顶胶：又叫打碗，就是将支架光杯先灌满胶水，以免在插支架时产生气泡。顶胶所用的胶水有：A胶；B胶（粘度低，不易产生气泡）；AB胶；酒精等。

B. 薄膜电容器制作流程及要求有哪些

薄膜电容器主要的制作流程及要求有如下的：
1、切膜:将金属箔依产品设计的容量，用切膜机裁切成所需之设计宽度。要求裁切时没有毛刺，外观无脏污和起皱。
2、卷绕:按工艺之要求,选择针芯和金属膜,用卷绕机卷绕成芯子。要求薄膜电容容量符合设计要求，芯子端面平整烧膜干净张力适中，薄膜不能划伤。
3、热压:按工艺的要求，在热压机上选择适当的热压参数(压力,温度,时间)，将芯子压扁成型。要求芯子在轻微施加外力时不能松动，薄膜不能分层。
4、编带:根据工艺的要求,选择合适的胶纸,将芯子编成卷状。要求胶纸粘性良好，胶纸不能盖住芯子端面。
5、喷金:在芯子的两个端面喷上金属层。按工艺的要求,选择喷金距离,气压，走丝速度。要求喷金厚度和附着力附合要求。
6、滚边:喷金后将编带拆开,用滚筒机将喷金后的残余边和芯子表面所粘附的多余金属粉尘去除。滚边时间和速度参考工艺要求。要求芯子端面无多余金属边，表面无金属粉尘。
7、真空干燥:依产品要求而定，干燥箱选择合格的温度,压力,和时间,以提高薄膜电容产品的电性能。要求保证机器所设参数的准确性。
8、赋能:依薄膜电容产品特性而定，选择合适的递增电压，提高薄膜电容产品电性能。要求电压设置准确。
9、焊合：将引脚焊合在芯子上。要求线径和长度正确,位置适中,焊合电流正确，
不能烫到金属膜，焊点光滑，没有毛刺，无虚焊。
10、插件:将芯子插入塑胶壳中。要求芯子居予外壳中间，且固定
11、灌封：将灌封料灌封于塑胶壳内。要求灌封料配比正确,搅拌均匀，引出端及壳面不能有树脂,脂面无气泡.尺寸准确。
12、印字：将相关信息印在物料表面。要求薄膜电容标识正确,丝印清晰，居中，不易脱落。
13、出货检验：性能抽检(容量,损耗,耐压,绝缘电阻)外观要胶壳光滑,无划伤，毛刺，树脂等不好现象。

C. 薄膜电容的几款类型的共通点与应用是怎样的

CG瓷谷电子为大家介绍薄膜电容的几款类型的共通点与应用：现在大量生产的塑料薄膜电容器有聚苯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚四氟乙烯，聚酯，聚碳酸酯，复合膜等
1）CBB22金属化聚丙烯膜直流电容器
金属化聚丙烯膜作介质和电极，用用于阻燃绝缘材料包封单向引出，具有电性能优良、可靠性好、损耗小及良好的自愈性能
用途：产品广泛使用于仪器、仪表、电视机、收音机及家用电器线路中作直流脉动、脉冲和交流将压用，特别适用于各种类型的节能灯和电子整流器
CBB91型金属化聚丙烯电容器特点与用途是：绝缘带外包裹，环氧树脂灌封，轴向引出
具有高绝缘、低损耗，频率特性好，等效串联电阻低等特点
适用用于音响的分频器、功率放大器，及后置补偿电路中，还可以用于电子设备的直流交流和脉冲电路中
2）CL21/CBB21金属化膜电容器，金属化聚酯/聚丙烯薄膜为介质/电极采用无感卷绕方式使用，环氧树脂包封而成，具有电性能优良、可靠性好、耐高温、容量范围宽，自愈性好，体积小，寿命长的特点，应用主要用于电视机、电脑显示器、节能灯、镇流器、通讯设备、电脑网络设备、电子玩具等直流和VHF级信号隔直流、旁路和耦合/高频、交流、脉冲、耦合电路中起滤波、调频、隔直流及时间控制等作用
3）CL20/CBB20轴向金属化膜电容器非感应式结构，具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大，高频损耗小,过电流能力强,适用于大电流，绝缘电阻高，自愈性好，寿命长，温度特性稳定，广泛用于仪器、仪表及家用电器交直流线路，变频、分频等交流、大脉冲电路，尤其是高保真要求的音响分频器电路
4）CL20金属化聚酯膜扁轴向电容器
特点：以金属化聚酯膜作介质和电极，用阻燃胶带外包和环氧树脂密封，具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大及良好的自愈性能
用途：本产品适用于仪器、仪表及家用电器的交直流电路
广泛用于音响系统分频电路中
5）CL19金属化聚酯膜圆轴向电容器
特点：以金属化聚酯膜作介质和电极，用阻燃胶带外包和环氧树脂密封，具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大及良好的自愈性能
用途：本产品适用于仪器、仪表及家用电器的交直流电路
广泛用于音响系统分频电路中
6）CBBX2金属化聚丙烯膜抗干扰电容器
采用金属化锌铝聚丙烯膜作介质和电极，用耐高温阻燃塑壳、环氧树脂封装，单向引出结构，该产品有较高抗外电干扰性能，可靠性高、损耗小及良好的自愈特性，有较好的安全防护作用
广泛使用于彩电、电动工具、无线连接器、跨电源线路、电磁干扰滤波器、电源开关和大功率的电子整流器

D. 薄膜电容的制法

通常的薄来膜电容器其制法是自将铝等金属箔当成电极和塑料薄膜重叠后卷绕在一起制成。但是另外薄膜电容器又有一种制造法，叫做金属化薄膜(Metallized Film)，其制法是在塑料薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属以做为电极。如此可以省去电极箔的厚度，缩小电容器单位容量的体积，所以薄膜电容器较容易做成小型，容量大的电容 器。例如常见的MKP电容，就是金属化聚丙烯膜电容器(Metailized Polypropylene Film Capacitor)的代称，而MKT则是金属化聚乙酯电容(Metailized Polyester)的代称。

E. 电容的封装有哪些形式啊

这么说吧，来pcb板所谓的封装就是线路板源上开的孔而已，它们的间距多少合适，要根据你选择的具体器件参数来决定，所以最好不出错的办法就是设计出具体电路，选好器件，按照实物的真实大小来决定你选择的pcb封装，而不是为了节约地方而选择你认为合适的封装，那样的结果是pcb板尺寸很小，你的元件却装不上。就象你贴出的不同的电容，每种不同的电容管脚间距都不一样，你只有选好的具体哪种元件，才可以决定封装，这才是硬道理。

F. 紧急求助，柔性超级电容封装如何正确的操作

超级电容生产厂商有专门测试电容的容量设备的，如果好奇想测试电容的，回可以先给南京绿索电答子的超级电容充满电，通过接个放电电流100mA的负载放电，从5V到4V这过程记下它的工作时间（比如12s），再根据公司C=I*T/压差=0.1A*12S/1V=1.2F,即这款5.5V/1F的实际容量是1.2F.

G. 做金属化有机薄膜电容器怎样找客户

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。电容的频率特性：随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。电容的型命名方法：（依据GB——81）第一部分：用字母表示产品的名称 C第二部分：用字母表示产品的介质材料：A钽电解 B聚丙乙烯等非极性薄膜 C高频陶瓷 D铝电解 E其他材料电解 G合金电解 H纸膜复合 I玻璃铀 J金属化纸介 L聚酯等极性有机薄膜 N铌电解 O玻璃膜 漆膜 S,T低频陶瓷 ,X云母纸 Y云母 Z 纸。注：用B表示除聚苯乙烯外其他电容时，在 B后再加一字母以分别具体材料。用L表示聚酯以外其他薄膜电容时， 方法同。电容器的绝缘电阻：直流电压加在电容上，并产生漏导电流，两者之比称为绝缘电阻。 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能。电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。电容的损耗因素：电容在电场作用下因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。薄膜电容目前大量生产的塑料薄膜电容器有聚苯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚四氟乙烯，聚酯（涤纶），聚碳酸酯，复合膜等。1. CL21/CBB21金属化膜电容器（CL21-B/CBB21-B金属化膜盒式），使用金属化聚酯/聚丙烯薄膜为介质/电极采用无感卷绕方式，环氧树脂包封而成，具有电性能优良、可靠性好、耐高温、容量范围宽，体积小，自愈性好，寿命长的特点，主要应用于电视机、电脑显示器、节能灯、镇流器、通讯设备、电脑网络设备、电子玩具等直流和HF级隔直流、旁路和耦合/高频、交流、脉冲、耦合电路中起滤波、调频、隔直流及时间控制等作用。2. CBB22（MKP91） 金属化聚丙烯膜直流电容器。以金属化聚丙烯膜作介质和电极，用阻燃绝缘材料包封单向引出，具有电性能优良、可靠性好、损耗小及良好的自愈性能。用途：本产品广泛使用于仪器、仪表、电视机、收音机及家用电器线路中作直流脉动、脉冲和交流将压用，特别适用于各种类型的节能灯和电子整流器。CBB91 型金属化聚丙烯电容器特点与用途：绝缘带外包裹，环氧树脂灌封，轴向引出。具有高绝缘、低损耗，频率特性好，等效串联电阻低等特点。适用于音响的分频器、功率放大器，及后置补偿电路中，也适用于电子设备的直流交流和脉冲电路中。3. CL20 （MKT83）金属化聚酯膜扁轴向电容器（金属化涤纶电容）。特点：以金属化聚酯膜作介质和电极，用阻燃胶带外包和环氧树脂密封，具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大及良好的自愈性能。用途：本产品适用于仪器、仪表及家用电器的交直流电路。广泛用于音响系统分频电路中。4. CL20/CBB20轴向金属化膜电容器非感应式结构，具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大，高频损耗小，过电流能力强，适用于大电流，绝缘电阻高，自愈性好，寿命长，温度特性稳定，广泛用于仪器、仪表及家用电器交直流线路，变频、分频等交流、大脉冲电路，尤其是高保真要求的音响分频器电路。5. CL19（MKT82） 金属化聚酯膜圆轴向电容器。特点：以金属化聚酯膜作介质和电极，用阻燃胶带外包和环氧树脂密封，具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大及良好的自愈性能。用途：本产品适用于仪器、仪表及家用电器的交直流电路。广泛用于音响系统分频电路中。6. CBBX2（MPX MKP41） 金属化聚丙烯膜抗干扰电容器。采用金属化锌铝聚丙烯膜作介质和电极，用耐高温阻燃塑壳、环氧树脂封装，单向引出结构，该产品有较高抗外电干扰性能，可靠性高、损耗小及良好的自愈特性，有较好的安全防护作用。本产品广泛使用于彩电、电动工具、无线连接器、跨电源线路、电磁干扰滤波器、电源开关和大功率的电子整流器。7. CBB13型无感电容器。适用： 节能灯、镇流器、彩电及电子整机、电子仪器高频、直流、交流和大电流脉动电路。8. CLX超小型电容器（校正电容）使用进口超小型金属化聚酯膜为介质/电极采用采用无感卷绕方式，主要适用于电视机、电脑显示器、节能灯、镇流器、程控交换机、电脑网络设备、CD/DD、精密电子仪器仪表等直流和HF级电路、旁路电路中起隔直流、耦合、滤波等作用。耐压： 50/63系列， 系列。容量： -。CL21S超小型金属化聚酯膜校正电容器使用进口超小型金属化聚酯膜为介质/电极采用采用无感卷绕方式，CP线焊接引出，粉末环氧树脂包封而成，具有体积小、重量轻、容量范围宽、精度好、比容大及良好的自愈性，使用寿命长的特点，主要适用于电视机、电脑显示器、节能灯、镇流器、程控交换机、电脑网络设备、CD/DD、精密电子仪器仪表等直流和HF级电路、旁路电路中起隔直流、耦合、滤波等作用。瓷介电容瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。1. 高频圆片瓷介电容（CC）：电容量：1--p;额定电压：63--;主要特点：高频损耗小，稳定性好。应用：高频电路。低频瓷介电容（CT）。电容量：10p—4.7u。额定电压：50--。主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差。应用：要求不高的低频电路CC1型1类瓷介电容器。 用途：CCI型1类瓷介电容器值高，容量稳定。用于谐振回路和需要补偿温度效应的电路中。63-。CS1型3类瓷介电容器。用途：作超高频、宽频带旁路电容器及耦合电容器或使用于对损耗角正切、绝缘电阻要求不高的电路中。25-50CT71型2类交流瓷介电容器。用途：各类电子、电器设备，用于天线耦合，开关电路及跨接电源线等。acCT81型2类高压瓷介电容器。用途：适用于1——3k直流高压旁路和耦合电路。开关电源的缓冲电路。2. 独石（多层陶瓷）电容器的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。容量范围：0.5PF--1UF。耐压：二倍额定电压。独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。 独石电容最大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了。就温漂而言：独石为正温糸数+左右，CBB为负温系数-,用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。云母电容云母电容是性能优良的高频电容之一，广泛应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的场合。云母电容（CY）：电容量：10p—0.1u。额定电压：--7k。主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路。纸介电容纸介电容因其比率电容大，电容范围宽，工作电压高，成本低而广泛使用，缺点是稳定性差，损耗大， 只能应用于低频或直流电路，目前已被合成膜电容取代，但在高压纸介电容中还有一席之地。1.CZ52容量：0.1—0.25uf 额定工作电压：—v。绝缘性能：0.1uf为monh 0.25uf 为mohm。损耗角正切：（正常气候条件下） <0.01 2.金属化纸介电容器：他的电极是利用真空蒸发的方法在电容器纸上沉积一层金属薄膜做成， 因而体积较纸介电容小得多。他的主要特点是具有自愈作用，当介质发生局部击穿后，其电性能可立即恢复到击穿前的状态。金属化纸介电容虽克服了纸介电容的一些缺点，但是仍然不能离开纸，他们的化学稳定性差，并且随着频率的上升损耗急剧增加，因此不适于高频电路。CJ10容量：0.01—1uf 额定工作电压：—v 。损耗角正切：（正常气候条件下） <0. 。电解电容1. CD71 无极性铝电解电容器。本产品具有体积小、容量大、损耗低、无极性并能耐高温等特点。本产品适用于仪器及电子设备的极性翻转或极换线路中，特别适用于音响分频网络有很多种类的想了解更加详细的技术参数的话网络搜硬之城去那里了解下，好过自己在这里瞎琢磨专业的地方解决专业的问题，这个都是很现实的。

H. 芯片封装的封装步骤

板上芯片（ChipOnBoard,COB)工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点，然后将硅片直接安放在基底表面，热处理至硅片牢固地固定在基底为止，随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接 。
裸芯片技术主要有两种形式：一种是COB技术，另一种是倒装片技术（FlipChip）。板上芯片封装（COB），半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术 。 （1）热压焊
利用加热和加压力使金属丝与焊区压焊在一起。其原理是通过加热和加压力，使焊区（如AI）发生塑性形变同时破坏压焊界面上的氧化层，从而使原子间产生吸引力达到“键合”的目的，此外，两金属界面不平整加热加压时可使上下的金属相互镶嵌。此技术一般用为玻璃板上芯片COG 。
（2）超声焊
超声焊是利用超声波发生器产生的能量，通过换能器在超高频的磁场感应下，迅速伸缩产生弹性振动，使劈刀相应振动，同时在劈刀上施加一定的压力，于是劈刀在这两种力的共同作用下，带动AI丝在被焊区的金属化层如（AI膜）表面迅速摩擦，使AI丝和AI膜表面产生塑性变形，这种形变也破坏了AI层界面的氧化层，使两个纯净的金属表面紧密接触达到原子间的结合，从而形成焊接。主要焊接材料为铝线焊头，一般为楔形 。
（3）金丝焊
球焊在引线键合中是最具代表性的焊接技术，因为现在的半导体封装二、三极管封装都采用AU线球焊。而且它操作方便、灵活、焊点牢固（直径为25UM的AU丝的焊接强度一般为0.07～0.09N/点），又无方向性，焊接速度可高达15点/秒以上。金丝焊也叫热（压）（超）声焊主要键合材料为金（AU）线焊头为球形故为球焊 。
COB封装流程
第一步：扩晶。采用扩张机将厂商提供的整张LED晶片薄膜均匀扩张，使附着在薄膜表面紧密排列的LED晶粒拉开，便于刺晶。第二步：背胶。将扩好晶的扩晶环放在已刮好银浆层的背胶机面上，背上银浆。点银浆。适用于散装LED芯片。采用点胶机将适量的银浆点在PCB印刷线路板上。第三步：将备好银浆的扩晶环放入刺晶架中，由操作员在显微镜下将LED晶片用刺晶笔刺在PCB印刷线路板上。第四步：将刺好晶的PCB印刷线路板放入热循环烘箱中恒温静置一段时间，待银浆固化后取出(不可久置，不然LED芯片镀层会烤黄，即氧化，给邦定造成困难)。如果有LED芯片邦定，则需要以上几个步骤；如果只有IC芯片邦定则取消以上步骤。第五步：粘芯片。用点胶机在PCB印刷线路板的IC位置上适量的红胶(或黑胶)，再用防静电设备(真空吸笔或子)将IC裸片正确放在红胶或黑胶上。第六步：烘干。将粘好裸片放入热循环烘箱中放在大平面加热板上恒温静置一段时间，也可以自然固化(时间较长)。第七步：邦定(打线)。采用铝丝焊线机将晶片(LED晶粒或IC芯片)与PCB板上对应的焊盘铝丝进行桥接，即COB的内引线焊接。第八步：前测。使用专用检测工具(按不同用途的COB有不同的设备，简单的就是高精密度稳压电源)检测COB板，将不合格的板子重新返修。第九步：点胶。采用点胶机将调配好的AB胶适量地点到邦定好的LED晶粒上，IC则用黑胶封装，然后根据客户要求进行外观封装。第十步：固化。将封好胶的PCB印刷线路板放入热循环烘箱中恒温静置，根据要求可设定不同的烘干时间。第十一步：后测。将封装好的PCB印刷线路板再用专用的检测工具进行电气性能测试，区分好坏优劣 。
与其它封装技术相比，COB技术价格低廉（仅为同芯片的1/3左右）、节约空间、工艺成熟。但任何新技术在刚出现时都不可能十全十美，COB技术也存在着需要另配焊接机及封装机、有时速度跟不上以及PCB贴片对环境要求更为严格和无法维修等缺点 。
某些板上芯片(CoB)的布局可以改善IC信号性能，因为它们去掉了大部分或全部封装，也就是去掉了大部分或全部寄生器件。然而，伴随着这些技术，可能存在一些性能问题。在所有这些设计中，由于有引线框架片或BGA标志，衬底可能不会很好地连接到VCC或地。可能存在的问题包括热膨胀系数(CTE)问题以及不良的衬底连接 。 30多年前，“倒装芯片”问世。当时为其冠名为“C4”，即“可控熔塌芯片互连”技术。该技术首先采用铜，然后在芯片与基板之间制作高铅焊球。铜或高铅焊球与基板之间的连接通过易熔焊料来实现。此后不久出现了适用于汽车市场的“封帽上的柔性材料(FOC)”；还有人采用Sn封帽，即蒸发扩展易熔面或E3工艺对C4工艺做了进一步的改进。C4工艺尽管实现起来比较昂贵(包括许可证费用与设备的费用等)，但它还是为封装技术提供了许多性能与成本优势。与引线键合工艺不同的是，倒装芯片可以批量完成，因此还是比较划算 。
由于新型封装技术和工艺不断以惊人的速度涌现，因此完成具有数千个凸点的芯片设计目前已不存在大的技术障碍小封装技术工程师可以运用新型模拟软件轻易地完成各种电、热、机械与数学模拟。此外，以前一些世界知名公司专为内部使用而设计的专用工具目前已得到广泛应用。为此设计人员完全可以利用这些新工具和新工艺最大限度地提高设计性，最大限度地缩短面市的时间 。
无论人们对此抱何种态度，倒装芯片已经开始了一场工艺和封装技术革命，而且由于新材料和新工具的不断涌现使倒装芯片技术经过这么多年的发展以后仍能处于不断的变革之中。为了满足组装工艺和芯片设计不断变化的需求，基片技术领域正在开发新的基板技术，模拟和设计软件也不断更新升级。因此，如何平衡用最新技术设计产品的愿望与以何种适当款式投放产品之间的矛盾就成为一项必须面对的重大挑战。由于受互连网带宽不断变化以及下面列举的一些其它因素的影响，许多设计人员和公司不得不转向倒装芯片技术 。
其它因素包括：
①减小信号电感——40Gbps(与基板的设计有关)；②降低电源/接地电感；③提高信号的完整性；④最佳的热、电性能和最高的可靠性；⑤减少封装的引脚数量；⑥超出引线键合能力，外围或整个面阵设计的高凸点数量；⑦当节距接近200μm设计时允许；S片缩小(受焊点限制的芯片)；⑧允许BOAC设计，即在有源电路上进行凸点设计 。

I. 陶瓷电容是怎样封装的

在陶瓷电容中一般DC50V以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000V~6000V和为高压，DC6000V以上为超高压。
高压陶瓷电回容一个主要的特答点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压。高压陶瓷电容常规有2KV、3KV、4KV电压。常用于高压场合。最高的可达30KV的电压。
高压陶瓷电容，以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。外壳是陶瓷的，用来绝缘。陶瓷电容封装必须要用环氧树脂进行封装。
如果高压陶瓷电容不用环氧树脂封装，就会让陶瓷电容直接接触空气，这会直接影响到电容器的容量和容抗。陶瓷电容如果接触到空气，其容量就会变低，甚至使得高压陶瓷电容可能会从原本想生产的2000PF的高压陶瓷电容如果没有封装会变成几百PF的电容。另外如果陶瓷电容如果接触空气也会导致其容抗降低，而且随着电阻值和容量越来越小，将会导致陶瓷电容性能尽失。所以高压陶瓷电容生产过程必须要进行封装。以上元器件知识由JEC为您提供。

J. 薄膜电容 包括那些种类

薄膜电抄容器，种类繁多
按介质材料分：聚丙烯PP、聚酯PET、聚苯硫醚PPS、聚萘乙酯PEN、聚苯乙烯PS、聚四氟乙烯PTFE、聚碳酸酯PC，还有纸、丙烯酸树脂、漆膜等等
按电极分：金属箔、金属化（又分铝、锌、锌铝、铜金属化），以及两者的混合形式
按封装：无封装、环氧树脂包封、塑料外壳封装、金属外壳封装等等
按安装：PCB用（SMD、径向安装和轴向安装）、插片式、软引线、螺栓式等等
按用途：通用、脉冲、抑制电源电磁干扰用（俗称安规电容器）、精密、高压电力电容器、低压并联补偿、中频谐振、交流电机启动运行、交流滤波、等等，不胜烦举。
总之，薄膜电容器最接近“理想电容器”，缺点成本高、体积大，有高压、高功率、高频、高稳定、高可靠、长寿命等方面优势，如在汽车、机车、风电、光伏等装备中薄膜取代电解。