① 如何处理半导体(LED)废水
随着单个LED光通亮和发光效率的提高，即将进入普通室内照明、台灯、笔记本电脑背光源、大尺寸LED显示器背光源等市场广阔。 LED生产过程中绝大部分废水产生在原材料和芯片制造过程中，分为拉晶、切磨抛和芯片制造，主要含一般酸碱废水、含氟废水、有机废水、氨氮废水等几种水质，在黄绿光晶片制造过程中还会有含砷废水排出。 2、LED芯片加工废水特点：主要污染物为LED芯片生产过程中排放的大量有机废水和酸碱废水，另有少量含氟废水。有机废水主要污染物为醇、乙醇、双氧水;酸碱废水中主要污染物为无机酸、碱等。 3、LED切磨抛废水特点：主要污染物为大量清洗废水，主要成分为硅胶、弱酸、硫酸、盐酸、研磨砂等。 4、酸碱废水排放：主要包括工艺酸碱废水、废气洗涤塔废水、纯水站酸碱再生废水，采用化学中和法处理。 含砷废水：主要来自背面减薄及划片/分割工序，采用化学沉淀法处理。 一般废水：排放方式均为连续排放，主要指纯水站RO浓缩废水主要污染物为无机盐类，采用生化法去除。 含氟废水：主要清洗废水中含有HF，使用混凝沉淀去除。 高氨氮废水：使用折点加氯法，将废水中的氨氮氧化成N2。投加过量氯或次氯酸钠，使废水中氨完全氧化为N2的方法，称为折点氯化法，其反应可表示为： NH4+十1.5HOCl→0.5N2十1.5H2O十2.5H+十1.5Cl-5、案例： 5.1、LED生产加工之蓝宝石拉晶废水 污水水质、水量： 水量：480t/d;20t/h(24小时连续)废水水质：PH值5.0-10.0无量纲出水要求：达到国家废水二级排放标准(<污水综合排放标准(GB8978-1996)表4标准)的要求。具体指标为：处理工艺酸碱废水进入酸碱废水调节池后与投加的药剂进行中和反应，达到工艺要求后进入有机废水调节池。人工收集到含氟废水收集池，加药剂进行沉淀。上清液达标排放，污泥排入污泥浓缩池处理。 利用有机废水调节池的池容增加生化处理功能，向池内投加厌氧性水解菌，池内配置穿孔水力搅拌系统以加强传质，为后继处理单元提供部分水解处理服务。 废水经过调节后经泵提升进入进入厌氧水解池。 厌氧水解池采用上向流布水形式，利用循环管网系统加强池底部的混流强度，提高反应器内的传质效果。利用微生物的水解酸化作用将废水中难降解的大分子有机物转化为易降解的小分子有机物，将复杂的有机物转变成简单的有机物，提高废水的可生化性，有利于后续的好氧生化处理。出水自流进入接触氧化池。接触氧化池的混合液进入二沉池进行泥水沉淀分离。为保证COD排放达标的处理要求，将二沉池出水导入BAF进行处理。生物曝气滤池的出水流入清水池，为生物曝气滤池提供滤料的反冲洗水，其余的清水达标排放。 5.2、LED生产加工之切磨抛废水 污水水质、水量： 水量：432t/d;18t/h(24小时连续)废水水质：1PH值5.0-10.0无量纲出水要求：达到国家废水二级排放标准(<污水综合排放标准(GB8978-1996)表4标准)的要求。具体指标为：处理工艺根据业主废水的水质情况，在吸取以往同类废水处理装置设计的成功经验和一些同类废水处理装置的实际运行经验，设计污水处理主体工艺路线如下： 格栅池+清洗废水调节池+反应池+物化沉淀池达标排放 污泥处理主体工艺采用工艺路线为： 污泥浓缩+污泥调理+板框压滤泥饼外运 5.3、LED生产加工之芯片废水 污水水质、水量： 有机废水水量：19.4t/h(24小时连续)水质：PH值6.0-8.0无量纲 酸碱废水水量：70t/h(24小时连续)水质：PH值4.0-11.0无量纲 含氟废水水量：4t/h(24小时连续)水质：PH值2.0-4.0无量纲 氟化物≤200mg/L处理工艺酸碱废水进入酸碱废水调节池后与投加的药剂进行中和反应，达到工艺要求后达标排放。含氟废水收集调节后与投加的药剂反应生成不溶性氟化物沉淀，上清液达标排放。
② 半导体行业有用到超声波清洗机吗
超声波清洗机已经在半导体行业广泛应用了，超声波清洗机能有效去除硅片、晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。
③ 超纯水除硼 ，芯片专用超纯水硼的去除方法
硼作为五号元素，处于IIIA族中唯一的非金属元素。它是制造P型半导体的关键掺杂剂，半导体的极限电压依赖于基材中的硼含量。在半导体制造中，水、气、化学物质直接与产品接触，超纯水的质量至关重要。若超纯水中硼含量控制不力，将影响基材中硼的含量。
在低浓度下，硼在水中以硼酸或硼酸根形式存在，其比例随pH值变化。pH超过11时，主要以硼酸根形式存在；而pH小于7时，主要以硼酸形式存在。硼酸的电离常数仅为5.8 x 10-10，电离能力极弱，因此，常规水处理过程中，硼酸难以去除。
超纯水中的硼离子去除需结合高级净化技术，包括预处理、反渗透、离子交换、蒸馏、紫外线或超滤等。一个完整的超纯水系统整合了这些工艺，通过过滤、离子交换、精密加药、反渗透膜处理、紫外线消毒和EDI（电去离子）及抛光离子吸附过滤等环节，确保最终产水的电阻率超过18.25MΩ/cm，达到超纯标准。
地壳中硼的平均丰度为10ppm，火成岩中含硼量在12ppm至8ppm之间。在半导体制造中，硼的存在会严重影响设备性能和实验结果，因此需要采取措施去除超纯水中的硼离子。
芯片半导体行业对硼的要求为10ppt以下，现有部分工艺无法满足该标准。杜笙离子交换树脂CH-99通过选择性吸附硼，确保出水稳定无波动。
Tulsimer® CH-99是一款高效选择性离子交换树脂，专为去除水溶液中的硼及其盐而设计。它在广泛的pH范围内表现出色，并能高效去除硼及其盐，即使在有其他离子存在的情况下也是如此。通过其胺聚羟基官能团与硼酸盐紧密结合，形成稳定的络合物，从而去除硼酸盐，不受其他阴离子影响。
二、重要参数
Tulsimer® CH-99按严格工艺制成，作为去除水溶液中硼及其盐的选择性离子交换树脂，其特点和优势主要体现在以下几个方面：
1. 高选择性：CH-99树脂具有与硼生成络合物的多羟基胺功能基团，使其在低浓度环境下也能高效吸附硼元素。
2. 高吸附速度：优化的三维空间立体网络树脂结构和功能活性基团，确保快速吸附动力学，提高处理效率。
3. 强吸附性能：高吸附容量和吸附速度，能有效降低溶液中硼的浓度，适用于低浓度环境下的硼元素去除和回收。
4. 显著经济效益：高效吸附性能降低操作时间与树脂使用量，减少能耗及整体成本，提高经济效益。
5. 稳定性强：在多种盐类共存环境中，对CH-99树脂影响较小，保持稳定的吸附效果，不易受其他物质影响。
6. 广泛应用：适用于饮用水处理、超纯水、海水淡化、废水除硼等多个领域。
7. 环保友好：通过选择性吸附而非化学沉淀，减少化学试剂使用，降低二次污染风险。
④ 半导体制造工艺中各类废气是如何产生的
半导体行业在芯片制程工艺中，持续使用有机溶剂和酸溶液，产生大量有毒有害废气，需经废气处理达标后高空排放。本文详细解析半导体芯片制程工艺中各类废气的产生原因、处理技术及系统配置。
半导体行业芯片制造包含5个主要阶段：材料准备、晶体生长与晶圆准备、晶圆制造与初测、封装、终测。废气主要产生于集成电路制造过程，涉及薄膜沉积、光刻、掺杂、清洗等关键工艺。
1、薄膜沉积工艺：涉及热氧化、化学气相沉积（CVD）与物理气相沉积（PVD）。热氧化工艺产生的主要废气包括酸性废气，来源于未反应的含卤素氧化剂。CVD工艺产生的废气种类各异，来源于未反应原料气和生成的酸性气体，如SiH4、SiCl4、SiH2Cl2、PH3、HF、HCl、NH3等。PVD工艺以惰性气体为介质，生成的污染物主要为固废。
2、光刻工艺：光刻胶在软烘焙与硬烘焙过程产生的有机废气，以及NH3源于显影液挥发。湿法与干法刻蚀工艺产生的废气包括酸、碱、有机废气与气态副产物，如H2、NO、NH3等。湿法去胶工艺产生主要废气为酸性废气与有机废气，干法去胶工艺产生有机废气与CO、CO2、H2O。平坦化工艺中的化学机械研磨（CMP）产生的废气为酸、碱、有机废气。
3、掺杂工艺：热扩散与离子注入工艺产生的主要废气为含磷烷、砷烷的酸性废气。
4、清洗工艺：酸、碱与有机溶剂的使用产生废气，清洗液种类根据去除对象的不同而变化。
半导体废气处理技术与系统：废气通过分类密闭收集，分为酸性、碱性、有机、一般尾气等。处理系统包括本地（POU）与中央处理系统。酸性废气通过酸碱中和，使用喷淋洗涤工艺处理，常用的吸收液为NaOH或NaClO溶液。碱性废气采用喷淋洗涤处理，常用吸收液为H2SO4溶液。有机废气处理技术包括活性炭吸附与沸石浓缩转轮+焚烧。砷排处理系统在Fab中央端再次进行干式吸附，常用设备为砷磷烷吸附塔，吸附后通过末端风机负压达标排放。
本文详细解析了半导体制造工艺中各类废气的产生原因、处理技术及系统配置，为企业提供参考。