除鹽水edi二氧化硅

㈠ 反滲透膜對二氧化硅的去除率是多少

二氧化硅是水質分析的重要指標之一,鍋爐爐水、給水,除鹽水中的二氧化硅都要進行准內確測定。反滲透系統最容大允許二氧化硅的濃度取決於溫度、pH值以及阻垢劑，通常在不加阻垢劑時濃水端最高允許濃度為100ppm，某些阻垢劑能允許濃水中的二氧化硅濃度最高為240ppm，請咨詢阻垢劑供應商。

㈡ 反滲透進水的二氧化硅指的是什麼

二氧化硅是水質分析的重要指標之一,鍋爐爐水、給水,除鹽水中的二氧化硅都要回進行准確測定。反滲透答系統最大允許二氧化硅的濃度取決於溫度、pH值以及阻垢劑，通常在不加阻垢劑時濃水端最高允許濃度為100ppm，某些阻垢劑能允許濃水中的二氧化硅濃度最高為240ppm，請咨詢阻垢劑供應商。

㈢ 除鹽水裝置為什麼要對活性二氧化硅進行控制

水中溶解少量以硅酸或可溶性硅酸鹽形式存在的二氧化硅對金屬的腐蝕有一定的緩蝕作用。但含量過高時會形成鈣鎂的硅酸鹽水垢或二氧化硅水垢。這種水垢熱阻大、難以去除對鍋爐危害特別大，因此要嚴格加以控制。

㈣ 為什麼混床更換樹脂後，除鹽水中二氧化硅含量超標

混床出來水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系自統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽. 由於 RO 為物理除鹽,所以一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。

㈤ 除鹽水含有二氧化硅嗎

進水經過石灰軟化處理，與冷凝回水混合後含鹽量1.5mmol/l左右，活性二氧化硅1.0mg/l，陽床固定床專硫酸順流再屬生，比耗2左右，陰床40攝氏度鹼再生，也是固定床順流再生，比耗也是2左右。陰床出水二氧化硅為1微克每升左右。我覺得非常可疑，硫酸再生，且是順流，單純強樹脂，二氧化硅為何這么低呢？正常情況下即使是混床也不能這么低呀？測得陽床漏鈉量為180微克左右，而且投運開始二氧化硅就是這么低！排除儀表問題。大家怎麼看？

㈥ 混床更換樹脂後，除鹽水二氧化硅高，而未更換樹脂的混床產水正常，二氧化硅高怎麼處理

混床出水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽回. 由於 RO 為物理答除鹽,所以一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。

㈦ 測二氧化硅為什麼要加除鹽水稀釋

凝結水和除鹽水都可以,從能源優化利用角度講,一般多用凝結水做減溫水,而且也比較方便.至於蒸汽的二氧化硅超標,建議對水質進行檢測,分析原因.

㈧ 請問超純水設備中EDI系統是什麼

EDI電除鹽純水設備供應商，EDI電除鹽純水設備技術概述
電除鹽將離子交換樹脂填充在陰、陽離子交換膜之間形成EDI單元,又在這個單元兩邊設置陰、陽電極,在直流電作用下,將離子從其給水(通常是反滲透純水)中進一步清除離子交換膜和離子交換樹脂的工作原理相近,可以使特定的離子遷移。陰離子交換膜只允許陰離子透過,不允許陽離子透過;而陽膜只允許陽離子透過,不允許陰離子透過。
在EDI組件中將一定數量的EDI單元羅列在一起,使陰離子交換膜和陽離子交換膜交替排列。並使用網狀物將每個EDI單隔開,形成濃水室。EDI單元中間為淡水室。在給定的直流電的推動下,給水通過淡水室水中的離子穿過高子交換膜進入濃水室被去除而成為除鹽水;通過濃水將離子帶出系統，成為濃水。
EDI電除鹽純水設備組件將給水分成三股獨立的水流
1、純水(最高利用率為99%)
2、濃水(5-10%,可以用於RO給水
3、極水(1%,排放)
極水先經過陽極流入陰極水可從電極區排除電解產生的氯氣、氧氣和氫氣體。
EDI電除鹽純水設備過程細節
一般城市水源中存在鈉、鈣、鎂、氯化物、硝酸鹽、碳酸氫鹽、二氧化硅等溶解物。這此化合物由帶負電荷的陰高子和帶正電荷的陽離子組成。通過反滲透(RO)的處理,98%以上的離子可被去除。另外,原水中也可能包括其它微量元素、溶解的氣體(例如CO2)和一些弱電解質(例如硼,二氧化硅),這些雜質在工業除鹽水中也必須被除掉。RO純水(EDI給水)電阻率的一般范圍是0.05-0.25MΩcm,即電導率的范圍是20-4US/cm。根據應用的情況,去離子水電阻率2MΩcm。EDI除鹽過程。將水中離子和離子交換樹用脂中的氫氧根離子或氫離子交換,然後使這些離子遷移進入到濃水中。這就是EDI電除鹽純水設備除鹽過程。

㈨ 求助：一級除鹽水二氧化硅問題

進水經過石灰軟化處理，與冷凝回水混合後含鹽量1.5mmol/l左右，活性二氧回化硅1.0mg/l，陽床固答定床硫酸順流再生，比耗2左右，陰床40攝氏度鹼再生，也是固定床順流再生，比耗也是2左右。陰床出水二氧化硅為1微克每升左右。我覺得非常可疑，硫酸再生，且是順流，單純強樹脂，二氧化硅為何這么低呢？正常情況下即使是混床也不能這么低呀？測得陽床漏鈉量為180微克左右，而且投運開始二氧化硅就是這么低！排除儀表問題。大家怎麼看？

㈩ EDI連續電除鹽水處理設備的EDI設備進水指標要求

◎通常為單級反滲透或二級反滲透的滲透水
◎TEA（總可交換陰離子，以CaCO3計）：專<25ppm。
◎電導率：屬<40μS/cm
◎PH：6.0～9.0。當總硬度低於0.1ppm時，EDI最佳工作的pH范圍為8.0～9.0。
◎溫度： 5～35℃。
◎進水壓力：<4bar（60psi）。
◎硬度：（以CaCO3計）：<1.0ppm。
◎有機物（ TOC）：<0.5ppm。
◎氧化劑：Cl2<0.05ppm，O3<0.02ppm。
◎變價金屬： Fe<0.01ppm，Mn<0.02ppm。
◎H2S：<0.01ppm。
◎二氧化硅：<0.5ppm。
◎色度：<5APHA。
◎二氧化碳的總量：<10ppm
◎ SDI 15min：<1.0。