⑴ 溶液中的鈉離子怎麼去除拿
如果對於料液的酸鹼度沒要求的話，可使用陽離子交換樹脂進行去除，比如001X7，D001等，先使用鹽專酸將樹脂屬預轉型H型，後溶液過柱，即可脫除溶液中的鈉離子。
當然陽離子交換樹脂也會脫除溶液中的鈣鎂等金屬離子
⑵ 除了用物理方法，怎樣用化學方法去除溶液中的鈉離子（要求溶液需保
可使用陽離子交換樹脂進行去除，但這種方法不能完全除去。
⑶ 氯化鈉如何去除樹脂中的鈣離子和鎂離子
不能啊，樹脂是去除水中的鈣離子和鎂離子，變成鈉離子，不可逆的樹脂再生，是用鹽酸浸泡，用酸置換出鈣鎂離子，然後再用氫氧化鈉活化
⑷ 有誰知道單晶硅生產流程的請詳細說下
生產工藝流程具體介紹如下：
切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄矽片。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃後，用紅外加熱至300~500℃，矽片表面和氧氣發生反應，使矽片表面形成二氧化硅保護層。
倒角：將退火的矽片進行修整成圓弧形，防止矽片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
分檔檢測：為保證矽片的規格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。 研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。此過程產生廢磨片劑。
清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除矽片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。
RCA清洗：通過多道清洗去除矽片表面的顆粒物質和金屬離子。
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液，並將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。
DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除矽片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。
APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，矽片表面由於H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕後立即又發生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在矽片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。
HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用於去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。
DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產生的氧化膜。
磨片檢測：檢測經過研磨、RCA清洗後的矽片的質量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。
腐蝕A/B：經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是鹼性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產生廢鹼液。本項目一部分矽片採用腐蝕A，一部分採用腐蝕B。
分檔監測：對矽片進行損傷檢測，存在損傷的矽片重新進行腐蝕。
粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產生粗拋廢液。
精拋光：使用精磨劑改善矽片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，從而的到高平坦度矽片。產生精拋廢液。
檢測：檢查矽片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。
檢測：查看矽片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。
包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。
⑸ 現有一瓶溶液，請用最簡單的方法檢驗溶液中含有鈉離子．
檢驗溶液中含有鈉離子，可以用焰色反應實驗，如果焰色呈黃色則可以說明含有鈉離子，操作方法為：用鉑絲蘸取NaCl溶液，放在酒精燈上灼燒，火焰呈黃色，說明溶液中含有鈉離子，
答：用鉑絲蘸取NaCl溶液，放在酒精燈上灼燒，火焰呈黃色，說明溶液中含有鈉離子．
⑹ 矽片的絨面具體要用什麼鹼液清洗 具體步驟是什麼樣子要明細一點的
LED（Light Emitting Diode），發光二極體，簡稱LED,，是一種能夠將電能轉化為可見光的固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它裡面空穴佔主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個「P-N結」。當電流通過導線作用於這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區里電子跟空穴復合，然後就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。 它是一種通過控制半導體發光二極體的顯示方式，用來顯示文字、圖形、圖像、動畫、行情、視頻、錄像信號等各種信息的顯示屏幕。由於具有容易控制、低壓直流驅動、組合後色彩表現豐富、使用壽命長等優點，廣泛應用於城市各工程中、大屏幕顯示系統。LED可以作為顯示屏，在計算機控制下，顯示色彩變化萬千的視頻和圖片。 LED是一種能夠將電能轉化為可見光的半導體。
LED外延片工藝流程：
近十幾年來，為了開發藍色高亮度發光二極體，世界各地相關研究的人員無不全力投入。而商業化的產品如藍光及綠光發光二級管LED及激光二級管LD的應用無不說明了III－V族元素所蘊藏的潛能。在目前商品化LED之材料及其外延技術中，紅色及綠色發光二極體之外延技術大多為液相外延成長法為主，而黃色、橙色發光二極體目前仍以氣相外延成長法成長磷砷化鎵GaAsP材料為主。
一般來說，GaN的成長須要很高的溫度來打斷NH3之N-H的鍵解，另外一方面由動力學模擬也得知NH3和MO Gas會進行反應產生沒有揮發性的副產物。
LED外延片工藝流程如下：
襯底 - 結構設計 - 緩沖層生長 - N型GaN層生長 - 多量子阱發光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測（光熒光、X射線） - 外延片
外延片- 設計、加工掩模版 - 光刻 - 離子刻蝕 - N型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - P型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - 劃片 - 晶元分檢、分級
具體介紹如下：
固定：將單晶硅棒固定在加工台上。
切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄矽片。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃後，用紅外加熱至300~500℃，矽片表面和氧氣發生反應，使矽片表面形成二氧化硅保護層。
倒角：將退火的矽片進行修整成圓弧形，防止矽片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
分檔檢測：為保證矽片的規格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。
研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。此過程產生廢磨片劑。
清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除矽片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。
RCA清洗：通過多道清洗去除矽片表面的顆粒物質和金屬離子。
具體工藝流程如下：
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液，並將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。
DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除矽片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。
APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，矽片表面由於H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕後立即又發生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在矽片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。 HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用於去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。
DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產生的氧化膜。 磨片檢測：檢測經過研磨、RCA清洗後的矽片的質量，不符合要求
⑺ 如何清洗矽片
清洗方法
（一）RCA清洗：
RCA 由Werner Kern 於1965年在N.J.Princeton 的RCA 實驗室首創, 並由此得名。RCA 清洗是一種典型的濕式化學清洗。RCA 清洗主要用於清除有機表面膜、粒子和金屬沾污。
1、顆粒的清洗
矽片表面的顆粒去除主要用APM ( 也稱為SC1) 清洗液(NH4OH + H2O2 + H2O) 來清洗。在APM 清洗液中,由於H2O2的作用,矽片表面有一層自然氧化膜(SiO2) , 呈親水性, 矽片表面和粒子之間可用清洗液浸透, 矽片表面的自然氧化膜和硅被NH4OH 腐蝕,矽片表面的粒子便落入清洗液中。粒子的去除率與矽片表面的腐蝕量有關, 為去除粒子,必須進行一定量的腐蝕。在清洗液中, 由於矽片表面的電位為負, 與大部分粒子間都存在排斥力, 防止了粒子向矽片表面吸附。
表2常用的化學清洗溶液
名稱 組成
作用
SPM
H2SO4∶H2O2∶H2O
去除重有機物沾污。但當沾污非常嚴重時, 會使有機物碳化而難以去除
DHF
HF∶(H2O2)∶H2O
腐蝕表面氧化層, 去除金屬沾污
APM(SC1) NH4OH∶H2O2∶H2O 能去除粒子、部分有機物及部分金屬。此溶液會增加矽片表面的粗糙度
HPM(SC2) HCl∶(H2O2)∶H2O 主要用於去除金屬沾污
2、表面金屬的清洗
(1) HPM (SC22) 清洗 (2) DHF清洗
矽片表面的金屬沾污有兩種吸附和脫附機制: (1) 具有比硅的負電性高的金屬如Cu ,Ag , Au , 從硅表面奪取電子在硅表面直接形成化學鍵。具有較高的氧化還原電位的溶液能從這些金屬獲得電子, 從而導致金屬以離子化的形式溶解在溶液中, 使這種類型的金屬從矽片表面移開。(2) 具有比硅的負電性低的金屬, 如Fe , Ni ,Cr , Al , Ca , Na , K能很容易地在溶液中離子化並沉積在矽片表面的自然氧化膜或化學氧化膜上。這些金屬在稀HF 溶液中能隨自然氧化膜或化學氧化膜容易地除去。
3、有機物的清洗
矽片表面有機物的去除常用的清洗液是SPM。SPM 具有很高的氧化能力, 可將金屬氧化後溶於溶液中, 並能把有機物氧化生成CO2 和水。SPM 清洗矽片可去除矽片表面的重有機沾污和部分金屬,但是當有機物沾污較重時會使有機物碳化而難以去除。經SPM 清洗後, 矽片表面會殘留有硫化物,這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。
（二）氣相乾洗
氣相乾洗是在常壓下使用HF 氣體控制系統的濕度。先低速旋轉片子, 再高速使片子乾燥, HF 蒸氣對由清洗引起的化學氧化膜的存在的工藝過程是主要的清洗方法。另一種方法是在負壓下使HF 揮發成霧。低壓對清洗作用控制良好,可揮發反應的副產品, 乾片效果比常壓下好。並且採用兩次負壓過程的揮發, 可用於清洗較深的結構圖形, 如對溝槽的清洗。
MMST工程
主要目標是針對高度柔性的半導體製造業而開發具有快速周期的工藝和控制方法。能夠通過特定化學元素以及成分直接對矽片表面進行清理，避免了液體帶來的成分不均勻和廢液的回收問題，同時節約了成本。
1、氧化物去除：
用氣相HF/水汽去除氧化物，所有的氧化物被轉變為水溶性殘余物, 被水溶性去除。繞開了顆粒清除過程，提高了效率。
2、金屬化後的腐蝕殘余物去除：
氣相HF/氮氣工藝用於去除腐蝕殘余物，且金屬結構沒有被鑽蝕。這個工藝避免了昂貴而危險的溶劑的使用, 對開支、健康、安全和環境等因素都有積極的影響。
3、氮化硅和多晶硅剝離：
在遠離矽片的一個陶瓷管中的微波放電產生活性基, 去除矽片上的氮化硅和多晶硅, 位於陶瓷管和矽片之間的一塊擋板將氣體分散並增強工藝的均勻性, 剝離工藝使用NF3,Cl2,N2和O2的組合分別地去除Si3N4, 然後去除多晶硅。
4、爐前清洗：
用氣相HF/HCl氣體進行爐前清洗並後加一個原位水沖洗過程, 金屬粒子的沾污被去除到了總反射X射線熒光光譜學(XRF)的探測極限范圍之內。
5、金屬化前,等離子腐蝕後和離子注入後膠的殘余物去除:
臭氧工藝以及氣相HF/氮氣工藝還需進一步的改進才能應用。但是有一種微剝離工藝，用SC1/超聲過程去除最後的顆粒。
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生產工藝流程具體介紹如下：
固定：將單晶硅棒固定在加工台上。
切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄矽片。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃後，用紅外加熱至300~500℃，矽片表面和氧氣發生反應，使矽片表面形成二氧化硅保護層。
倒角：將退火的矽片進行修整成圓弧形，防止矽片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
分檔檢測：為保證矽片的規格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。
研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。此過程產生廢磨片劑。
清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除矽片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。
RCA清洗：通過多道清洗去除矽片表面的顆粒物質和金屬離子。具體工藝流程如下：
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液，並將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。
DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除矽片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。
APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，矽片表面由於H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕後立即又發生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在矽片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。
HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用於去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。
DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產生的氧化膜。
磨片檢測：檢測經過研磨、RCA清洗後的矽片的質量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。
腐蝕A/B：經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是鹼性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產生廢鹼液。本項目一部分矽片採用腐蝕A，一部分採用腐蝕B。
分檔監測：對矽片進行損傷檢測，存在損傷的矽片重新進行腐蝕。
粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產生粗拋廢液。
精拋光：使用精磨劑改善矽片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，從而的到高平坦度矽片。產生精拋廢液。
檢測：檢查矽片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。
檢測：查看矽片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。
包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。
⑼ 矽片表面有鋁層,要用什麼化學試劑可以去除鋁層
鋁，銀白色活潑輕金屬，有延展性，化學性質：在乾燥空氣中鋁的表面立版即形成厚約5納米的權緻密氧化膜，使鋁不會進一步氧化並能耐水。易溶於稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶於水。
硅，有明顯的非金屬特性，化學性質：可以溶於鹼金屬氫氧化物溶液中，產生（偏）硅酸鹽和氫氣。不溶於一般無機酸（如鹽酸、硫酸、硝酸等）中，可溶於鹼溶液中，並有氫氣放出，形成相應的鹼金屬硅酸鹽溶液，於赤熱溫度下，與水蒸氣能發生作用。
根據雙方的化學性質，可以使用稀硫酸、硝酸、鹽酸去溶解矽片鍍鋁層，也可以使用化工葯水金屬工藝液處理，貽順化工的退鋁液，退鋁快速干凈。
⑽ 清洗和制絨是硅晶片製作的重要步驟之一，矽片化學清洗的主要目的是除去矽片表面雜質（如某些有機物，無機
（1）因為氫氟酸能和二氧化硅反應：SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O，從而腐蝕玻璃，因此不能用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，故答案為：SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O；
（2）硅單質能和氫氧化鈉溶液反應生成硅酸鈉和氫氣，所以晶片制絨反應的離子方程式為：Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2↑；
在反應中，氫氧根離子中的氫離子得到電子生成氫氣，則在反應中氧化劑應該是氫氧化鈉，
故答案為：Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2↑；NaOH；
（3）根據表中信息可知，水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化並放出氫氣，而普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的鹼便可使粉末狀硅在其中，這說明在鹼性水溶液條件下，H2O可作氧化劑；少量的氫氧化鈉可以加快反應速率，這說明氫氧化鈉通過降低反應的活化能，起催化劑的作用；
在野外環境里，用較高百分比的硅鐵粉與乾燥的Ca（OH）2和NaOH，點著後燜燒，可劇烈放出H2，這說明在高溫無水環境下，NaOH起氧化劑的作用，與硅反應放出氫氣，
故答案為：氧化；催化；活化能；氧化；
（4）A．硅烷在常溫下與空氣和水劇烈反應，因此在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，這是由於SiH4能與水發生氧化還原反應生成H2，故A正確；
B．在反應3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2↑中，氨氣中氫元素的化合價從+1價降低到0價得到電子，所以反應中NH3作氧化劑，硅烷是還原劑，故B正確；
C．氮化硅的性質穩定，但SiH4的性質很活潑，常溫下與空氣和水劇烈反應，故C錯誤；
D．氮和硅都是非金屬，因此氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si3N4是優良的新型無機非金屬材料，故D正確；
故答案為：C．