A. 求磁控濺射和多弧離子鍍膜的資料和文摘
1.磁控濺射鍍膜技術由於其顯著的特點已經得到廣泛的應用。但是常規磁控濺射靶表面橫向磁場緊緊地束縛帶電粒子，使得一鍍膜區域的離子密度很低，一定程度上削弱了等離子體膜的優勢。通過有意識地增強或削弱其中一個磁極的磁通量。使得磁控濺射靶的磁場不平衡，可以大大提高鍍區域的等離子體密度，從而改善鍍膜質量，此外還討論該技術目前的發展狀況。
2.多弧離子鍍膜 請查看 http://www.swip.ac.cn/yykf/1-1.htm
B. 求多弧子真空鍍膜機玫瑰金的工藝，還有的是機器怎麼檢漏請大神指點
你問幾個字50分要打多少字才可以說清楚。玫瑰金鈦氮氣加乙炔。漏氣自己檢打丙酮，有檢漏儀就看說明書，看我 資 料
C. 你好！我是做裝飾鍍的，用的多弧離子鍍膜機。有幾個疑問請教。 1、關於穩弧能力的弧流是基於什麼原理
我的個人理解：
穩弧的言外之意就是不斷弧，那麼只要了解什麼情況下發生斷弧就知道怎樣穩弧了。
具體原理我也不清楚，一般斷弧是因為發生了「竄弧」，意思就是弧斑跑到了靶的側面或者後面。所以一般要求屏蔽罩和靶材之間的間距一般在1-2mm，而且間隙必須均勻，這樣能限制電弧向側面「竄弧」，否在在大間隙處會出現「竄弧」現象，或造成弧光熄滅，或燒毀靶座。
D. 真空多弧離子鍍膜機偏壓電源的工作原理
離子鍍膜其實是離子濺射鍍膜，
對於導電靶材，使用直流偏壓電源；非導電靶材，使用脈沖偏壓電源。
你這個多弧離子鍍膜機，可能還需要直流電弧電源或脈沖電弧電源
偏壓電源其實就是在陰極和樣品所在位置的陽極之間形成偏壓電場，一般是陰極加負高壓。陰極表面的自由電子在電場作用下定向加速發射，發射電子轟擊氣體分子，使之電離，並且氣體被驅出的電子被電場加速，繼續電離其他氣體分子，連續不斷，形成雪崩效應，氣體被擊穿，形成恆定的電離電流。此時離子也被加速，轟擊靶材，將靶材中的原子驅除出表面，並沉積在樣品表面。
電弧電源有點類似日光燈啟輝器和鎮流器，靠電弧加熱電離氣體形成等離子體，而不是電子加速撞擊。
E. 磁控濺射鍍膜機的工作原理是什麼
磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用（ E X B drift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至於靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已。
磁控濺射的基本原理是利用 Ar一02混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換後，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉移到基體表面而成膜。
磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。
具體問題可以私信我。
F. 多弧離子鍍膜擴散泵溫度對膜層的影響
真空多弧離子鍍膜機鍍出來的不銹鋼產品，有什麼方法提高膜層質量？
不同的顏色，用不同的工藝和不同的耙材，比如常見的槍色，我們一般選擇用鈦耙或者鉻耙，鈦耙做出來的顏色老，鉻耙做出來的顏色嫩，黑色的我們一般用鈦柱耙或者鉻柱耙。
如果膜層出來掉色的現象，第一個分析工藝是否正確，第二個分析前處理清洗是否徹底，純水值是否達到標准要求，第三個分析真空爐是否有泄漏。原因大概就這三個。如果顏色出現變色，第一分析掛具的產品是否在有效的濺射范圍內，第二分析工藝是否應該調整。
退鍍這一塊也是根據不同的工藝，偏壓的大小，不同的耙材所鍍的顏色來分析應該如何來正確的退鍍，用鈦耙鍍出來的顏色，比如金色：雙氧水加片鹼，其它的涉及到工業秘密在此就不多說了！！！
多弧離子鍍膜機如何在玻璃飾品上鍍透明的琥珀色，應該選用什麼靶材及反應氣體
用CU+ZN合金，用氬氣就可以了做磁控濺射離子鍍膜（裝飾）、多弧離子鍍膜（功能）和鍍玻璃（ITO或者幕牆等）的詳細公司1。磁控濺射離子鍍膜（裝飾）2.多弧離子鍍膜（功能）3.鍍玻璃（ITO或者幕牆等）想問一下國內（包括大陸、香港、台灣以及外資在中國成立的企業）的鍍膜公司在做上邊3種薄膜方面有哪些公司？其中哪些公司的技術比較成熟、先進（比如磁控方面的中南、富士康;多弧方面的愛恩邦德、巴爾查斯首先你要考慮：你是想學鍍膜的工藝還是鍍膜設備方面的技術？裝飾鍍方面國內外差距不大了，國內的設備稍便宜，但是膜層質量已經能做到很好。工具鍍方面國內外差距就很大了，國外的工具鍍膜公司基本上都是賣設備，然後設備配有工藝，但是國內的廠家在這方面經驗就很少。至於待遇問題，如果你能做到工藝大師傅的話，我想工資水平至少在5000以上，但是你做設備方面的工程師，工資水平不會太高，除非你有很強的技術水平。 如果有機會的話，我建議你去外企，例如：瑞士Balzers巴爾查斯\瑞士Platit\德國CemeCon\德國PVT普威特\德國Metaplas=瑞士Sulzer\另：不管是磁控濺射還是多弧，就蒸發源本身來講，已經做的很好了，但是對於工藝的開發，基礎理論等要比國外的企業差很多。多弧離子鍍設備工作時,一個弧的功率一般是多大?電流是多少?(不銹鋼鍍TIC多弧陰極根據靶材的不同，能夠穩定工作的電流是不一樣的，例如：如果是Cr靶，可以在60A左右就可以穩定工作，Ti靶在70A左右可以穩定工作，Zr的穩弧電流稍高一些，大約在100A左右，陰極的工作電壓在20V-30V之間。鍍膜時，比如你要做TIC黑膜，就必須選用Ti靶，TI的工作電流在70A，工作電壓在25V左右，需要向真空室內充入C2H2氣體，鍍膜時的真空度要保持在0.5Pa左右，一般情況下，是用分子泵或者擴散泵來抽取這些氣體，使得真空室保持一定的壓力，此時的滑閥泵和羅茨泵充當分子泵或者擴散泵的前級泵，是一直要開著的。真空磁控濺射機鍍TIN金色工藝怎麼鍍呀 ？1。抽真空2。抽真空過程中要加熱，加熱的溫度取決於你工件的材質3。當真空度達到高真空，一般在0.005Pa左右時，開始氬離子轟擊清洗4。用電弧靶主弧轟擊清洗5。用電弧打底6。用電弧和磁控靶混合打底7。用磁控靶打底8。通入氮氣，鍍TiN.9。降溫出爐磁控濺射設備 用什麼靶材能鍍出紅色?能否鍍出紅色，主要還在膜層結構和反應氣體上，我們使用的銅靶、鋁靶、鋼靶、鈦靶、合金鋁靶、都是可以鍍出紅色的，工作氣體為氬氣，反應氣體是氧氣、氮氣、乙炔、甲烷、等都可以。請問採用磁控濺射鍍膜膜厚最多能鍍到多少？一般做超硬膜也就是3微米左右，設備配置高些的，3個多小時可以做到5微米真空鍍膜工藝 金色 偏紅如果是放了一段時間的機器，你要多空鍍2爐，只用氬氣。如果在年前鍍了黑色和玫瑰金色，徹底清理爐內壁。再就是加氣管漏空氣或者鍍的時間太長 偏壓太低真空鍍膜IP黑不耐膜怎麼辦啊?? 用烙管鍍的。出爐沒多久好多白點1/可能你的爐體不夠干凈:2/你有室溫加得不夠高;3/鍍完膜後請不要馬上打開容器大門鍍膜厚度的問題裝飾膜：0.3--3um；應用范圍：手機殼、手錶殼等各種顏色裝飾用；功能膜：TCO：0.01-0.9um； 刀具：2-15um；光學膜：各層厚度為nm級，方便控制即可；層數不限，多者可達上百上千層；主要用於光纖、鏡頭（紅外、紫外、窄帶、寬頻等）等； PVD鍍膜前為什麼要水電鍍目前來講，一般標准膜層是銅+鎳+鉻~大多數PVD就做在鉻上面~銅，在最底層，用來增加膜層延展性消除應力~鎳，微孔鎳、沙丁鎳等等，這層主要是提供耐腐蝕性能~鉻，這種金屬的硬度很高，主要提供耐磨性和硬度關於真空鍍膜的問題?請大家幫我解答一下。1、真空系統漏氣簡便可行的檢查方法是什麼？如何才能迅速判斷真空系統是否漏氣？2、真空室的清洗以什麼為參考，到何種程度需要清洗真空室？以及產品掛架的清洗要求到什麼程度才需要清洗？3、擴散泵油的更換方法及到什麼情況下才需要更換擴散泵油？4、產品灰塵、油污的有效處理辦法？1。檢漏最好，最有效的方法當然是用氦質譜檢漏儀，當如，如果沒有檢漏儀，你還可以用其他方法檢漏。比如：用酒精或者丙酮往密封處噴灑，然後觀察真空度的變化，如果立刻有很大的變化，說明此處或者此處附近有漏點。2。還有一個方法可以判斷真空系統是否漏氣，就是抽極限真空和漏率測試。如果你的系統能抽到E-4Pa，可以判斷系統沒有大的漏點，然後通過漏率測試，如果漏率符合要求，要可以判定真空系統沒有漏點，或者是漏點很小。當然漏率的標准需要你咨詢你的設備供應商。3。真空室內襯及工件桿的清洗標准，總的來說沒有確切的標准，根據每個公司產品要求的不同，如果你做高檔貨，那麼維護的頻率就要高一些，你可以先制定一個標准，然後施行，然後去不斷改進。最終定下一個維護的周期標准，然後貫徹落實。4。擴散泵的油什麼時候更換，一般都是通過觀察油的顏色或者檢查是否抽氣速率有明顯的下降，更設備維護一樣，不要等油完全失效了再更換，要制定標准，定期更換，當然標準是可以更改的，但是一旦制定，就要實施。具體時間可以咨詢你的設備供應商。5。產品的灰塵和油污肯定是要清洗的，除油、除蠟等，前處理是一個很系統的工程，無法一句兩句就說清楚的。葫蘆島建晟廣告設計
G. 磁控濺射鍍膜系統怎樣提高沉積速率
控濺射原理電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。 磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至於靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。 在機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在此原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已。