⑴ 反滲透膜硅結垢如何清洗2628144
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⑵ 反滲透設備的清洗方法主要有哪幾點
清洗方法:
在第一段引入清洗溶液
RO進水入口處最大壓力為60psi(減少已松脫的污染物被沖回膜表面的可能)單只膜元件最大壓降10-15 psi,以防止膜卷突出將置換出的水排入下水通道
將最初20%已污染的/變色的化學清洗溶液排入下水通道
將干凈的化學清洗溶液再循環至清洗箱
將滲出的少量產品水再循環至清洗箱
如果PH值變化超出0.5個單位,則需要重新調整PH至指定范圍
低流量循環
循環5-15分鍾
每根4「的壓力容器流量為3gpm(11.4升/分鍾)
盡量減少沖洗下來的污染物對進水通道的阻塞
中等流量循環
循環5-15分鍾
每根4「的壓力容器流量為6gpm(22.8升/分鍾)
第一次大流量循環
循環30-60分鍾
每根4「的壓力容器流量為9-10gpm(34-37.8升/分鍾)
浸泡(選擇使用)
輕度污染可浸泡1-2小時
浸泡有利於污染物的去除
應當在必須的情況下才進行浸泡,原則上應盡量減少化學劑與膜的接觸時間
第二次高流量循環(選擇使用)
循環15-60分鍾
按需要浸泡及循環
沖洗
使用與清洗溶液PH值及溫度相同且與系統容積相同量的RO產品水沖洗,並將出水排入下通道,然後使用未調節 過的RO滲透產品水反復沖洗,保證化學清洗液全部被沖出
使用第一種殺菌液(選擇使用)
按照標准配製殺菌液
採用中等流量在已清洗各段的RO裝置中循環15-60分鍾
浸泡1-2小時或按需要而定
用RO水沖洗
利用第二種清洗液進行清洗(選擇使用)
先用低PH溶液清洗,再用高PH溶液清洗
最終沖洗
通常沖洗10-30分鍾
使用通常的經過前處理的進水低壓沖洗,直至濃水不再有氣泡,直至濃水電導與進水電導相同
運行前沖洗
與正常運行操作條件相同,但是產品水排入下水通道直至產水水質達到所需標准
RO膜清洗的注意事項
RO膜在清洗過程中,操作人員有關化工酸鹼操作的安全規則及化工配製溶液的安全規則。
膜在清洗過程中,所使用的水必需是RO產品水或相當於其產品水的純凈水。
RO清洗過程中,其清洗水溫不低於15℃。
RO膜在清洗完成後10小時內必須讓其運行,否則需要加入消毒液進行保護。
⑶ 反滲透膜清洗的清洗步驟
清洗反滲透膜元件的一般步驟: 用泵將干凈、無游離氯的反滲透產品水內從清洗箱(或相應容水源)打入壓力容器中並排放幾分鍾。 用干凈的產品水在清洗箱中配製清洗液。 將清洗液在壓力容器中循環1小時或預先設定的時間。 清洗完成以後,排凈清洗箱並進行沖洗,然後向清洗箱中充滿干凈的產品水以備下一步沖洗。 用泵將干凈、無游離氯的產品水從清洗箱(或相應水源)打入壓力容器中並排放幾分鍾。 在沖洗反滲透系統後,在產品水排放閥打開狀態下運行反滲透系統,直到產品水清潔、無泡沫或無清洗劑(通常15~30分鍾)。 普通污垢的特徵 污染物 鹽透過率 壓差 透水量 鈣和無機鹽 上升10~25% 上升10~40% 下降10% 以下 金屬氧化物,氫氧化物 迅速上升2 倍以上 迅速上升2 倍以上 下降20~40% 膠態物質 緩慢上升2 倍以上 緩慢上升2 倍以上 緩慢下降50% 以上 有機物質 上升或下降 輕微上升 下降50% 以上 微生物 迅速下降2 倍以上 迅速上升2 倍以上 下降50% 以上
⑷ 如何清洗反滲透
反滲透膜元件,作為深層的過濾手段,其表面不可避免的會殘留有膠體、微生物、雜質顆粒及難溶鹽類在其表面的析出,因此,在多種領域使用的反滲透裝置,一旦投入使用,最終都需要清洗,只是清洗周期的長短不同而已。通常情況下,根據污染情況的不同,反滲透清洗採用不同的清洗方式,其中包括在線清洗和離線清洗兩種。
在線清洗
反滲透清洗清洗條件
當反滲透系統參數出現如下變化,您的系統馬上要做在線清洗:
1)系統的段間壓差:一段壓差≤0.2Mpa;二段壓差≤0.1Mpa。
2)在系統運行參數不變的情況下,通過溫度校正系統的產水量恢復設計產水量的85%以上。
3)產水脫鹽率變化不超過5%
反滲透清洗清洗步驟
一、用泵將干凈、無游離氯的反滲透產品水從清洗箱(或相應水源)打入壓力容器中並排放幾分鍾。
二、用干凈的產品水在清洗箱中配製清洗液。
三、將清洗液在壓力容器中循環1小時或預先設定的時間。
四、清洗完成以後,排凈清洗箱並進行沖洗,然後向清洗箱中充滿干凈的產品水以備下一步沖洗。
五、用泵將干凈、無游離氯的產品水從清洗箱(或相應水源)打入壓力容器中並排放幾分鍾。
六、在沖洗反滲透系統後,在產品水排放閥打開狀態下運行反滲透系統,直到產品水清潔、無泡沫或無清洗劑(通常15~30分鍾)。
反滲透清洗離線清洗
編輯
反滲透清洗反滲透離線清洗的條件
(1)反滲透膜元件污染符合「重度污染」標准;
(2)反滲透系統通過在線清洗不能夠達到系統額定標準的;
(3)水處理系統由於供水緊張而不能夠進行在線清洗或沒有在線清洗設備的;
(4)反滲透污染類型較為復雜,通過在線清洗容易引起交叉污染的;(反滲透系統前段污染物可能會通過在線清洗被帶入系統後段,而使後段膜元件遭受污染的稱為交叉污染)
反滲透清洗反滲透離線清洗的一般步驟
1 首先用性能優良的備用膜元件替換反滲透系統上的待清洗膜元件,以保證反滲透系統不停止運行,保證整個生產工藝的持續穩定。 [1]
2 反滲透膜元件性能測試:
對每一支膜元件單獨測試其各項性能指標,包括:脫鹽率、產水量、壓差、重量等,並作好測試前記錄脫鹽率、產水量和壓差測試條件:符合不同類型膜廠商提供的標准。
3 系統清洗前了解系統目前運行狀況;
4 採集運行反滲透系統的各參數指標,作好原始記錄;
5 根據用戶原水全分析報告、性能測試結果及所了解的系統信息判斷清洗流程;
6 污染物的鑒定。首先根據3.5的分析結果初步判定,再通過特殊的設備、器具作進一步的驗證,以確定具體污染物類型。
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根據5、6的分析結果,確定所需清洗配方。當RO膜上的污染物確定後,我們可以選擇膜製造商提供的系列配方,選擇較為合適的一種或兩種配方;或者選擇特殊配方(當RO膜被特殊的污染物污染時,採用普通的配方效果欠佳,或者從經濟性角度比較時,特殊配方較為經濟)。目前,國內外有許多反滲透膜元件清洗的專用葯劑,如開元恆業的KY410膜專用清洗劑、KY420膜專用清洗劑和殺菌劑,根據筆者的經驗,使用效果良好,且同傳統葯劑比較,經濟性也不錯。
8 在反滲透專用清洗設備上用以上清洗劑結合物理處理清洗手段進行試驗性清洗,以選擇恰當的清洗配方和清洗程序;
9 確定清洗方法,對以上所有膜元件進行處理;
10 對清洗後的膜元件進入測試平台進行測試並作記錄,不符合要求的將重新送入清洗設備進行處理;
11 整理清洗數據資料,寫出清洗總結報告。
——格瑞水務
⑸ 在反滲透系統中,如何預防硅垢
過飽和二氧化硅(SiO2)能夠自動聚合形成不溶性的膠體硅或膠狀硅,引起膜污染,影響反滲透系統的正常運行。而大多數水源溶解性二氧化硅(SiO2)的含量在1~100mg/L。濃水中的最大允許SiO2濃度取決於SiO2的溶解度。
濃水中硅的結垢傾向與進水中的情形不同,這是因為SiO2濃度增加的同時,濃水的pH值也在變化,這樣SiO2的結垢計算要根據原水水質分析和反滲透的操作參數(回收率)而定。
如果出現一定量的金屬,如Al3+的話,可能會通過形成金屬硅酸鹽改變SiO2的溶解度。硅結垢的發生大多數為水中存在 鋁或鐵。因此,如果存在硅的話,應保證水中沒有鋁或鐵,並且推薦使用1^m的保安濾器濾芯,同時採取預防性的酸性清洗措施。
❖為了提高回收率,進行石灰一純鹼軟化預處理時,應添加氧化鎂或鋁酸鈉以減少進水中的SiO2濃度,同時確保軟化過程有效運轉十分重要,以防止反滲透系統會出現難溶金屬硅酸鹽;
❖由於pH值低於7或pH值高於7.8,可以增加硅的溶解度,就防止硅的結垢而言,加酸或加鹼可以提高水的回收率,但在高pH條件下,要防止CaCO3的沉澱;
❖當採用熱交換器增加進水溫度時,就二氧化硅的結垢而言,可以顯著地提高水的回收率,但膜系統的最高允許溫度為45oC;
❖高分子量的聚丙烯酸脂阻垢劑可以用於增加二氧化硅的溶解度。
⑹ 雙機反滲透有水垢怎麼清洗
雙級反滲透系統都配套了防垢設備,如果你的反滲透膜組件出現了水垢情況,只能採用酸液清洗設備進行膜元件的清洗工作,清洗好後再裝入RO膜殼中,才能正常工作...。一傑環保
⑺ 反滲透膜硅結垢怎麼清洗2628144
反滲透膜硅結垢基本是鈣離子結垢。清洗時加些許酸性液體(稀硫酸、白醋等),浸泡一刻清洗即可。注意稀硫酸腐蝕性極強,使用時注意個人防護。
⑻ 反滲透膜如何清洗
目前反滲透膜的清洗方法主要分為兩種,一種是物理法,另一種是化學法。兩種方法均能對膜進行有效清洗。其中物理法是利用機械力來清除膜表面的污染物,整個過程不發生任何化學反應,一般分為手工擦洗、等壓水力沖洗、反向沖洗、熱水沖洗、水—氣混合清洗五種方法。
手工擦洗
該方法是將拆解開的平板膜用柔軟的物質輕輕擦拭膜表面的污垢,擦的同時用水沖洗。這種方法可以有效除掉膜表面大量的污垢,但是對於深入膜孔中更細小的雜質就無能為力了。
熱水沖洗
熱水沖洗式用30℃-40℃的熱水沖洗膜表面,可以將膜上黏稠且有熱溶性的雜質去除掉。
水—氣混合清洗
該方法是將凈化過的壓縮空氣與水一道送入超濾裝置,水—氣混合流體會在膜表面產生劇烈的攪動作用,從而將比較頑固的雜質去除。
說完了物理清洗方法,那麼就來說說化學清洗方法。化學清洗方法是利用某種化學葯品與膜面的濾餅進行化學反應來達到清洗膜的目的。不過在選擇清洗化學葯品時,要選用不能與膜及其他組件材質發生任何化學反應的葯品,同時也不能使用能引起二次污染的葯品。為此反滲透膜的化學清洗方法主要有兩種,一種是利用氧化性清洗劑,另一種是採用酶洗滌劑清洗。
無論是物理方法還是化學方法,都各自有各自的優點。不過在制葯行業中,清潔員也常常使用化學清洗方法的同時,結合等壓沖洗和反向沖洗方法,從而達到更加有效的清潔效果。
⑼ 反滲透如何反洗
反滲透膜正常運行一段時間後,反滲透膜元件會受到給水中可能存在懸浮物或難溶鹽的污染,這些污染中最常見的碳酸鈣沉澱、硫酸鈣沉澱、金屬(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)氧化物沉澱、硅沉積物、無機或有機沉積混合物、NOM天然有機物質、合成有機物(如:阻垢劑/分散劑,陽離子聚合電解質)微生物藻類、黴菌、真菌)等污染。污染性質和污染速度取決於各種因素,如給水水質和系統回收率。通常污染是漸進發展的,如不盡早控制,污染將會在相對較短的時間內損壞膜元件。當膜元件確證已被污染,或是臨時停機之前,或是作為定期日常維護,建議對膜元件進行清洗。當反滲透系統(或裝置)出現以下症狀時,需要進行化學清洗或物理沖洗:正常給水壓力下,產水量較正常值下降10-15%,為維持正常的產水量,經溫度校正後的給水壓力增加10-15%,產水水質降低10-15%,透鹽率增加10-15%,給水壓力增加1015%,系統各段之間壓差明顯增加。
已受污染的反滲透膜的清洗周期根據現場實際情況而定。正常的清洗周期是每3-12個月一次。當膜元件僅僅是發生了輕度污染時,重要的清洗膜元件。重度污染會因阻礙化學葯劑深入滲透至污染層,影響清洗效果。
清洗何種污染物以及如何清洗要根據現場污染情況而進行。對於幾種污染同時存在復雜情況,清洗方法是採用低PH和高PH清洗液交替清洗(應先低PH後高PH值清洗)
污染物情況分析:1碳酸鈣垢:碳酸鈣垢是一種礦物結垢。當阻垢劑/分散劑添加系統出現故障時,或是加酸pH調節系統出故障而引起給水pH增高時,碳酸鈣垢有可能沉積出來。盡早地檢測碳酸鈣垢,對於防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是極為必要的早期檢測出的碳酸鈣垢可由降低給水的pH值至3-5運行1-2小時的方法去除。對於堆積時間長的碳酸鈣垢,可用低pH值的檸檬酸溶液清洗去除。2硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢:硫酸鹽垢是比碳酸鈣垢硬很多的礦物質垢,且不易去除。硫酸鹽垢可在阻垢劑/分散劑添加系統出現故障或加硫酸調節pH時沉積出來。盡早地檢測硫酸鹽垢對於防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是極為必要的硫酸鋇和硫酸鍶垢較難去除,因為它幾乎在所有的清洗溶液中難以溶解,所以,應加以特別的注意以防止此類結垢的生成。3金屬氧化物/氫氧化物污染:典型的金屬氧化物和金屬氫氧化物污染為鐵、鋅、錳、銅、鋁等。這種垢的形成導因可能是裝置管路、容器(罐/槽)腐蝕產物,或是空氣中氧化的金屬離子、氯、臭氧、鉀、高錳酸鹽,或是由在預處置過濾系統中使用鐵或鋁助凝劑所致。4聚合硅垢:硅凝膠層垢由溶解性硅的過飽和態及聚合物所致,且非常難以去除。需要注意的這種硅的污染不同於硅膠體物的污染。硅膠體物污染可能是由與金屬氫氧化物締合或是與有機物締合而造成的硅垢的去除很艱難,可採用傳統的化學清洗方法。現有的化學清洗葯劑,如氟化氫銨,已在一些項目上得到勝利的使用,但使用時須考慮此方法的操作危害和對設備的損壞,加以防護措施。5膠體污染:膠體是懸浮在水中的無機物或是有機與無機混合物的顆粒,不會由於自身重力而沉澱。膠體物通常含有以下一個或多個主要組份,如:鐵、鋁、硅、硫或有機物。6非溶性的天然有機物污染(NOM),非溶性天然有機物污染(NOMNaturOrganicMatter)通常是由地表水或深井水中的營養物的分解而導致的有機污染的化學機理很復雜,主要的有機組份或是腐植酸,或是灰黃霉酸。非溶性NOM被吸附到膜表面可造成RO膜元件的快速污染,一旦吸收作用發生,漸漸地結成凝膠或塊狀的污染過程就會開始。7微生物堆積:有機堆積物是由細菌粘泥、真菌、黴菌等生成的這種污染物較難去除,尤其是給水通路被完全堵塞的情況下。給水通路堵塞會使清潔的進水難以充分均勻的進入膜元件內。為抑制這種沉積物的進一步生長,重要的不只要清潔和維護RO系統,同時還要清潔預處理、管道及端頭等。對膜元件採用氧化性殺菌時,使用認可的殺菌劑。
清楚污染物慣例清洗液介紹1.[溶液1]2.0%W檸檬酸(C6H8O7低pH)pH值為3-4清洗液。以於去除無機鹽垢(如碳酸鈣垢、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢等)金屬氧化物/氫氧化物(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)及無機膠體十分有效。
2.[溶液2]0.5%W鹽酸低pH清洗液(pH為2.5)主要用於去除無機物垢(如碳酸鈣垢、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢等)金屬氧化物/氫氧化物(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)及無機膠體。這種清洗液比溶液1要強烈些,因為鹽酸(HCl)為強酸。3[溶液3]0.1%W氫氧化鈉高pH清洗液(pH為11.5)用於去除聚合硅垢。這一洗液是一種較為強烈的鹼性清洗液。4.[溶液4]氫氧化鈉-EDTA四鈉-六偏磷酸鈉清洗液。
清洗步驟:先用殺菌劑如1227清洗,再用溶液1清洗,再用溶液4清洗,最後用水沖洗至中性,所用水應為反滲透產水。