⑴ 在反滲透系統中，如何預防硅垢
過飽和二氧化硅（SiO2)能夠自動聚合形成不溶性的膠體硅或膠狀硅，引起膜污染，影響反滲透系統的正常運行。而大多數水源溶解性二氧化硅（SiO2)的含量在1~100mg/L。濃水中的最大允許SiO2濃度取決於SiO2的溶解度。
濃水中硅的結垢傾向與進水中的情形不同，這是因為SiO2濃度增加的同時，濃水的pH值也在變化，這樣SiO2的結垢計算要根據原水水質分析和反滲透的操作參數（回收率）而定。
如果出現一定量的金屬，如Al3+的話，可能會通過形成金屬硅酸鹽改變SiO2的溶解度。硅結垢的發生大多數為水中存在 鋁或鐵。因此，如果存在硅的話，應保證水中沒有鋁或鐵，並且推薦使用1^m的保安濾器濾芯，同時採取預防性的酸性清洗措施。
❖為了提高回收率，進行石灰一純鹼軟化預處理時，應添加氧化鎂或鋁酸鈉以減少進水中的SiO2濃度，同時確保軟化過程有效運轉十分重要，以防止反滲透系統會出現難溶金屬硅酸鹽；
❖由於pH值低於7或pH值高於7.8,可以增加硅的溶解度，就防止硅的結垢而言，加酸或加鹼可以提高水的回收率，但在高pH條件下，要防止CaCO3的沉澱；
❖當採用熱交換器增加進水溫度時，就二氧化硅的結垢而言，可以顯著地提高水的回收率，但膜系統的最高允許溫度為45oC;
❖高分子量的聚丙烯酸脂阻垢劑可以用於增加二氧化硅的溶解度。
⑵ 如何去除反滲透純水設備的硅酸鹽
硅在原水中以晶體顆粒和膠體形態存在,並且硅的存在形式與水的pH值有關.當給水版pH8時,硅酸會權轉化成硅酸根離子,它可與高價陽離子,如鈣、鎂、鐵、鋁等,形成不溶的硅酸鹽,在反滲透後段析出沉積而污堵.
反滲透膜中的硅酸鹽的清除方法:①0.4%二氯化銨清洗;②0.1%氫氟酸+0.4%Hcl清洗
同時水處理設備使用廠家應該控制控制二氧化硅濃度以保障反滲透設備系統的運行安全。因為，當PH小於9時，二氧化硅在水中的溶解度為125mg/l，隨溫度的升高而升高。所以控制二氧化硅濃度小於100mg/l，當進水中濃度小於20mg/l時不會發生結垢。
⑶ 硅酸鹽 怎麼清除啊
那個是爐渣吧，成分應該是硅酸鈣和硅酸鎂那一類的，用鹽酸可以溶解。工業鹽酸內相對來說是很便宜的東東了容~
硅酸鈣：CaSiO3 + 2HCl = CaCl2 + H2SiO3
硅酸鎂：MgSiO3 + 2HCl = MgCl2 + H2SiO3
不過這個方法的缺點是鹽酸氣味太重，用量不合適的話還會腐蝕爐壁。另外，處理以上反應生成的H2SiO3（偏硅酸）可能也需要一些技巧~
⑷ 水處理問題——硅酸鹽如何去除
當PH小於9時，二氧化硅在水中的溶解度為125mg/l，隨溫度的升高而升高。為了反滲透系統運行安全，控制二氧化硅濃度小於100mg/l，當進水中濃度小於20mg/l時不會發生結垢。反滲透產水經臭氧殺菌後應進入成品水箱，在送往各用水點，維他密應在用水點加入，此時臭氧已分解完全，不用擔心有反應。
⑸ 化學清洗反滲透膜時為什麼先酸洗後鹼洗
超濾和反滲透膜的清洗是根據膜的污染來決定的！在情況不清楚的時候通常是先要酸洗再鹼洗。
⑹ 反滲透膜清洗酸鹼用量
你說的應該是反滲透膜的化學清洗吧。
1、檸檬酸溶液，在高壓或低壓下，用1%-2%的檸檬酸水溶液對陶氏膜進行連續或循環沖洗，這種方法對Fe(OH)3污染有很好的清洗效果。本文介紹了陶氏反滲透膜化學清洗方法。
2、檸檬酸銨溶液，檸檬酸的溶液中加入氨水或配成不同PH值的溶液，也可在檸檬酸銨的溶液中加HCL，調節PH值至2-2.5，例如在190L去離子水中，溶解277g檸檬酸胺，用HCL調節溶液PH值為2.5，用這種溶液在膜系統內循環清洗6小時，效果很好，若將該溶液加溫到35-40℃，清洗效果更好，該溶液對無機物的污染清洗效果均很好，但清洗時間較長。
3、加酶洗滌劑，用加酶洗滌劑處理膜，對有機物污染，特別是對蛋白質，油類等有機物污染特別有效，若在50℃-60℃下清洗效果更好，一般的在運行10天或半個月後用1%的加酶洗滌劑在低壓下對膜進行一次清洗，由於所用加酶洗滌劑濃度較低，所以要求浸漬時間長一些。
4、濃鹽水，對肢體污染嚴懲的膜採用濃鹽水清洗是有效的，這是由於高濃度鹽水能減弱膠體間的相互作用，促進膠體凝聚形成膠團。
5、水溶性乳化液，用於清洗被油和氧化鐵污染的膜十分有效，一般清洗30-60分鍾。
6、雙氧水溶液，例如將0.5L，30%的H2O2用12L去離子水稀釋，然後清洗膜表面，這種方法對有機物污染特別有效。
7、次氯酸鈉和甲醛溶液，對於細菌的污染，要視不同的陶氏膜採取不同的處理措施，對芳香聚醯胺膜可用1%(重量)的甲醛溶液清洗，同時要經常分析反滲透濃水中保持0.2-0.5mg/l的余氯，以防止細菌繁殖。
8、草酸和EDTA溶液， 對於膜上的金屬氧化物沉澱，用草酸和EDTA溶液清洗為好。
⑺ 硅酸鹽樣品的分解處理方法有哪兩種
硅酸鹽的分解是指，在一定條件下將歲滾硅酸鹽分解為二氧化硅及對應的酸根物質頃歷
熔融法分解：碳酸鈉和碳酸乎乎余鉀按一比一形成混合物，來分解硅酸鹽，其熔點在700℃。
鹽酸溶解法：例如：硅酸鈣，CaSiO3 + 2HCl = CaCl2 + H2SiO3
硅酸鎂，MgSiO3 + 2HCl = MgCl2 + H2SiO3
⑻ ro二級反滲透相關保養清潔問題
這個問題太復雜了，一句話兩句話說不清楚。
給你幾個建議吧，希望有用：
1. 找廠家售版後服務的，他們會權給你提供相關材料
2.一級反滲透和二級反滲透的低壓沖洗是需要相關配套設備的，基本上包括：水箱，微濾過濾器，低壓泵等，相關規格按照你的工藝標準定，至於參數一般低壓在0.2mPa以下，不過這個需要看反滲透殼體的大小和，需要保證水充滿殼體。這些參數最好找銷售廠家詢問資料。
3.對於罐體進行蒸汽殺菌，也是按照實際情況判定，但是一般活性炭罐體不要超過7天，砂罐看出水品質，一般都是反沖洗，半年或者一年殺一次最好，看情況而定。
這些都是按照你說的情況簡單的說了下，你說的情況也比較模糊，只能原則上告訴你這些了，如果需要詳細的幫助你留言給我地址，以後詳細討論切磋。
⑼ 凈水機老是堵反滲透膜是怎麼回事
1、系統配備預處理裝置相對於原水水質及流量不合適，或在系統內未配備必要的工藝裝置和工藝環節。
2、欲處理裝置運行不正常，即系統原有的預處理設備對原水SDl成分，濁度，膠狀物等的去除能力較低，預處理效果不理想。3、系統選擇了不恰當的設備或設備材質選擇不正確（泵、配管及其它）。4、系統化學葯品注入裝置發生故障（酸、絮凝/助凝劑、阻垢/分散劑、還原劑及其它）。5、設備間斷運行或系統停止使用後未採取適當的保護措施。6、運行管理人員不合理的設備操作與運用（回收率、產水量、壓差、清洗及其它）。7、膜系統內長時間的難溶沉澱物堆積。8、原水阻份變化較大或水源特性發生了根本的改變。9、反滲透膜系統已經發生了相當程度的微生物污染。
不同污染物結構堵膜的表現
1、碳酸鹽垢
結垢後表現:標准滲透水流量下降，或是脫鹽率下降。
原因：膜表面濃差極化增加。
2、鐵/錳
污染後表現：標准壓差升高（主要發生在裝置前端的膜元件），也可能引起透水量下降。通常錳和鐵會同時存在。
3、硫酸鹽垢
若發生沉積，首先影響鹽濃度最高的系統最後面的膜元件，表現為二段壓差明顯增高。需要用專用清洗劑。
4、硅
顆粒硅:污堵膜元件水流通道，導致系統壓差升高。採用0.4%二氯胺對於溶解嚴重污染的硅垢是有效的。
膠硅：與顆粒硅相似。
溶解硅：形成硅酸鹽析出，應採用二氯胺清洗。
5、懸浮物/有機物
污堵表現：透水量下降，一段壓差明顯升高。若給水SDl大於4或濁度大於1，有機物污染的可能性較大。
6、微生物
污堵表現：標准壓差升高或標准透水量下降。可採用非氧化性殺菌劑加鹼進行清洗。
7、鐵細菌污堵表現：標准壓差升高。可採用EDTA鈉鹽加鹼進行清洗。
發生下列情況時應該清洗膜了
1、標准化後的設備產水量減少了10～15%；2、標准化後的膜系統運行壓力增加了15%；3、標准化後的膜系統鹽透過率較初始正常值增加了10～15%；4、運行壓差較初始作業時增加了15%；
反滲透膜的清洗方法
1、負壓清洗:負壓清洗可以說是通過設備的真空抽吸，在反滲透膜側面形成的壓力，這樣可以有效地去除膜表面以及內部的污染物；2、反沖:反沖是利用強力的氣體或者液體對膜的表面進行清洗，從而達到清理模內部的污染物，讓膜恢復干凈，反沖目前是清洗反滲透膜較為常用的一種方式之一，
3、化學清洗。化學清洗的方法試試用化學清洗劑對反滲透膜進行清洗，由於是化學物有針對性對清洗同樣能夠有效的對膜進行清洗，這種方式也是人們常用的清洗方式之一。
⑽ 反滲透膜結垢的原因是什麼如何防止
在系統正常運行一段時間後，反滲透膜元件會受到給水中可能存在內的懸浮物或容難溶鹽的污染，這些污染中最常見的是碳酸鈣沉澱、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶沉澱、金屬（鐵、錳、銅、鎳、鋁等）氧化物沉澱、硅沉積物、無機或有機沉積混合物、NOM天然有機物質、合成有機物（如：阻垢劑/分散劑，陽離子聚合電解質）、微生物（藻類、黴菌、真菌）等。
物理清洗膜元件：低壓力、高流速的將反滲透產水來沖刷膜元件，可以把短期內在膜表面附著的污染物和堆積物清洗掉的一種有效方法。一般物理清洗頻率較高。
化學清洗膜元件：有些結垢情況通過物理清洗很難去除附著在膜元件表面的污染物和堆積物。這個時候就需要通過化學葯劑來對結垢進行去除。為了能夠達到最佳的清洗效果一般都是通過多種化學清洗葯劑進行組合清洗。而且葯劑的選擇以及清洗順序也是有嚴格要求的。
詳細預防方法可見官網：網頁鏈接