真空穿透電極環氧樹脂

① 我想知道一些基本的金屬化薄膜電容器的型號、具體的特點以及各方面的基本參數（詳細）

特點及用途：
☆ 金屬化聚酯膜卷繞，無感式結構
☆ 環氧樹脂包封，CP線單向引出
☆ 自愈性能好，絕緣電阻高，電容量穩定
☆穗孝岩 適用於直流和脈動電路，廣泛應用於各種電子電器電工設備的濾波、隔直、旁路、耦合和降噪等場合

技術要求：
☆ 引用標准：GB 7335
☆ 氣候類別：55/085/21
☆ 額定電壓：100V/160V、250V、400V、630V
☆ 電容量范圍：0.01-10μF
☆ 電容量偏差：J(±5%), K(±10%)
☆ 耐電壓：1.60UR(5s)
☆ 絕緣電阻：CR≤0.33μF, ≥10000MΩ (20℃, 1min)
CR>0.33μF, ≥5000MΩ·μF (20℃, 1min)
☆ 損耗角正切：≤1.0%(20℃,1KHz)

1． 金屬化聚酯膜電容器CL21X

容量范圍:0.01UF – 2.2UF

額定電壓:50VDC- 100VDC

2． 金屬化內串式聚丙烯電容器CBB221(高壓型MPEH)

容量范圍:0.01UF – 0.47UF

額定電壓:50VDC- 100VDC

3． 金屬化聚酯膜電容器CL21(含浸型MEF)

容量范圍:0.001UF – 6.8UF

額定電壓:100VDC- 630VDC

4. 金屬化聚丙烯膜電慎顫容器CBB22(含浸型MPF)

容量范圍:0.001UF – 3.3UF

額定電壓:100VDC- 630VDC

5. 金屬箔 金屬化復合電極聚丙烯膜電容器CBB81(高壓型PPS)

容量范圍:0.00033UF – 0.22UF

額定電壓:630VDC- 2000VDC

6. 盒式金屬化內串式聚丙烯膜電容器CBB82(盒式高壓PPC)

容量范圍:0.01UF – 0. 22UF

額定電壓:1000VDC- 2000VDC

7.金屬箔式聚酯膜電容器CL11(有感PEI)

容量范圍:0.001UF – 0.47UF

額定電壓:100VDC- 1200VDC

8.金屬膜化聚丙烯膜抗干擾電容器MKP61(X2類)

容量范圍:0.0047UF – 1.0UF

額定電壓:250VAC- 275VAC

9.高壓金屬化聚丙烯膜電容器MKP81

容量范圍:0.0033UF – 2UF

額定電壓:1000VDC- 1600VDC

10.盒式金屬化聚酯膜電容器CL21H(盒式型MEC)

容量范圍:0.001UF – 6.8UF

額定電壓:63VDC- 630VDC

11.金屬化聚丙烯膜交流電機電容器CBB61

容量范圍:0.5UF – 10UF

額定電壓:250VAC- 450VAC

12.塑殼式金屬化聚酯薄膜電容器CL23

容量范圍:0.001UF – 1.0UF

額定電壓:50VDC- 400VDC

13.軸向金屬化猜御聚酯電容器CL20

容量范圍:0.001UF – 10UF

額定電壓:100VDC- 630VDC

14. 軸向金屬化聚丙烯膜電容器CBB20

容量范圍:0.001UF – 10UF

額定電壓:100VDC- 630VDC

15. 金屬化聚丙烯膜交流電容器CBB62 (含浸型.盒式型)

容量范圍:0.001UF – 10UF

額定電壓:125VAC- 600VAC

16. 金屬箔式聚酯膜電容器CL12(無感型PEN)

容量范圍:0.001UF – 0.47UF

額定電壓:50VDC- 100VDC

16. 金屬箔式聚酯,聚丙烯復合膜電容器CH11

容量范圍:0.001UF – 0.1UF

額定電壓:63VDC- 1200VDC

17. 金屬化聚酯膜交流電容器CL61(含浸型,盒式型)

容量范圍:0.001UF – 4.7UF

額定電壓:125VAC- 300VAC

18. 金屬化聚丙烯膜交流電動機電容器CBB65

容量范圍:4UF – 100UF

額定電壓:110VAC- 450VAC

② 透射電鏡和掃描電鏡的特點及應用（越全越好）

1、透射電子顯微鏡電子束的波長要比可見光和紫外光短得多，並且電子束的波長與發射電子束的電壓平方根成反比，也就是說電壓越高波長越短。

透射電子顯微鏡在材料科學、生物學上應用較多。由於電子易散射或被物體吸收，故穿透力低，樣品的密度、厚度等都會影響到最後的成像質量，必須制備更薄的超薄切片，通常為50～100nm。所以用透射電子顯微鏡觀察時的樣品需要處理得很薄。

常用的方法有：超薄切片法、冷凍超薄切片法、冷凍蝕刻法、冷凍斷裂法等。對於液體樣品，通常是掛預處理過的銅網上進行觀察。

2、掃描電鏡的特點：有較高的放大倍數，2-20萬倍之間連續可調；有很大的景深，視野大，成像富有立體感，可直接觀察各種試樣凹凸不平表面的細微結構；試樣制備簡單。

生物：種子、花粉、細菌；

醫學：血球、病毒；

動物：大腸、絨毛、細胞、纖維；

材料：陶瓷、高分子、粉末、金屬、金屬夾雜物、環氧樹脂；

化學、物理、地質、冶金、礦物、污泥（桿菌）、機械、電機及導電性樣品，如半導體(IC、線寬量測、斷面、結構觀察）電子材料等。

(2)真空穿透電極環氧樹脂擴展閱讀

透射電鏡的總體工作原理是：由電子槍發射出來的電子束，在真空通道中沿著鏡體光軸穿越聚光鏡，通過聚光鏡將之會聚成一束尖細、明亮而又均勻的光斑，照射在樣品室內的樣品上；透過樣品後的電子束攜帶有樣品內部的結構信息，樣品內緻密處透過的電子量少，稀疏處透過的電子量多；

經過物鏡的會聚調焦和初級放大後，電子束進入下級的中間透鏡和第1、第2投影鏡進行綜合放大成像，最終被放大了的電子影像投射在觀察室內的熒光屏板上；熒光屏將電子影像轉化為可見光影像以供使用者觀察。

掃描電子顯微鏡的製造依據是電子與物質的相互作用。掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描，激發出各種物理信息。通過對這些信息的接收、放大和顯示成像，獲得測試試樣表面形貌的觀察。

③ 電路中標注用電解電容,能用普通貼片電容代替嗎值一樣大!!

當然可以。問題在於，電解電容一般容量很大。你如果能找到知蠢纖容量一檔前樣大搭仿的自然可以。

④ 表面處理是做什麼的

表面處理是滿足產品的耐蝕性、耐磨性、裝飾或其他特種功能要求。

常見表面處理工藝有噴塗、電泳、植絨銷笑、水鍍、模外裝飾、真空鍍、I-SD系統、電鑄、自我修復鍍膜、IMD、防水鍍層、絲印、移印、水轉印、熱轉印、熱升華染料印刷、烤漆、氧彎鎮化、機械拉絲、鐳雕、高光切邊、批花、噴砂、腐蝕、拋光等。

生活中，通常用表面處理技術來改變固體材料的表面性質，以改善外觀，提高耐腐蝕性，虧鬧含耐磨損性，降低摩擦，提高硬度，提高表面疲勞強度和耐熱性。

(4)真空穿透電極環氧樹脂擴展閱讀：

表面處理技術可提供特殊的磁，光，電，熱等物理性能，甚至改變機械配合，修復磨損或拆車配件，因此，表面的表面處理技術也越來越廣泛的開發和應用。

表面處理工藝的原理是，讓某機械的氧化物層，金屬或非金屬層沉積在固體材料的表面上，以獲得金屬成分的具體特性和覆蓋層或材料處理層。其目的是要改變的物理，化學和視覺裝飾固體材料等的機械性能的表面特性。

⑤ 請問生產led都需要什麼原料，謝謝

LED封裝是將晶元置於反射杯內，粘結或燒結在引雀祥線架上，管芯的正極通過球形接觸點與金絲，鍵合為內引線與一條管腳相連，負極通過反射杯和引線架的另一管腳相連，然後其頂部用散射劑與經染料處理的環氧樹脂包封。

生產主要工藝過程：

第一步，先對晶元進行擴片，由於LED晶元在劃片後依然排列緊密間距很小（約0.1mm），不利於後工序的操作。我們採用擴片機對黏結晶元的膜進行擴張，把LED晶元的間距拉伸到約0.6mm。

第二步，在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠，將擴張後LED晶元安置在刺片台的夾具上，LED支架放在夾具底下，然後用真空吸嘴將LED晶元吸起並移動位置，再安置在相應的支架位置上。

第三步，打線壓焊。先在LED晶元電極上壓上第一點，再將金絲源虛或鋁絲拉到相應的支架上方，壓上第二點後扯斷，完成產品內外引線的連接工作。

第四步，LED的封裝和烘烤固化。

Lamp-LED的封裝採用灌膠封裝的形式：先在LED成型模腔內注入已調配好的液態環氧樹脂，然後插入壓焊好的LED支架，放入烘箱讓環氧樹脂固化後，將LED從模腔中脫出即成型。

SMD-LED採用模壓封裝的形式：將壓焊好的LED支架放入模具中，將上下兩副模具用液壓機合模並抽真空，將固態環氧樹脂放入注膠道的入口加熱用液壓頂桿壓入模具膠道中，環氧樹脂順著膠道進入各個LED成型槽中並固化。

第五步，進行排測，測試LED的光電參數、檢驗外形尺寸。

第六步，切筋和劃片，由於LED在生產中是連在一起的（不是單個），Lamp封裝LED採用切筋切斷LED支架的連筋。頃裂搏SMD-LED則是在一片PCB板上，需要劃片機來完成分離工作。

第七步，按正向電壓、主波長和發光強度進行分光分色，或根據客戶要求對LED產品進行分選。

第八步，進行品質檢查，並將LED成品進行計數包裝。

⑥ 電子顯微鏡為什麼不能觀察活性標本（簡答題8分）

透射掘信電鏡
生物標本
制陪握備過程⑴取材⑵固定:保持細胞內部結構不改變。（
戊二醛
：在蛋白質分子之間形成
共價
鍵,
將它們交聯在一起。
四氧化鋨
：除與蛋白共價結合外,還對脂類有良好的固定效果。）脫水：標本必須置於
高真空
中進行電鏡觀察,所以電鏡生物標本不能含水。梯度乙醇。包埋:
為使柔軟
生物組織
製成
超薄切片
（良好支撐）,並使切片耐受高真空、電子轟擊，應在切片前將標本進行包埋,常用環氧蘆散慶樹脂。切片:電子穿透力很弱,需將樣品製成40～50nm厚薄片。約為細胞的1/200厚度。染色:
生物分子
由
原子序數
低的輕元素組成，它們散射電子能力弱,在電鏡下幾乎不存在明暗反差,需加大生物樣品反差,進行染色。重金屬浸染。
(透射電鏡樣品提高反差的方法:⑴
負染
法⑵
冰凍蝕刻
)
掃描電子顯微鏡
標本制備：取材、清洗、
固定、乾燥、鍍膜
因為電鏡觀察所制備的的標本都是將細胞脫水後的死標本，所以不能觀察活性標本~

⑦ 電路板如何有效防水、防腐蝕

用派瑞林鍍膜吧！可以聯系我打版15323582123！Parylene是一種保護性高分子材料，中文名，聚對二甲苯敏冊冊，派瑞林它可在真空下橋宏氣相沉積，Parylene活性分子的良好穿透力能在元件內部、底部，周圍形成無針孔，厚度均勻的透明絕緣塗層，給元件提供一個完整的優質防護塗層，抵禦酸鹼、鹽霧、黴菌及各種腐蝕性氣件的侵害，因為Parylene不是液體，所以姿遲塗敷過程中不會聚集，橋接式形成彎月面。

⑧ Harrick等離子清洗的優勢在哪裡

等離子清洗在LED封裝工藝中的應用
來源：南京世鋒科技等離子研究中心 2009-10-21
________________________________________

（南京世鋒科技有限公司，南京 030026）
摘 要：LED封裝工藝過程中，支架、晶元表面的氧化物及顆粒污染物會降低產品質量，如果在封裝工藝過程中的點膠前、引線鍵合前及封裝固化前進行等離子清洗，則可有效去除這些污染物。介紹了等離子清洗原理及清洗設備，並對清洗前後的效果做了對比。
關鍵詞：等離子清洗；LED；封裝工藝

Application of Plasma Cleaning in LED Package Process
Wang Da-wei，Jia Juan-fang，Miao Dai
（The 2nd Research Institute of CETC，Taiyuan 030024，China）
Abstract：In LED package process, oxide and particle contamination on chip surface can rece quality, but RF plasma cleaning before dispensing、wire bonding or solidification could efficiently remove this contamination. This article introces plasma cleaning theory and equipment, and compares the effect after cleaning with it before.
Key words： Plasma Cleaning；LED；Package Process
0 引言
LED是可直接將電能轉化為可見光的發光器件，它有著體積小、耗電量低、使用壽命長、發光效率高、高亮度低熱量、環保、堅固耐用及可控性強等諸多優點，發展突飛猛進，現已能批量生產整個可見光譜段各種顏色的高亮度、高性能產品。近幾年，LED廣泛用於大面積圖文顯示屏，狀態指示、標志照明、信號顯示、汽車組合尾燈及車內照明等方面，被譽為21世紀新光源，然而在其封裝工藝中存在的污染物一直是其快速發展道路上的一隻攔路虎，如何能夠簡單快速及無污染的解決掉這個問題一直困擾著人們。等離子體清洗，一種無任何環境污染的新型清洗方式，將為人們解決這一問題。激春
1 LED的發光原理及基本結構
發光原理：LED（light emitting diode），拿帆發光二極體，是一種固態的半導體發光器件，它可以直接把電轉化為光，其核心部分是由p型半導體和n型半導體組成的晶片，在p型半導體和n型半導體之間有一個過渡層，稱為p-n結，因此它具有一般pn結的I-N特性，即正向導通、反向截至及擊穿特性，在一定條件下，它還具有發光特性。正向電壓下，這些半導體材料的pn結中，電流從LED陽極流向陰極，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多餘的能量以光的形式釋放出來。半導體晶體可以發出從紫外到紅外不同顏色的光線， 其波長和顏色由組明敏耐成pn結的半導體物料的禁帶能量所決定，而光的強弱則與電流有關。
基本結構：簡單來說，LED可以看作是將一塊電致發光的半導體材料晶元，通過引線鍵合後四周用環氧樹脂密封。其晶元及典型產品基本結構見圖1（晶元與透鏡間為灌封膠）。

2 LED封裝工藝
在LED產業鏈中，上游為襯底晶片生產，中游為晶元設計及製造生產，下游為封裝與測試。研發低熱阻、優異光學特性、高可靠的封裝技術是新型LED走向實用、走向市場的必經之路，從某種意義上講封裝是連接產業與市場之間的紐帶，只有封裝好才能成為終端產品，從而投入實際應用。LED封裝技術大都是在分立器件封裝技術基礎上發展與演變而來的，但卻與一般分立器件不同，它具有很強的特殊性，不但完成輸出電信號、保護管芯正常工作及輸出可見光的功能，還要有電參數及光參數的設計及技術要求，所以無法簡單地將分立器件的封裝用於LED。經過多年來的不斷研究與發展，LED封裝工藝也發生了很大的變化，但其大致可分為以下幾個個步驟：
Ø 晶元檢驗：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑；
Ø LED擴片：採用擴片機對黏結晶元的膜進行擴張，將晶元由排列緊密約0.1mm的間距拉伸至約0.6mm，便於後工序的操作；
Ø 點膠：在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠；
Ø 手工刺片：在顯微鏡下用針將LED晶元刺到相應的位置；
Ø 自動裝架：結合點膠和安裝晶元兩大步驟，先在LED支架上點上銀膠（絕緣膠），然後用真空吸嘴將LED晶元吸起移動位置，再安置在相應的支架位置上；
Ø LED燒結：燒結的目的是使銀膠固化，燒結要求對溫度進行監控，防止批次性不良；
Ø LED壓焊：將電極引到LED晶元上，完成產品內外引線的連接工作；
Ø LED封膠：主要有點膠、灌封、模壓三種，工藝控制的難點是氣泡、多缺料、黑點；
Ø LED固化及後固化：固化即封裝環氧的固化，後固化是為了讓環氧充分固化，同時對LED進行熱老化，後固化對於提高環氧與支架（PCB）的粘接強度非常重要；
Ø 切筋劃片：LED在生產中是連在一起的，後期需要切筋或劃片將其分離；
Ø 測試包裝：測試LED的光電參數、檢驗外形尺寸，根據客戶要求對LED產品進行分選，將成品進行計數包裝。
3 等離子清洗原理及設備
3.1 概述：是正離子和電子密度大致相等的電離氣體。由離子、電子、自由激進分子、光子以及中性粒子組成，是物質的第四態。人們普遍認為的物質有三態：固態、液態、氣態。區分這三種狀態是靠物質中所含能量的多少。給氣態物質更多的能量，比如加熱，將會形成等離子體，在宇宙中99.99％的物質處於等離子狀態。
3.2清洗原理：通過化學或物理作用對工件表面進行處理，實現分子水平的污染物去除（一般厚度為3～30nm），從而提高工件表面活性。被清除的污染物可能為有機物、環氧樹脂、光刻膠、氧化物、微顆粒污染物等。對應不同的污染物，應採用不同的清洗工藝，根據選擇的工藝氣體不同，等離子清洗分為化學清洗、物理清洗及物理化學清洗。
化學清洗:表面反應以化學反應為主的等離子體清洗，又稱PE。
例1：O2＋e－→ 2O※ +e－ O※＋有機物→CO2+H2O
從反應式可見，氧等離子體通過化學反應可使非揮發性有機物變成易揮發的H2O和CO2。
例2：H2+e-→2H※+e- H※+非揮發性金屬氧化物→金屬＋H2O
從反應式可見，氫等離子體通過化學反應可以去除金屬表面氧化層，清潔金屬表面。
物理清洗：表面反應以物理反應為主的等離子體清洗，也叫濺射腐蝕（SPE）。
例：Ar＋e-→Ar++2e- Ar++沾污→揮發性沾污
Ar+在自偏壓或外加偏壓作用下被加速產生動能，然後轟擊在放在負電極上的被清洗工件表面，一般用於去除氧化物、環氧樹脂溢出或是微顆粒污染物，同時進行表面能活化。
物理化學清洗：表面反應中物理反應與化學反應均起重要作用。
3.3等離子清洗設備
等離子清洗設備的原理是在真空狀態下，壓力越來越小，分子間間距越來越大，分子間力越來越小，利用射頻源產生的高壓交變電場將氧、氬、氫等工藝氣體震盪成具有高反應活性或高能量的離子，然後與有機污染物及微顆粒污染物反應或碰撞形成揮發性物質，然後由工作氣體流及真空泵將這些揮發性物質清除出去，從而達到表面清潔活化的目的。是清洗方法中最為徹底的剝離式清洗，其最大優勢在於清洗後無廢液，最大特點是對金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料等都能很好地處理，可實現整體和局部以及復雜結構的清洗。

4 等離子清洗在LED封裝工藝中的應用
LED封裝工藝直接影響LED產品的成品率，而封裝工藝中出現問題的罪魁禍首99%來源於支架、晶元與基板上的顆粒污染物、氧化物及環氧樹脂等污染物，如何去除這些污染物一直是人們關注的問題，等離子清洗作為最近幾年發展起來的清洗工藝為這些問題提供了經濟有效且無環境污染的解決方案。針對這些不同污染物並根據基板及晶元材料的不同，採用不同的清洗工藝可以得到理想的效果，但是錯誤的工藝使用則可能會導致產品報廢，例如銀材料的晶元採用氧等離子工藝則會被氧化發黑甚至報廢。所以選擇合適的等離子清洗工藝在LED封裝中是非常重要的，而熟知等離子清洗原理更是重中之重。一般情況下，顆粒污染物及氧化物採用5％H2+95%Ar的混合氣體進行等離子清洗，鍍金材料晶元可以採用氧等離子體去除有機物，而銀材料晶元則不可以。選擇合適的等離子清洗工藝在LED封裝中的應用大致分為以下幾個方面：
Ø 點銀膠前：基板上的污染物會導致銀膠呈圓球狀，不利於晶元粘貼，而且容易造成晶元手工刺片時損傷，使用等離子清洗可以使工件表面粗糙度及親水性大大提高，有利於銀膠平鋪及晶元粘貼，同時可大大節省銀膠的使用量，降低成本。
Ø 引線鍵合前：晶元粘貼到基板上後，經過高溫固化，其上存在的污染物可能包含有微顆粒及氧化物等，這些污染物從物理和化學反應使引線與晶元及基板之間焊接不完全或粘附性差，造成鍵合強度不夠。在引線鍵合前進行等離子清洗，會顯著提高其表面活性，從而提高鍵合強度及鍵合引線的拉力均勻性。鍵合刀頭的壓力可以較低（有污染物時，鍵合頭要穿透污染物，需要較大的壓力），有些情況下，鍵合的溫度也可以降低，因而提高產量，降低成本。
Ø LED封膠前：在LED注環氧膠過程中，污染物會導致氣泡的成泡率偏高，從而導致產品質量及使用壽命低下，所以，避免封膠過程中形成氣泡同樣是人們關注的問題。通過等離子清洗後，晶元與基板會更加緊密的和膠體相結合，氣泡的形成將大大減少，同時也將顯著提高散熱率及光的出射率。
通過以上幾點可以看出材料表面活化、氧化物及微顆粒污染物的去除可以通過材料表面鍵合引線的拉力強度及侵潤特性直接表現出來。
某幾家LED廠產品封裝工藝中以上幾點工藝前添加等離子清洗，測量鍵合引線的拉力強度與未進行等離子清洗相比，鍵合引線拉力強度有明顯增加，但由於產品不同，所以增加的幅度也大小不等，有的只增加12％，有的卻可以增加80％，也有的廠家測量的數據反映平均拉力沒有明顯增加，但是最小鍵合拉力卻明顯提高，對於確保產品可靠性來說，這仍然是十分有益的。圖3為某LED廠家一批氧化的LED等離子清洗前後對比，圖4為某LED廠家對一批LED在等離子清洗前後進行的鍵合引線拉力對比圖。

等離子清洗過後，檢測晶元與基板清洗效果的另一指標為其表面的浸潤特性，通過對幾家產品進行實驗檢測表明未進行等離子清洗的樣品接觸角大約為40°~68°左右;表面進行化學反應機制等離子體清洗的樣品接觸角大約為10°～17°左右；表面進行物理反應機制等離子體清洗過的樣品接觸角為20°～28°左右。不同廠家、不同產品及不同清洗工藝的清洗效果是不同的，浸潤特性的提高表明在上述幾點封裝工藝前進行等離子清洗是十分有益的。圖5為等離子清洗前後在某種LED工件表面滴落7微升純凈水並利用接觸角檢測儀進行檢測的接觸角對比。

5 結束語
近年來，由於半導體光電子技術的進步，LED的發光效率迅速提高，預示著一個新光源時代即將到來。就發光二極體的技術潛力和發展趨勢來看，其發光效率將達到400lm/w以上，遠遠超過當前光效最高的高強度氣體放電燈，成為世界上最亮的光源。因此，業界認為，半導體照明將創造照明產業的第四次革命。而有利於環保、清洗均勻性好、重復性好、可控性強、具有三維處理能力及方向性選擇處理的等離子清洗工藝應用到LED封裝工藝中，必將推動LED產業更加快速的發展。

參考文獻：
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⑨ 真空斷路器的工作原理特別是跳閘線圈和合閘線圈的原理

斷路器處於合閘位置時，其對地絕緣由支持絕緣子承受，一旦真空斷路器所連接的線路發生永久接地故障，斷路器動作跳閘後，接地故障點又未被清除，則有電母線的對地絕緣亦要由該斷路器斷口的真空間隙承受；各種故障開斷時，斷口余慎一對觸子間的真空絕緣間隙要耐受各種恢復電壓的作用而不發生擊穿。因此，真空間隙的絕緣特性成為提高滅弧室斷口電壓，使單斷口真空斷路器向高電壓等級發展的主要研究課題。 關鍵詞： 真空斷路器 絕緣特性 斷口電壓 無標題文檔 真空斷路器處於合閘位置時，其對地絕緣由支持絕緣子承受，一旦真空斷路器所連接的線路發生永久接地故障，斷路器動作跳閘後，接地故障點又未被清除，則有電母線的對地絕緣亦要由該斷路器斷口的真空間隙承受；各種故障開斷時，斷口一對觸子間的真空絕緣間隙要耐受各種恢復電壓的作用而不發生擊穿。因此，真空間隙的絕緣特性成為提高滅弧室斷口電壓，使單斷口真空斷路器向高電壓等級發展的主要研究課題。 真空度的表示方式 絕對壓力低於一個大氣壓的氣體稀薄的空間，稱為真空空間，真空度越高即空間內氣體壓強越低。真空度的單位有三種表示方式:托(即1個mm水銀柱高)，毫巴(103bar)或帕(帕斯卡:Pa)。(1托=131。6Pa，1毫巴=100Pa)我們通常所說真空滅弧室內部的真空度要達10-4托是指滅弧室內的氣體壓強僅為"萬分之一mm水銀柱高"，亦即是1。31x10-2Pa。 "派森定理"亦有譯為"巴申定律"，是指間隙電壓耐受強度與氣體壓力之間的關系。圖1表示派森定理的關系曲線呈"V"字形，即充氣壓力的增加或降低，都能提高極間間隙絕緣強度。其擊穿機理至今還不清楚，因為真空滅弧室內部真空度高於10-4托，這樣稀薄空氣的空間，氣體分子的自由行程為103mm，在真空滅弧室這么大小的容積內，發生碰撞的機率幾乎是零。因此不會發生碰撞游離而使真空間隙擊穿。派森定理的"V"形曲線是實驗得出的，條件是在均勻電場的情況下，其間隙擊穿電壓Uj可表示為: Uj=KLa L------間隙距離； a------間隙系數(間隙<5mm時a=1，>5mm時，a=0。5) 由派森定理的"V"形關系曲線中看出，當真空度達103托時出現拐點，拐點附近曲線變得平坦，擊穿電壓幾乎無變化。 當真空度和間隙距離相同時，其擊穿電壓則隨觸頭電極材料發生變化，電極材料機械強度高，熔點高時，真空間隙的擊穿電壓亦隨之提高。 真空絕緣的破壞機理 前面已說過，在真空滅弧室這樣高度真空度的空間內，氣體分子的自由行程很大，不會發生碰撞分離而使真空間隙在高壓電作用下會擊穿又是客觀存在，於是就有種解釋真空絕緣會破壞的機理，場致發射引起擊穿，微塊引起擊穿和微放電導致擊穿。 場致發射論對真空間隙所以能發生擊穿的解釋 間隙電場能量集中，在電極微觀表面的突出部分發生電子發射或蒸發逸出，撞擊陽極使局部發熱，繼續放出離子或蒸汽，正離子再撞擊陰極發生二次發射，相互不斷積累，最後導致間隙擊穿。 著名的Fowler and Noraheim場發射電流I表達式為: I=AE2e-B/E 式中 E------電場強度； A------常數，與發射點的面積有關； B------常數，與電極表面的逸出有關。 在小的間隙(<1mm)及短脈沖電壓情況下，可以合理地認為真空間隙擊穿是由場致發射引起的，但在長間隙及連續加壓與長脈沖電壓下，有的學者認為真空的擊穿尚存在其它機理: (1)陰極引起的擊穿；在強電場下，由於場發射電流的焦耳發熱效應，使陰極表面突出物的溫度升高，當溫度達到臨界點時，突出物熔化產生蒸汽引起擊穿。 (2)陽極引起的擊穿:由於陰極發射絕腔的電子束，轟擊陽極使某點發熱產生熔化和蒸汽而發生間隙擊穿。產生陽極引起擊穿的條件與電場提高系數和間隙距離有關。 微塊引起擊穿的解釋 假設在電極表面附著較輕松的微塊，在電場作用下，微塊脫落而且加速，這微塊撞擊對面的電極時，由於沖擊發熱可使其本身熔化產生蒸汽，引起擊穿。 微放電導致真空間並毀衫隙擊穿的解釋 電極的陰極表面沾污，將發生微放電現象。微放電是一種小的自抑制熄滅的電流脈沖，它的總放電電荷3107C，存在時間由50ms到幾ms，放電一般發生在大於1mm的間隙中。 這些真空間隙的擊穿機理表明，真空電極的材料與電極的表面狀況對真空間隙的絕緣都是非常關鍵的因素。 真空間隙的絕緣耐受能力與在先的分合閘操作工況有關 真空斷路器接觸間隙的擊穿電壓，因耐壓實驗前不同工況的分合閘操作有相應的不同結果，義大利哥倫布(Colombo)工程師在設備討論會上有文論述過這方面的問題:試驗對象是24KV斷路器，銅鉻觸頭，額定開斷電流16KA，額定電流630A，觸頭開距15。8mm，觸頭分閘速度1。1m/s，合閘速度為0。6m/s。試驗程序列於表1。 在關合---分閘操作(試驗系列2~5)後產生的最大擊穿電壓比空載循環(試驗系列1)後給出的數值低，這意味著觸頭擊穿距離受電弧電流的影響而減小；同時，系列2和系列5所測得的數值亦小於系列3和系列4的試驗值，而電流過零波形和極性似乎無明顯影響。試驗結果證實了開閉操作的形式對斷路器觸頭之間的絕緣耐受能力有影響，擊穿電壓在30~50kV范圍內，擊穿距離為0。6~2mm之間，擊穿時觸頭的電場強度為25~44kV。 表1試驗程序及內容表 試驗序號 試驗電流 項號 操作/試驗順序 1 1-1 1-2 1-3 1-4 合閘-分閘 沖擊絕緣電流 1分鍾工頻試驗 高頻熄弧能力試驗 2 100%額定開斷電流 2-1 2-2 2-3 2-4 關合--開斷 沖擊絕緣試驗 1分鍾工頻試驗 高頻熄弧能力試驗 3 30%額定開斷電流 用30%額定開斷電流值，不同的電流波極性按2。1~2。4逐項試驗 4 10%額定開斷電流 用60%額定開斷電流值重復進行2。1~2。4的逐項試驗 義大利哥倫布工程師上述實驗的結果表明，真空開關在開斷大電流後，其真空減小絕緣強度會下降是一種普遍現象。因此，我國早期的真空斷路器在開斷故障後，間隙絕緣會下降，達不到產品技術條件的絕緣水平，故能源部對戶內高壓真空斷路器訂貨要求(部標DL403--91)允許在真空斷路器電壽命試驗後，極間耐壓值降為原標準的80%作試驗，如果通過，就認為該斷路器的型式試驗合格。那麼，如何解釋目前許多真空斷路器製造廠在作產品介紹時，反復強調它們的真空斷路器電壽命試驗後，間隙的絕緣強調不降低呢?我們以10kV真空斷路器為例來對此作說明:真空滅弧室經過技術和工藝改進，極間絕緣水平同早期產品比較，提高很多例如可達到A值，遠比產品標准規定的耐壓值C(工頻42kV，沖擊75kV)高得多，出廠新品按C值試驗當然不會擊穿，電壽命試驗後，間隙絕緣水平由A值降為B值，但B值>C值，故按C值去校核其絕緣，試驗時亦不會發生擊穿。而老產品的A值是大於C值，出廠新品按C值考核，當然能通過，開斷故障後，由A值降到B值。熱B<C值，就出現了我們通常所說的絕緣水平下降。就表明其產品質量差而應該予以淘汰。 提高真空滅弧室絕緣耐受能力的措施 真空斷路器要向高電壓使用領域發展，提高真空滅弧室斷口極間絕緣耐受能力製成額定電壓較高的單獨斷口真空滅弧室的經濟意義是巨大的，不但可減少串聯斷口的數量，而且使斷路器結構簡單，從而提高了設備可靠性並使設備造價亦相應降低。提高單斷口真空滅弧室的絕緣耐受能力主要在下列三方面採取措施。 真空滅弧室內觸頭間耐壓強度的提高 前面以說過，在滅弧室內部高度真空的情況下，觸頭間存在的氣體非常稀少，不會受極間電壓而產生游離，但極間發生擊穿是客觀存在，從而產生幾種真空絕緣破壞機理的解釋。真空間隙實際擊穿時，有可能是幾種機理同時發生作用，而且擊穿途徑中總是有游離氣體存在，這是由施加電壓後產生的金屬蒸汽或觸頭釋放了所吸附的氣體提供的。基於此點出發，採取下列措施以提高真空滅弧室觸頭間隙的耐壓性能: (1)選擇熔點或沸點高，熱傳導率小，機械強度和硬度大的觸頭材料； (2)預先向觸頭間隙施加高電壓，使其反復放電，使觸頭表面附著的金屬或絕緣微粒熔化，蒸發，即所謂"老煉處理"； (3)清除吸附在觸頭或滅弧室表面上的氣體，即進行加熱脫氣處理； (4)選擇合適的觸頭形狀，改善觸頭的電場分布。 提高開斷電流後觸頭極間的絕緣恢復速度 通常斷路開斷電流成功的關鍵在於電弧電流過零後，觸頭間隙絕緣恢復速度快於觸頭間隙間的暫態恢復電壓速度，就不會發生重燃而達到成功開斷。真空滅弧室開斷電流時，電弧放出的金屬蒸汽在電弧電流過零時會迅速擴散，遇到觸頭或屏蔽罩表面會立即凝結。因此欲求在開斷電流相應的觸頭尺寸，材質，形態，觸頭間隙以及電流開斷時產生的金屬蒸汽密度，帶電粒子密度等影響因素進行反復實驗取得試驗數據作分析研究。發現觸頭直徑越大且觸頭間隙越小，電流開斷後的絕緣強度恢復越快；縱向磁場觸頭結構的採用，有極為良好的弧後絕緣恢復特性。 提高真空滅弧室的外部絕緣 真空滅弧室的外部表面，如處於正常的大氣之中，則絕緣耐壓是很低的，不能適合高電壓條件下使用，隨著真空斷路器向高電壓，小型化方向發展，對真空滅弧室外部表面採取下列強化措施: (1)用環氧樹脂絕緣包裹真空滅弧室陶瓷外殼表面，環氧樹脂具有高絕緣性能，其沖擊電壓為50kV/mm，工頻耐壓為30kV/mm，而且其製品機械強度高，澆注加工性能好，可以較容易成型復蓋於陶瓷外殼表面，從而達到滅弧室外表面絕緣強化的目的。並提高了耐污性能，使所需對地絕緣更趨合理化。戶外真空斷路則往往採用帶有裙邊的硅膠外套作管，復蓋於陶瓷外殼的表面，具有更好的抗霧閃性能，但機械強度則不如環氧樹脂制間。 (2)將真空滅弧室置於SF6氣體之中，使陶瓷外殼為SF6氣體所包圍，由於SF6氣體只起絕緣作用，其充氣壓力一般是不高的

⑩ 等離子清洗機應用領域及作用

等離子清洗機廣泛用於LED,LCD， LCM，手機配件，筆記本電腦按鍵及外殼，光學元器件，光學鏡片，電子晶元，集成電路，五金，精密零件，塑膠製品，生物材料，醫療器皿，晶圓等的表面處理。 經過等離子處理的物件表面活化效果最好，物件的水浸潤效果也是最佳的。如微晶玻璃，光學鏡片鍍臘粘接前等離子處理，能有效提升產品品質。