『壹』 半導體晶元製造廢水處理方法
晶元製造生產工藝復雜，包括矽片清洗、化學氣相沉積、刻蝕等工序反復交專叉，生產中使屬用了大量的化學試劑如HF、H2SO4、NH3・H2O等。
所以一般晶元製造廢水處理系統有含氨廢水處理系統+含氟廢水處理系統+CMP研磨廢水處理系統。具體方案可以咨詢澤潤環境科技（廣東）有限公司網頁鏈接
『貳』 請問半導體工藝廢氣如何處理
半導體廢氣處理廢氣介紹：由於半導體工藝對操作室清潔度要求極高，通常使用風機抽取工藝過程中揮發的各類廢氣，因此半導體行業廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點。廢氣排放也以揮發為主。這些廢氣主要可以分為四類：酸性廢氣、鹼性廢氣、有機廢氣和有毒廢氣。廢氣危害：半導體製造工藝中產生的廢氣如果沒有經過很好的處理進行排放，將造成嚴重的問題，不僅影響人們的身體健康，惡化大氣環境，造成環境污染的公害事件等，也會成為半導體製造中AMC污染的重要來源。處理方法：依據這些廢氣的特性，在處理上採用水洗、氧化/燃燒、吸附、解離、冷凝等方法，針對不同污染物，可採取以下綜合處理方法：1.一般排氣系統 2.酸性、鹼性廢氣處理系統 3.有機廢氣處理系統
『叄』 有人了解半導體超純水清洗廢水回用處理生產用水國家標准嗎
關於半導體超純水清洗廢水回用處理的相關信息，可以登錄相關網站查詢，如http://www.cncsyh.com或者http://www.purewaterone.com等網專站上面都介紹屬的比較詳細！
『肆』 如何處理PET清洗後的廢水,也就是說處理處理掉其中的表面活性劑呢
超高壓清洗機PET清洗行業是把垃圾送上殿堂的行業，其要求比一般的加工行業要求更高！ 以下為重點設施的要求：首先是料場的選擇，一般的小型清洗工廠（日產2—3噸）也要3-5畝的堆料場地，太小了就會影響生產。大型洗料廠堆料的場地就更大了。所以，在籌建清洗工廠的時候，首先要考慮的就是料場的問題。其次是車間，小型pet清洗流水線要求的車間面積要150平米左右，要求硬化地面，干凈、整潔。不然造成二次污染後，只有低價銷售，把很好的原料做成次品。真正的清洗工廠對車間的要求非常嚴格，只有做到和食品工廠差不多的干凈程度，才能做出高質量的瓶片。決不允許有二次污染的情況發生。當然從廢料到成品是一個很復雜的過程，要做出高質量的產品，要經過十幾道工序才能完成，正規的清洗工廠用電量是很大的，一般的小型清洗流水線加上粉碎部分，高壓清洗機配件用電也要在80KW左右，在電力緊張的地方，首先要解決電的問題，才能考慮上這個項目。還有就是清洗一噸PET瓶片用水是5—10噸左右，即使是現在最好的設備，用水量也不能少於3噸，在水源緊張的地方，上這個項目有一定的困難。
最後就是排水問題，清洗廢水裡含有鹼、磷、表面活性劑、油脂等化學物質，還有大量的沙土等臟東西，這種廢水可以用於農田、樹木的灌溉，可以增加土壤養分，增加土地肥力（高壓水清洗機含鹼太高的除外）。也可以放入廢水坑裡自然蒸發。但不可放入江河湖海等水源里，這樣會造成水質的富營養化，破壞生態平衡。在建設清洗工廠的時候，要考慮好排水的問題。以免造成環境污染。 綜上所述，清洗工廠必須要符合料場、車間、電力、給水、排水這5個建設的基本要求才可以。所以建設PET清洗工廠的基礎設施是需要高標准、嚴要求的，一點也馬虎不得。
『伍』 半導體化學原料的成份，需要了解。
環氧塑封料的工藝選擇
1.1 預成型料塊的處理
（1） 預成型塑封料塊一般都儲存在5℃-10℃的環境中，必會有不同程度的吸潮。因此在使用前應在乾燥的地方室溫醒料，一般不低於16小時。
（2）料塊的密度要高。疏鬆的料塊會含有過多的空氣和濕氣，經醒料和高頻預熱也不易揮發干凈，會造成器件包封層內水平增多。=>半導體,微電子,集成電路,IC,工藝,設計,器件,封裝,測試,
（3） 料塊大小要適中，料塊小，模具填充不良；料塊大，啟模困難，模具與注塑桿沾污嚴重並造成材料的浪費。
1.2 模具的溫度半導體,微電子,集成電路,IC,工藝,設計,器件,封裝,測試, 生產過程中，模具溫度控制在略高於塑封料玻璃化溫度Tg時，能獲得較理想的流動性，約160℃-180℃。模具溫度過高，塑封料固化過快，內應力增大，包封層與框架粘接力下降。同時，固化過快也會使模具沖不滿；模具溫度過低，塑封料流動性差，同樣會出現模具填充不良，包封層機械強度下降。同時，保持模具各區域溫度均勻是非常重要的，因為模具溫度不均勻，會造成塑封料固化程度不均勻，導致器件機械強度不一致
1.3 注塑壓力=>半導體,微電子,集成電路,IC,工藝,設計,器件,封裝,測試,注塑壓力的選擇，要根據塑封料的流動性和模具溫度而定，壓力過小，器件包封層密度低，與框架黏結性差，易發生吸濕腐蝕，並出現模具沒有注滿塑封料提前固化的情況；壓力過大，對內引線沖擊力增大，造成內引線被沖歪或沖斷，並可能出現溢料，堵塞出氣孔，產生氣泡和填充不良。1.4 注模速度
注模速度的選擇主要根據塑封料的凝膠化時間確定。凝膠化時間短，注模速度要稍快，反之亦然。注模要在凝膠化時間結束前完成，否則由於塑封料的提前固化造成內引線沖斷或包封層缺陷。1.5 塑封工藝調整=>半導體,微電子,集成電路,IC,工藝,設計,器件,封裝,測試,在實際生產過程中出現如表1所示情況時，可對工藝條件進行適當調整。對工藝調整的同時，還應注意到預成型料塊的保管、模具的清洗、環境的溫濕度等原因對塑封恭工序的影響。
2 塑封料性能對器件可靠性的影響
2.1 塑封料的吸濕性和化學粘接性 對塑封器件而言，濕氣滲入是影響其氣密性導致失效的重要原因之一。濕氣滲入器件主要有兩條途徑（1） 通過塑封料包封層本體；
（2） 通過塑封料包封層與金屬框架間的間隙。當濕氣通過這兩條途徑到達晶元表面時，在其表面形成一層導電水膜，並將塑封料中的Na+、CL-離子也隨之帶入，在電位差的作為下，加速了對晶元表面鋁布線的電化學腐蝕，最終導致電路內引線開路。隨著電路集成度的不斷提高，鋁布線越來越細，因此，鋁布線腐蝕對器件壽命的影響就越發嚴重。 針對上述問題，我們必須要求：=>半導體,微電子,集成電路,IC,工藝,設計,器件,封裝,測試,
（1） 塑封料要有較高的純度，Na+、CL離子降至最低（2） 塑封料的主要成分環境標環氧樹脂與無機填料的結合力要高，以阻止濕氣由本體的滲入。,MEMS（3） 塑封料與框架金屬要有較好的粘接性；
（4） 晶元表面的鈍化層要盡可能地完善，其對濕氣也有很好的屏蔽作用
2.2 塑封料的內應力
由於塑封料、晶元、金屬框架的線膨脹系數不匹配而產生的內應力，對器件密封性有著不可忽視的影響。因為塑封料膨脹系數（20-26E-6/℃）比晶元、框架（-16E-6/℃）的較大，在注模成型冷卻或在器件使用環境的溫差較大時，有可能導致壓焊點脫開，焊線斷裂甚至包封層與框架粘接處脫離，由此而引起其器件失效。由此可見，塑封料的線膨脹系數應盡可能的低，但這個降低是收到限制的，因為在降低應力的同時，塑封料的熱導率也隨之降低，這對於封裝大功率的器件十分不利，要使這兩個方面得以兼顧，取決於配方中填料的類型和用量。填料一般為熔融型或結晶型硅粉，在某些性能需要方面有時候還需要添加球形或氣相硅粉。
2.3 塑封料的流動性注塑時模具溫度在160℃-180℃，塑料呈熔融狀態，其流動性對注模成功與否至關重要，流動性低於焊線沖擊增大（金絲抗拉力5g-12g），焊線易被沖歪或沖斷，並易造成模具沖不滿，包封層表面出現褶皺和坑窪；流動性過高，溢料嚴重，當溢料過早地將模具出氣孔堵塞時，空氣排不盡，包封層會出現氣孔或氣泡。
在塑封料諸成分中，對流動性起主要作用的是主體環氧樹脂的熔融黏度和填料二氧化硅的用量和顆粒粗細。結晶型硅粉具有高導熱性，但黏度高，比重大，流速下降。熔融型硅粉流動性好，但導熱差。因此在世紀生產中應根據封裝器件性能不同選擇使用，包括兩者的混合使用。 3 總結 對於封裝工藝的選擇，我們一旦了解了封裝過程中的幾個主要影響因素，在封裝過程中就可根據不同的地域、不同的環境和氣侯，而進行不同的工藝調整。同時，對封裝人員來說也要加強對環氧塑封料的認識。
塑封膠一般是改性聚丁二烯，清模膠是含二氮雜雙環化合物，綜合來說這些膠類都是有機聚合物，化學元素就是C,H,N，有時根據膠的要求會加入S，Cl等元素，大部分對身體有害。
前面的工藝確實不了解，只能網路搜一下給你了
『陸』 光伏和半導體產業中的廢水處理
光伏行業和半導體產業。你是指的整個產業鏈的廢水嗎？所有半導體產業中，使內用的都容是純水，也就是去離子水，都電子級標准。污水主要還是以酸性和鹼性的為主，沒有重金屬污染。但是會有一些固體廢棄物。國家環保部門有污水廢氣的排放標准。
『柒』 電子半導體廢水的處理
大多用石灰，實現酸鹼中和，中間的金屬離子就不知道了。
『捌』 半導體製造，DNS清洗機是做什麼的使用哪些液另外IPA在清洗工序中是什麼意思
DNS是廠商名字，中文叫迪恩士,12寸里它為主流設備，其主要主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸鹼液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質，去離子,去原子，最後還有DI清洗。IPA是異丙醇，用於乾燥，其乾燥槽叫做LPD,為其專利，全名為LOW PRESSURE DRY,低壓乾燥
『玖』 如何處理半導體(LED)廢水
隨著單個LED光通亮和發光效率的提高，即將進入普通室內照明、台燈、筆記本電腦背光源、大尺寸LED顯示器背光源等市場廣闊。 LED生產過程中絕大部分廢水產生在原材料和晶元製造過程中，分為拉晶、切磨拋和晶元製造，主要含一般酸鹼廢水、含氟廢水、有機廢水、氨氮廢水等幾種水質，在黃綠光晶片製造過程中還會有含砷廢水排出。 2、LED晶元加工廢水特點：主要污染物為LED晶元生產過程中排放的大量有機廢水和酸鹼廢水，另有少量含氟廢水。有機廢水主要污染物為醇、乙醇、雙氧水;酸鹼廢水中主要污染物為無機酸、鹼等。 3、LED切磨拋廢水特點：主要污染物為大量清洗廢水，主要成分為硅膠、弱酸、硫酸、鹽酸、研磨砂等。 4、酸鹼廢水排放：主要包括工藝酸鹼廢水、廢氣洗滌塔廢水、純水站酸鹼再生廢水，採用化學中和法處理。 含砷廢水：主要來自背面減薄及劃片/分割工序，採用化學沉澱法處理。 一般廢水：排放方式均為連續排放，主要指純水站RO濃縮廢水主要污染物為無機鹽類，採用生化法去除。 含氟廢水：主要清洗廢水中含有HF，使用混凝沉澱去除。 高氨氮廢水：使用折點加氯法，將廢水中的氨氮氧化成N2。投加過量氯或次氯酸鈉，使廢水中氨完全氧化為N2的方法，稱為折點氯化法，其反應可表示為： NH4+十1.5HOCl→0.5N2十1.5H2O十2.5H+十1.5Cl-5、案例： 5.1、LED生產加工之藍寶石拉晶廢水 污水水質、水量： 水量：480t/d;20t/h(24小時連續)廢水水質：PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為：處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應，達到工藝要求後進入有機廢水調節池。人工收集到含氟廢水收集池，加葯劑進行沉澱。上清液達標排放，污泥排入污泥濃縮池處理。 利用有機廢水調節池的池容增加生化處理功能，向池內投加厭氧性水解菌，池內配置穿孔水力攪拌系統以加強傳質，為後繼處理單元提供部分水解處理服務。 廢水經過調節後經泵提升進入進入厭氧水解池。 厭氧水解池採用上向流布水形式，利用循環管網系統加強池底部的混流強度，提高反應器內的傳質效果。利用微生物的水解酸化作用將廢水中難降解的大分子有機物轉化為易降解的小分子有機物，將復雜的有機物轉變成簡單的有機物，提高廢水的可生化性，有利於後續的好氧生化處理。出水自流進入接觸氧化池。接觸氧化池的混合液進入二沉池進行泥水沉澱分離。為保證COD排放達標的處理要求，將二沉池出水導入BAF進行處理。生物曝氣濾池的出水流入清水池，為生物曝氣濾池提供濾料的反沖洗水，其餘的清水達標排放。 5.2、LED生產加工之切磨拋廢水 污水水質、水量： 水量：432t/d;18t/h(24小時連續)廢水水質：1PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為：處理工藝根據業主廢水的水質情況，在吸取以往同類廢水處理裝置設計的成功經驗和一些同類廢水處理裝置的實際運行經驗，設計污水處理主體工藝路線如下： 格柵池+清洗廢水調節池+反應池+物化沉澱池達標排放 污泥處理主體工藝採用工藝路線為： 污泥濃縮+污泥調理+板框壓濾泥餅外運 5.3、LED生產加工之晶元廢水 污水水質、水量： 有機廢水水量：19.4t/h(24小時連續)水質：PH值6.0-8.0無量綱 酸鹼廢水水量：70t/h(24小時連續)水質：PH值4.0-11.0無量綱 含氟廢水水量：4t/h(24小時連續)水質：PH值2.0-4.0無量綱 氟化物≤200mg/L處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應，達到工藝要求後達標排放。含氟廢水收集調節後與投加的葯劑反應生成不溶性氟化物沉澱，上清液達標排放。