如何提升反相器上升延迟时间

❶ cmos反相器怎样才能有相同的上升和下降时间

t=Q/I，要使得他们具有相同的上升和下降时间， 意味着充放电的电流要一样，也就是pmos的电流和nmos一样，I(p)=k*Up*W/L,I(n)=k*Un*W/L,所以Wp=k*Un/Up*Wn

❷ 由多个反相器组成环形振荡器的方法测量平均传输延迟时间的原理是

电路延迟导致相位变化，当多反相器级联将导致相位变化逐渐增加，当相位变化到与初始相位相差180度时，就构成了振荡电路的一个条件，环路增益大于1就能实现振荡了

环形振荡器原理

电容电压不能突变，可以用来传输振荡翻转时的跳变信号。
上图通过电容，第1第3反相器形成正反馈，而第2反相器由于有电阻隔离，对第3反相器的输入影响很小，只能在稳态下，慢慢向电容充电，控制振荡翻转周期。
下图中，3个反相器形成负反馈，不能震荡，尽管第1反相器通过电容送来的信号算正反馈，但被电阻阻挡，信号很小，拗不过第2反相器的输出能力，不能改变第2反相器的输出状态。信号只能通过第2反相器传递，故没有正反馈，也就不能震荡。

❸ 反相器为什么可以提升带负载能力说简单点，帮助理解，谢谢~

反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。

组成结构：

典型TTL与非门电路电路组成

输入级——晶体管T1和电阻Rb1构成。

中间级——晶体管T2和电阻Rc2、Re2构成。

输出级——晶体管T3、T4、D和电阻Rc4构成，推拉式结构，在正常工作时，T4和T3总是一个截止，另一个饱和。

工作原理：

当输入Vi=3.6V(高电平)

Vb1=3.6+0.7=4.3V 足以使T1(bc结)T2(be结)T3 (be结)同时导通, 一但导通Vb1=0.7+0.7+0.7=2.1V(固定值),此时V1发射结必截止(倒置放大状态)。

Vc2=Vces+Vbe2=0.2+0.7=0.9V 不足以T3和D同时导通,

反相器

T4和D均截止。

V0=0.2V (低电平)

当输入Vi=0.2V(低电平)

Vb1=0.2+0.7=0.9V不 足以使T1(bc结)T2(be结)T3 (be结)同时导通,

T2 T3均截止, 同时Vcc---Rc2----T4---D---负载形成通路,

T4和D均导通。

V0=Vcc-VRc2(可略)-Vbe4-VD=5-0.7-0.7 =3.6(高电平)

结论:输入高,输出低;输入低,输出高(非逻辑)

❹ 有较低vol的反相器总有较短的从高到低的开关时间吗

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文档介绍：CMOS反相器. * energy-delay energy delay 0 5 10 15 0.5 1 1.5 2 2.5 Vdd (V) Energy-Delay (normalized) 例5.15 0.25?m CMOS反相器的最优电源电压 VTn=0.43V, VDsatn=0.63V, VTEn=0.74V, VTp=-0.4V, VDsatp=-1V, VTEp=-0.9V, VTE≈(VTEn+|VTEp|)/2=0.8V 因此，VDDopt=(3/2) ×0.8V=1.2V 所预测的最优电源电压为1.1.V Energy-Delay Energy Delay END * 阻抗是电路或设备对交流电流的阻力，输出阻抗是在出口处测得的阻抗。阻抗越小，驱动更大负载的能力就越高。 输入阻抗是在入口处测得的阻抗。高输入阻抗能够减小电路连接时信号的变化，因而也是最理想的。 CMOS反相器. * 5.4.3 从设计角度考虑传播延时 NMOS与PMOS的比 使PMOS管较宽，以使它的电阻与下拉的NMOS管匹配。这通常要求PMOS和NMOS的宽度比在3~3.5之间 对称VTC 由高至低与由低至高的传播延时相等 如果对称性和噪声容限不是主要的考虑因素，那么实际上有可能通过减少PMOS器件的宽度来加快反相器的速度 使PMOS较宽因充电电流的增加而改善了反相器的tpLH，但它也由于产生较大的寄生电容而使tpHL变差 ? = (W/L) p/(W/L) n r = Reqp/Reqn (代表尺寸完全相同的PMOS和NMOS晶体管的电阻比) ?opt = ?r (当导线电容可以忽略时) CMOS反相器. * 例5.6 确定以相同门为负载的CMOS反相器的尺寸 图5.18 CMOS反相器的传播延时与PMOS对NMOS管比值β的关系 ? = (W/Lp)/(W/Ln) tp(sec) ?

❺ 若一个CMOS反相器中的pFET和nFET尺寸相同，则上升时间和下降时间的关系如何

若Wn/Ln=Wp/Lp, 则pFET和nFET电流大小取决于载流子迁移率Un/Up，一般情况下，Un〉Up，所以Tfall<Trise

❻ fpga中一个非门延时多长时间

具体延迟时间与FPGA芯片采用的工艺有关，有些型号时间短些，有些就长一些。

❼ 请教高手，图片中20kHz的波形如何使其幅度变的更小，甚至为0V，而且，接下来的上升沿时间如何缩短拜托

看下面这个波形应该是0到3V左右的波形，20khz电压峰值大约在1V以内，用一片74HC14施密特反相器即可去除这些尖峰，在5V电源下，74HC14的正翻转阈值大约为1.7V，这样当信号高于这个电压时U1A输出低电平，当信号低于大约为1V左右的负翻转阈值时U1A输出高电平，而尖峰电压由于低于正翻转阈值，所以此期间一直输出高电平，同时缓慢上升的波形也会被整形成更加陡的上升沿，反向的信号通过U1B被还原成与输入信号同方向的脉冲。

❽ 关于CMOS中上升时间和下降时间的提问

第一个关系比较相关，第二个相关性较低。

学好理科的方法：

1、想比别人优秀，就一定要比别人付出得多。状元林茜并不提倡过度熬夜学习，一定要保证充足的休息，高效率的学习才最关键，上课的时候集中精力听讲是自己成绩优秀的根本。

2、学习就是紧跟老师，他觉得对于学习来说，计划是最重要的，而且越细越好。他会每天都安排好自己的学习，到了高考前夕，这个计划甚至会具体到每天几点到几点干什么。

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4、整理错题，而且把自己的错题本当成宝贝来看待。平时在学习中做错的题，林佳瑞把它们抄下来，定期拿出来分析，不断巩固复习，最终达到了查漏补缺的效果。

❾ 反相器的传输延时跟哪些因素有关如何计算

降低反相器传播延时的措施：
减小CL：扩散电容、互连线电容、扇出电容
增加MOS管的W/L，即减小Reqn和Reqp
提高VDD，即对RC电路的充电速度变快
反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成。典型TTL与非门电路电路由输入级、中间级、输出级组成。
随着微电子技术与工艺的不断发展和创新，以计算机为代表的各类数字电子产品应用越来越广泛，与此同时也面临着更加复杂的电磁环境。CMOS 反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心，它具有较大的噪声容限、极高的输入电阻、极低的静态功耗以及对噪声和干扰不敏感等优点，因此广泛应用于数字集成电路中。HPM可以通过缝隙、孔洞以及外露连接线缆等“后门”途径，耦合进入电子系统内部，影响系统内器件的正常工作，

❿ 在AC 瞬态分析中 CMOS反相器的反应时间（包括fall time和rise time）大于Pseudo-PMOS 反相器的反应时间

AC叫交流分析，是小信号模型。瞬态分析叫transient，本质是大信号。
Pesudo-PMOS的特点就是牺牲功耗，提升速度，因为PMOS一直开着。所以总体比CMOS反相器要快，反应时间要短。