A. 内存的封装方式是什麼意思,各有哪几种!以及它们的区别是什麼
随着计算机芯片技术的不断发展和成熟，为了更好地与之相配合，内存产品也由后台走出，成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分，内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封装技术，采用不同封装技术的内存条，在性能上存在较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的内存产品。
封装技术其实就是一种将集成电路打包的技术。拿我们常见的内存来说，我们实际看到的体积和外观并不是真正的内存的大小和面貌，而是内存芯片经过打包即封装后的产品。这种打包对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电学性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它又是至关重要的。
目前业界普遍采用的封装技术尽管多种多样，但是有90%采用的是TSOP(如图1所示)技术，TSOP英文全称为Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封装)，这是80年代出现的内存第二代封装技术的代表。TSOP的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM的IC为两侧有引脚，SGRAM的IC四面都有引脚。TSOP适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，封装外形尺寸，寄生参数减小，适合高频应用，操作方便，可靠性高。采用这种技术的品牌有三星、现代、Kingston等，TSOP目前广泛应用于SDRAM内存的制造上，但是随着时间的推移和技术的进步，TSOP已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。
如同微处理器一样，内存条的技术也是不断地更新。大家可能已发现手中内存条上的颗粒模样渐渐在变，变得比以前更小、更精致。变化不仅在表面上，而且这些新型的芯片在适用频率和电气特性上比老前辈又有了长足的进步。这一结晶应归功于那些厂商选用了新型内存芯片封装技术。以TinyBGA和BLP技术为代表的新型芯片封装技术逐渐成熟起来。
首先我们要提及的就是TinyBGA技术，TinyBGA技术是Kingmax的专利，于1998年8月开发成功。要了解TinyBGA技术，首先要知道BGA是什么，BGA为Ball-Gird-Array的英文缩写，即球栅阵列封装，是新一代的芯片封装技术，它的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是可增加I/O数和间距，消除高I/O数带来的生产成本和可靠性问题。它已经在笔记本电脑的内存、主板芯片组等大规模集成电路的封装领域得到了广泛的应用。比如我们所熟知的Intel 845PE、VIA KT400芯片组等都是采用这一封装技术的产品。
TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），其芯片面积与封装面积之比不小于1：1.14，属于BGA封装技术的一个分支。该项革新技术的应用可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，TinyBGA采用BT树脂以替代传统的TSOP技术，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。
TinyBGA封装技术使每平方英寸的存储量有了惊人的提升，在和128M TSOP封装的144针SO-DIMM相同空间的PCB板上利用TinyBGA封装方式可以制造256M内存。以相同大小的两片内存模块而言，TinyBGA封装方式的容量比TSOP高一倍，但价格却未有明显变化。资料显示，采用TinyBGA封装技术的内存产品以相同容量比较，体积只有TSOP封装的三分之一；当内存模组的制程直径小于0.25 m时TinyBGA封装的成本要小于TSOP封装成本。
TinyBGA封装内存的I/O端子是由芯片中心方向引出的，而TSOP则是由四周引出。这有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的四分之一，因此信号的衰减便随之减少。这样不仅大幅度升芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能，采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外额，而采用传统TSOP封装最高只可抗150MHz的外额。而且，用TinyBGA封装的内存，不但体积较之相同容量的TSOP封装芯片小，同时也更薄(封装高度小于0.8mm)，从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。于是，TinyBGA内存便拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。经过反复测试显示，TinyBGA的热抗阻比TSOP的低75％。很明显与传统TSOP封装方式相比，TinyBGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
除了TinyBGA之外，BLP技术也是目前市场上常用的一种技术，BLP英文全称为Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技术)，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封装规范。不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的提高，制造成本也不高，广泛用于SDRAM\RDRAM\DDR等新一代内存制造上。随着由于BLP封装中关键部件塑封基底价格的不断下降，BLP封装内存很快就会走入普通用户的家庭
内存颗粒的封装方式经历了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的变革，可谓风风雨雨一路发展而来。在介绍内存颗粒封装之前，让我们先来看看内存的3种模块。
在早期的PC中，存储芯片都是直接焊接在主板上的， RAM的容量也就因此固定下来，如果要扩容就很麻烦。为了拓展RAM的容量，后来设计者就把存储芯片做成专门的存储模块，需要的时候再添加。
SIMM（单列直插存储模块）
体积小、重量轻，插在主板的专用插槽上。插槽上有防呆设计，能够避免插反，而且插槽两端有金属卡子将它卡住，这便是现今内存的雏形。其优点在于使用了标准引脚设计，几乎可以兼容所有的PC机。
DIMM（双列直插存储模块）
和SIMM相似，只是体积稍大。不同处在于SIMM的部分引脚前后连接在一起，而DIMM的每个引脚都是分开的，所以在电气性能上有较大改观，而且这样可以不用把模块做得很大就可以容纳更多的针脚，从而容易得到更大容量的RAM。
RIMM（Rambus直插式存储模块）
其外形有点像DIMM，只是体积要大一点，性能更好，但价格昂贵，发热量较大。为了解决发热问题，模块上都有一个很长的散热片。
B. 内存的颗粒封装有哪几种
随着计算机芯片技术的不断发展和成熟，为了更好地与之相配合，内存产品也由后台走出，成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分，内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封装技术，采用不同封装技术的内存条，在性能上存在较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的内存产品。
封装技术其实就是一种将集成电路打包的技术。拿我们常见的内存来说，我们实际看到的体积和外观并不是真正的内存的大小和面貌，而是内存芯片经过打包即封装后的产品。这种打包对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电学性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它又是至关重要的。
目前业界普遍采用的封装技术尽管多种多样，但是有90%采用的是TSOP(如图1所示)技术，TSOP英文全称为Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封装)，这是80年代出现的内存第二代封装技术的代表。TSOP的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM的IC为两侧有引脚，SGRAM的IC四面都有引脚。TSOP适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，封装外形尺寸，寄生参数减小，适合高频应用，操作方便，可靠性高。采用这种技术的品牌有三星、现代、Kingston等，TSOP目前广泛应用于SDRAM内存的制造上，但是随着时间的推移和技术的进步，TSOP已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。
如同微处理器一样，内存条的技术也是不断地更新。大家可能已发现手中内存条上的颗粒模样渐渐在变，变得比以前更小、更精致。变化不仅在表面上，而且这些新型的芯片在适用频率和电气特性上比老前辈又有了长足的进步。这一结晶应归功于那些厂商选用了新型内存芯片封装技术。以TinyBGA和BLP技术为代表的新型芯片封装技术逐渐成熟起来。
首先我们要提及的就是TinyBGA技术，TinyBGA技术是Kingmax的专利，于1998年8月开发成功。要了解TinyBGA技术，首先要知道BGA是什么，BGA为Ball-Gird-Array的英文缩写，即球栅阵列封装，是新一代的芯片封装技术，它的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是可增加I/O数和间距，消除高I/O数带来的生产成本和可靠性问题。它已经在笔记本电脑的内存、主板芯片组等大规模集成电路的封装领域得到了广泛的应用。比如我们所熟知的Intel 845PE、VIA KT400芯片组等都是采用这一封装技术的产品。
TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），其芯片面积与封装面积之比不小于1：1.14，属于BGA封装技术的一个分支。该项革新技术的应用可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，TinyBGA采用BT树脂以替代传统的TSOP技术，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。
TinyBGA封装技术使每平方英寸的存储量有了惊人的提升，在和128M TSOP封装的144针SO-DIMM相同空间的PCB板上利用TinyBGA封装方式可以制造256M内存。以相同大小的两片内存模块而言，TinyBGA封装方式的容量比TSOP高一倍，但价格却未有明显变化。资料显示，采用TinyBGA封装技术的内存产品以相同容量比较，体积只有TSOP封装的三分之一；当内存模组的制程直径小于0.25 m时TinyBGA封装的成本要小于TSOP封装成本。
TinyBGA封装内存的I/O端子是由芯片中心方向引出的，而TSOP则是由四周引出。这有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的四分之一，因此信号的衰减便随之减少。这样不仅大幅度升芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能，采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外额，而采用传统TSOP封装最高只可抗150MHz的外额。而且，用TinyBGA封装的内存，不但体积较之相同容量的TSOP封装芯片小，同时也更薄(封装高度小于0.8mm)，从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。于是，TinyBGA内存便拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。经过反复测试显示，TinyBGA的热抗阻比TSOP的低75％。很明显与传统TSOP封装方式相比，TinyBGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
除了TinyBGA之外，BLP技术也是目前市场上常用的一种技术，BLP英文全称为Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技术)，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封装规范。不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的提高，制造成本也不高，广泛用于SDRAM\RDRAM\DDR等新一代内存制造上。随着由于BLP封装中关键部件塑封基底价格的不断下降，BLP封装内存很快就会走入普通用户的家庭
内存颗粒的封装方式经历了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的变革，可谓风风雨雨一路发展而来。在介绍内存颗粒封装之前，让我们先来看看内存的3种模块。
在早期的PC中，存储芯片都是直接焊接在主板上的， RAM的容量也就因此固定下来，如果要扩容就很麻烦。为了拓展RAM的容量，后来设计者就把存储芯片做成专门的存储模块，需要的时候再添加。
SIMM（单列直插存储模块）
体积小、重量轻，插在主板的专用插槽上。插槽上有防呆设计，能够避免插反，而且插槽两端有金属卡子将它卡住，这便是现今内存的雏形。其优点在于使用了标准引脚设计，几乎可以兼容所有的PC机。
DIMM（双列直插存储模块）
和SIMM相似，只是体积稍大。不同处在于SIMM的部分引脚前后连接在一起，而DIMM的每个引脚都是分开的，所以在电气性能上有较大改观，而且这样可以不用把模块做得很大就可以容纳更多的针脚，从而容易得到更大容量的RAM。
RIMM（Rambus直插式存储模块）
其外形有点像DIMM，只是体积要大一点，性能更好，但价格昂贵，发热量较大。为了解决发热问题，模块上都有一个很长的散热片。
参考资料：http://down.51vip.net/Article/225/2005/20050910340.asp
C. DDR333和DDR400内存有什么区别对转换出来的视频的质量有影响吗
现在市场上DDR内存从速度上有DDR266、DDR333和DDR400三种规格分别对应的数据传输量分别是PC2100、PC2700和PC3200，单位是M/S，并且所有规格都是向下兼容的，当然速度越快，价格也越高。从品牌上看，主流的有现代（HY）、三星、、MT、kingston、kingmax等等。内存颗粒封装工艺除了kingmax采用TinyBGA封装外，其他的内存都采用传统TSOP封装技术。
目前市场中销量最大的DDR仍属现代的内存，原因很简单，一是具有良好的性价比、二是货源稳定。
对于现代的DDR内存笔者一直比较好有好感，除了价格相对便宜以外，其良好的兼容性和出众的超频性能一直深受我的喜欢。现在的主板，特别是采用Intel芯片组的，大多数只支持到DDR266的速度，对于一般的家庭或办公用户，没有必要花更多的票票选择高速内存。但是，现在市场的HY内存条只有一年保换的售后服务，也许和HY的稳定性欠佳有些联系。好在内存条在电脑配件中属于经久耐用一类型，只要顺利通过装机时的种种考验，日后较少会出问题的。
三星的DDR内存条也是采用它自主开发的内存颗粒，市场中最常见的是DDR266和DDR333两种规格。
可以看出，三星内存的制作工艺是相当精湛的，本来，三星已经成为全球最大的Rambus DRAM制造商，具备成为DDR大鳄的实力与条件超频向来不是Samsung内存的强项,高速和稳定才是三星追求的目标。而且三星条子的价格（不是三星金条哦）还是相当合理的，适合于对超频要求不是很高的的用户使用。
介绍kingmax的内存之前总要说一说kingmax独特的封装工艺。TinyBGA技术是KingMax的专利，于1998年8月开发成功。TinyBGA技术采用BT树脂以替代传统的TSOP技术，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。
早在PC100规范的SDRAM时代，kingmax内存就以优秀的性能在广大用户心中已经树立起了良好形象，现在kingmax品牌就代表着高性能和优秀品质，据有关权威测试表明，kingmax DDR333是目前市面上唯一正式符合DDR333（PC2700）规格的DDR SDRAM，在支持DDR333内存的主板上的表现能力只能让其它品牌的内存望其项背。kingmaxDDR做工精良、性能出众、运行稳定、就是同其他品牌相比价格的确贵了不少。适合更多关注性能的朋友选用。
Kingston一直主攻高端服务器市场，其产品的做工和品质均无需怀疑。
它的产品虽然不像kingmax有独到的技术，在内存零售市场上也从来没有具备过价格优势，长期以来靠的是稳定的性能和出众的品质吸引着用户。属于实力派产品，适用于各层次消费者。
有关内存的几个常见问题
1.内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？
单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组
则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。
2.内存的2-2-3通常是什么意思？
这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP为RAS预充电时间，数值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。
3.内存的双通道技术和单通道有什么不同？
什么是双通道DDR技术呢？需要说明的是，它并非我们以前所介绍的DDRII，而是一种可以让2条DDR内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P4处理器的好处可谓不言而喻。大家都知道400MHz FSB的P4处理器和主板传输数据的带宽为3.2GB/s，而533MHz FSB的P4处理器的吞吐能力更是达到了4.3GB/s，但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333本身仅具有2.7GB/s的带宽。
4.DDR-Ⅱ和现在的DDR内存有什么不同？
DDR-II内存是相对于现在主流的DDR-I内存而言的，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从现在的DDR-333产品直接过渡到DDR-II。DDR-II内存将采用0.13微米工艺，容量为18MB/36MB/72MB，最大288MB，字节架构为X8、X18、X36，读取反应时间为2.5个时钟周期。通过将DLL(delay-locked
loop，延时锁定回路)设计到内存中(这与Rambus设计理念相似)，输出的数据效率提升65%左右，DDR数据传送方式为每周期32个字节，并且可以随工作频率的提升达到更高性能。已知道的规格有：系统内存方面包括400MHz(4.8GB/s带宽)、533MHz(5.6GB/s带宽)、667MHz(6.4GB/s带宽)三种，显卡(默认规格)方面包括800MHz、1000MHz两种。所有的DDR-II内存均在1.8V下工作，单条容量至少有512MB。DDR-II管脚数量有200pin、220pin、240pinFBGA封装形式之分，与现在的DDR内存不相容。
学会识别内存
内存是计算机不可缺少的部件之一，而内存条又是J商们经常“下刀”和假冒伪劣产品比较集中的东西。目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度，这就要求用户学会怎样识别假冒内存的规格和内存芯片编号。一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存上的编号来识别。由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面我们就以较为常见金士顿ValueRAM系列举例说明内存编号上代表的信息。
下面我们以常见的品牌内存金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：
编号为ValueRAM KVR400X64C25/256
1、KVR代表kingston value RAM
2、外频速度
3、一般为X
4、64为没有ECC；72代表有ECC
5、有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存
6、3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=2
7、分隔符号
8、内存的容量
金士顿ValueRAM SDRAM内存命名方式也和DDR一样。
??另外我们在选择内存时，时常听到一些诸如：-5ns，内存带宽，PC-2100等计量单位。它们究竟代表什么含义？相关联的单位之间的换算关系是怎样的？我想可能有不少人还是不太清楚。下面我就为大家简单介绍一下。
Hz（赫兹）用来表示时钟频率，通常以MHz和GHz作为计量单位。
ns（纳秒, ns为十亿分之一秒）通常用来表示物理内存和显存的存取速度。其值越小，极限工作频率就越高。
DDR SDRAM 在命名原则上也与SDRAM 不同。SDRAM 的命名是按照时钟频率来命名的，例如 PC100 与PC133。而 DDR SDRAM 则是以数据传输量作为命名原则，例如PC2100 以及 PC2700，单位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR266 其实与 PC2100 是相同的规格，数据传输量为 2128MB/s，而 DDR333与PC2700 也是一样的情形。
??另外我们还可以通过一些内存自身特有的标记来识别，比如Kingston为了防伪在内存上将会出现采用特殊工艺制造的内存防伪号码，这种防伪措施是采用将内存防伪标贴上的其中4位数和采用特殊工艺烙印在内存PCB板上的内存编号中4位数是否一一对应的方法来辨别真假，采用这种防伪措施不但可以给那些造假者以最沉痛的打击，而且能有助于我们对内存品牌和真假的识别。
??其实大多内存厂家的命名和编号规律都差不多，所以只要能掌握上面介绍的一些基础的知识，做到举一反三，就能够不断的提高自己对各种内存更深层次的认识。
内存的速度和转换出来的视频效果没影响
但是影响转换的速度快慢而已
D. 什么是bt树脂
电子产品在多功能化、高i/o数及小型化趋势下，ic构装技术随之改变内，因此由1980年代以前的通孔插容装(pth insertion)，1980～1993年大幅变革成表面黏装smt方式，进展到至今以bga、csp及flip chip为主的构装方式，由ic载板生产成本来看，材料价占比重高达40％～50％，原料中又以bt树脂(bismaleimide triazine resin)为主，bt树脂是日本三菱瓦斯化学公司于1982年经拜耳化学公司技术指导所开发出来，拥有专利也商业化量产，因此是目前全球最大的bt树脂制造商。
日本三菱瓦斯公司开发出来的bt树脂， 主要以b (bismaleimide) and t (triazine) 聚合而成，以bt树脂为原料所构成的基板具有高tg(255~330℃)、耐热性(160~230℃)、抗湿性、低介电常数(dk)及低散失因素(df)…等优点，
E. 颗粒封装是什么,有什么用!
随着计算机芯片技术的不断发展和成熟，为了更好地与之相配合，内存产品也由后台走出，成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分，内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封装技术，采用不同封装技术的内存条，在性能上存在较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的内存产品。
封装技术其实就是一种将集成电路打包的技术。拿我们常见的内存来说，我们实际看到的体积和外观并不是真正的内存的大小和面貌，而是内存芯片经过打包即封装后的产品。这种打包对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电学性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它又是至关重要的。
目前业界普遍采用的封装技术尽管多种多样，但是有90%采用的是TSOP(如图1所示)技术，TSOP英文全称为Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封装)，这是80年代出现的内存第二代封装技术的代表。TSOP的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM的IC为两侧有引脚，SGRAM的IC四面都有引脚。TSOP适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，封装外形尺寸，寄生参数减小，适合高频应用，操作方便，可靠性高。采用这种技术的品牌有三星、现代、Kingston等，TSOP目前广泛应用于SDRAM内存的制造上，但是随着时间的推移和技术的进步，TSOP已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。
如同微处理器一样，内存条的技术也是不断地更新。大家可能已发现手中内存条上的颗粒模样渐渐在变，变得比以前更小、更精致。变化不仅在表面上，而且这些新型的芯片在适用频率和电气特性上比老前辈又有了长足的进步。这一结晶应归功于那些厂商选用了新型内存芯片封装技术。以TinyBGA和BLP技术为代表的新型芯片封装技术逐渐成熟起来。
首先我们要提及的就是TinyBGA技术，TinyBGA技术是Kingmax的专利，于1998年8月开发成功。要了解TinyBGA技术，首先要知道BGA是什么，BGA为Ball-Gird-Array的英文缩写，即球栅阵列封装，是新一代的芯片封装技术，它的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是可增加I/O数和间距，消除高I/O数带来的生产成本和可靠性问题。它已经在笔记本电脑的内存、主板芯片组等大规模集成电路的封装领域得到了广泛的应用。比如我们所熟知的Intel 845PE、VIA KT400芯片组等都是采用这一封装技术的产品。
TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），其芯片面积与封装面积之比不小于1：1.14，属于BGA封装技术的一个分支。该项革新技术的应用可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，TinyBGA采用BT树脂以替代传统的TSOP技术，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。
TinyBGA封装技术使每平方英寸的存储量有了惊人的提升，在和128M TSOP封装的144针SO-DIMM相同空间的PCB板上利用TinyBGA封装方式可以制造256M内存。以相同大小的两片内存模块而言，TinyBGA封装方式的容量比TSOP高一倍，但价格却未有明显变化。资料显示，采用TinyBGA封装技术的内存产品以相同容量比较，体积只有TSOP封装的三分之一；当内存模组的制程直径小于0.25 m时TinyBGA封装的成本要小于TSOP封装成本。
TinyBGA封装内存的I/O端子是由芯片中心方向引出的，而TSOP则是由四周引出。这有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的四分之一，因此信号的衰减便随之减少。这样不仅大幅度升芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能，采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外额，而采用传统TSOP封装最高只可抗150MHz的外额。而且，用TinyBGA封装的内存，不但体积较之相同容量的TSOP封装芯片小，同时也更薄(封装高度小于0.8mm)，从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。于是，TinyBGA内存便拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。经过反复测试显示，TinyBGA的热抗阻比TSOP的低75％。很明显与传统TSOP封装方式相比，TinyBGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
除了TinyBGA之外，BLP技术也是目前市场上常用的一种技术，BLP英文全称为Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技术)，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封装规范。不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的提高，制造成本也不高，广泛用于SDRAM\RDRAM\DDR等新一代内存制造上。随着由于BLP封装中关键部件塑封基底价格的不断下降，BLP封装内存很快就会走入普通用户的家庭
内存颗粒的封装方式经历了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的变革，可谓风风雨雨一路发展而来。在介绍内存颗粒封装之前，让我们先来看看内存的3种模块。
在早期的PC中，存储芯片都是直接焊接在主板上的， RAM的容量也就因此固定下来，如果要扩容就很麻烦。为了拓展RAM的容量，后来设计者就把存储芯片做成专门的存储模块，需要的时候再添加。
SIMM（单列直插存储模块）
体积小、重量轻，插在主板的专用插槽上。插槽上有防呆设计，能够避免插反，而且插槽两端有金属卡子将它卡住，这便是现今内存的雏形。其优点在于使用了标准引脚设计，几乎可以兼容所有的PC机。
DIMM（双列直插存储模块）
和SIMM相似，只是体积稍大。不同处在于SIMM的部分引脚前后连接在一起，而DIMM的每个引脚都是分开的，所以在电气性能上有较大改观，而且这样可以不用把模块做得很大就可以容纳更多的针脚，从而容易得到更大容量的RAM。
RIMM（Rambus直插式存储模块）
其外形有点像DIMM，只是体积要大一点，性能更好，但价格昂贵，发热量较大。为了解决发热问题，模块上都有一个很长的散热片。
F. 一般pcb板的密度和比热容是多少电镀的铜呢
这个每个公司都有其固定的计算方法，有些是根据镀层厚度还有不同电镀线用不同的电镀效率来计算的，像有个公式：镀层厚度=电流密度X电镀时间X电镀常数X电镀效率，一般二铜电流密度用1.0-3.0ASD之间，电锡用0.8-2.0ASD之间
G. 内存颗粒封装
随着计算机芯片技术的不断发展和成熟，为了更好地与之相配合，内存产品也由后台走出，成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分，内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封装技术，采用不同封装技术的内存条，在性能上存在较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的内存产品。
封装技术其实就是一种将集成电路打包的技术。拿我们常见的内存来说，我们实际看到的体积和外观并不是真正的内存的大小和面貌，而是内存芯片经过打包即封装后的产品。这种打包对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电学性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它又是至关重要的。
目前业界普遍采用的封装技术尽管多种多样，但是有90%采用的是TSOP(如图1所示)技术，TSOP英文全称为Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封装)，这是80年代出现的内存第二代封装技术的代表。TSOP的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM的IC为两侧有引脚，SGRAM的IC四面都有引脚。TSOP适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，封装外形尺寸，寄生参数减小，适合高频应用，操作方便，可靠性高。采用这种技术的品牌有三星、现代、Kingston等，TSOP目前广泛应用于SDRAM内存的制造上，但是随着时间的推移和技术的进步，TSOP已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。
如同微处理器一样，内存条的技术也是不断地更新。大家可能已发现手中内存条上的颗粒模样渐渐在变，变得比以前更小、更精致。变化不仅在表面上，而且这些新型的芯片在适用频率和电气特性上比老前辈又有了长足的进步。这一结晶应归功于那些厂商选用了新型内存芯片封装技术。以TinyBGA和BLP技术为代表的新型芯片封装技术逐渐成熟起来。
首先我们要提及的就是TinyBGA技术，TinyBGA技术是Kingmax的专利，于1998年8月开发成功。要了解TinyBGA技术，首先要知道BGA是什么，BGA为Ball-Gird-Array的英文缩写，即球栅阵列封装，是新一代的芯片封装技术，它的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是可增加I/O数和间距，消除高I/O数带来的生产成本和可靠性问题。它已经在笔记本电脑的内存、主板芯片组等大规模集成电路的封装领域得到了广泛的应用。比如我们所熟知的Intel 845PE、VIA KT400芯片组等都是采用这一封装技术的产品。
TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），其芯片面积与封装面积之比不小于1：1.14，属于BGA封装技术的一个分支。该项革新技术的应用可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，TinyBGA采用BT树脂以替代传统的TSOP技术，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。
TinyBGA封装技术使每平方英寸的存储量有了惊人的提升，在和128M TSOP封装的144针SO-DIMM相同空间的PCB板上利用TinyBGA封装方式可以制造256M内存。以相同大小的两片内存模块而言，TinyBGA封装方式的容量比TSOP高一倍，但价格却未有明显变化。资料显示，采用TinyBGA封装技术的内存产品以相同容量比较，体积只有TSOP封装的三分之一；当内存模组的制程直径小于0.25 m时TinyBGA封装的成本要小于TSOP封装成本。
TinyBGA封装内存的I/O端子是由芯片中心方向引出的，而TSOP则是由四周引出。这有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的四分之一，因此信号的衰减便随之减少。这样不仅大幅度升芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能，采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外额，而采用传统TSOP封装最高只可抗150MHz的外额。而且，用TinyBGA封装的内存，不但体积较之相同容量的TSOP封装芯片小，同时也更薄(封装高度小于0.8mm)，从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。于是，TinyBGA内存便拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。经过反复测试显示，TinyBGA的热抗阻比TSOP的低75％。很明显与传统TSOP封装方式相比，TinyBGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
除了TinyBGA之外，BLP技术也是目前市场上常用的一种技术，BLP英文全称为Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技术)，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封装规范。不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的提高，制造成本也不高，广泛用于SDRAM\RDRAM\DDR等新一代内存制造上。随着由于BLP封装中关键部件塑封基底价格的不断下降，BLP封装内存很快就会走入普通用户的家庭
内存颗粒的封装方式经历了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的变革，可谓风风雨雨一路发展而来。在介绍内存颗粒封装之前，让我们先来看看内存的3种模块。
在早期的PC中，存储芯片都是直接焊接在主板上的， RAM的容量也就因此固定下来，如果要扩容就很麻烦。为了拓展RAM的容量，后来设计者就把存储芯片做成专门的存储模块，需要的时候再添加。
SIMM（单列直插存储模块）
体积小、重量轻，插在主板的专用插槽上。插槽上有防呆设计，能够避免插反，而且插槽两端有金属卡子将它卡住，这便是现今内存的雏形。其优点在于使用了标准引脚设计，几乎可以兼容所有的PC机。
DIMM（双列直插存储模块）
和SIMM相似，只是体积稍大。不同处在于SIMM的部分引脚前后连接在一起，而DIMM的每个引脚都是分开的，所以在电气性能上有较大改观，而且这样可以不用把模块做得很大就可以容纳更多的针脚，从而容易得到更大容量的RAM。
RIMM（Rambus直插式存储模块）
其外形有点像DIMM，只是体积要大一点，性能更好，但价格昂贵，发热量较大。为了解决发热问题，模块上都有一个很长的散热片。
参考资料：
H. 你好。有些问题想向您咨询一下
BGA返修台 一，非光学机型(ZM-R380C,ZM-R380B,ZM-R590,ZM-R5830,ZM-R5850,ZM-R5860,ZM-R5850C,ZM-R5860C,) 二，光学机型（ZM-R6800，ZM-R6808，ZM-R6810，ZM-R680C，ZM-R680D，ZM-R6821，ZM-R8650） BGA返修台
[1] BGA植球加工
BGA返修台
分光学对位与非光学对位
光学对位——通过光学模块采用裂棱镜成像，LED照明方式，调整光场分布，使小芯片成像显示与显示器上。以达到光学对位返修。 非光学对位 ——则是通过肉眼将BGA根据PCB板丝印线及点对位，以达到对位返修。 针对不同大小的BGA原件进行视觉对位，焊接、拆卸的智能操作设备，有效提高返修率生产率，大大降低成本。 BGA返修台ZM-R5860C
BGA：BGA封装内存 BGA封装(Ball Grid Array Package)的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它 的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。 BGA封装技术可详分为五大类： 1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般为2-4层有机材料构成的多层板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。 2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称FC）的安装方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。 3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。 4.TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的1-2层PCB电路板。 5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封装中央有方型低陷的芯片区（又称空腔区）。 说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。 说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。 BGA的全称是Ball Grid Array（球栅阵列结构的PCB），它是集成电路采用有机载板的一种封装法。它具有：①封装面积减少②功能加大，引脚数目增多③PCB板溶焊时能自我居中，易上锡④可靠性高⑤电性能好，整体成本低等特点。有BGA的PCB板一般小孔较多，大多数客户BGA下过孔设计为成品孔直径8~12mil，BGA处表面贴到孔的距离以规格为31.5mil为例，一般不小于10.5mil。BGA下过孔需塞孔，BGA焊盘不允许上油墨，BGA焊盘上不钻孔 BGA主要有四种基本类型：PBGA、CBGA、CCGA和TBGA，一般都是在封装体的底部连接着作为I/O引出端的焊球阵列。这些封装的焊球阵列典型的间距为1.0mm、1.27mm、1.5mm，焊球的铅锡组份常见的主要有63Sn/37Pb和90Pb/10Sn两种，焊球的直径由于目前没有这方面相应的标准而各个公司不尽相同。从BGA的组装技术方面来看，BGA有着比QFP器件更优越的特点，其主要体现在BGA器件对于贴装精度的要求不太严格，理论上讲，在焊接回流过程中，即使焊球相对于焊盘的偏移量达50%之多，也会由于焊料的表面张力作用而使器件位置得以自动校正，这种情况经实验证明是相当明显的。其次，BGA不再存在类似QFP之类器件的引脚变形问题，而且BGA还具有相对QFP等器件较良好的共面性，其引出端间距与QFP相比要大得多，可以明显减少因焊膏印刷缺陷导致焊点“桥接”的问题；另外，BGA还有良好的电性能和热特性，以及较高的互联密度。BGA的主要缺点在于焊点的检测和返修都比较困难，对焊点的可靠性要求比较严格，使得BGA器件在很多领域的应用中受到限制。 以下就四种基本类型的BGA，从其结构特点等多方面加以阐述。 1.1 PBGA(Plastic Ball Grid Array塑封球栅阵列) PBGA即通常所说的OMPAC(Overmolded Plastic Array Carrier)，是最普通的BGA封装类型(见图2)。PBGA的载体是普通的印制板基材，例如FR－4、BT树脂等。硅片通过金属丝压焊方式连接到载体的上表面，然后用塑料模压成形，在载体的下表面连接有共晶组份(37Pb/63Sn)的焊球阵列。焊球阵列在器件底面上可以呈完全分布或部分分布(见图3)，通常的焊球尺寸0.75～0.89mm左右，焊球节距有1.0mm、1.27mm、1.5mm几种。 图2 PBGA内部结构 图3部分分布与完全分布示意图 PBGA可以用现有的表面安装设备和工艺进行组装。首先通过漏印方式把共晶组份焊膏印刷到相应的PCB焊盘上，然后把PBGA的焊球对应压入焊膏并进行回流，因漏印采用的焊膏和封装体的焊球均为共晶焊料，所以在回流过程中焊球和焊膏共熔，由于器件重量和表面张力的作用，焊球坍塌使得器件底部和PCB之间的间隙减小，焊点固化后呈椭球形。目前，PBGA169～313已有批量生产，各大公司正不断开发更高的I/O数的PBGA产品，预计在近两年内I/O数可达600～1000。 PBGA封装的主要优点： ①可以利用现有的组装技术和原材料制造PBGA，整个封装的费用相对较低。 ②和QFP器件相比，不易受到机械损伤。 ③可适用于大批量的电子组装。 PBGA技术的主要挑战是保证封装的共面性、减少潮气的吸收和防止“popcorn”现象的产生以及解决因日趋增大的硅片尺寸引起的可靠性问题，对于更高I/O数的封装，PBGA技术的难度将更大。由于载体所用材料是印制板基材，所以在组装件中PCB和PBGA载体的热膨胀系数(TCE)近乎相同，因此在回流焊接过程中，对焊点几乎不产生应力，对焊点的可靠性影响也较小。目前PBGA应用遇到的问题是如何继续减少PBGA封装的费用，使PBGA能在I/O数较低的情况下仍比QFP节省费用。 1.2 CBGA(Ceramic Ball Grid Array陶瓷球栅阵列) 图4 CBGA和CCGA的结构比较 CBGA通常也称作SBC(Solder Ball Carrier)，是BGA封装的第二种类型(见图4)。CBGA的硅片连接在多层陶瓷载体的上表面，硅片与多层陶瓷载体的连接可以有两种形式，第一种是硅片线路层朝上，采用金属丝压焊的方式实现连接，另一种则是硅片的线路层朝下，采用倒装片结构方式实现硅片与载体的连接。硅片连接完成之后，对硅片采用环氧树脂等填充物进行包封以提高可靠性和提供必要的机械防护。在陶瓷载体的下表面，连接有90Pb/10Sn焊球阵列，焊球阵列的分布可以有完全分布或部分分布两种形式，焊球尺寸通常约0.89mm左右，间距因各家公司而异，常见的为1.0mm和1.27mm。 PBGA器件也可以用现有的组装设备和工艺进行组装，但由于与PBGA的焊球组份不同，使得整个组装过程和PBGA有所不同。PBGA组装采用的共晶焊膏的回流温度为183℃，而CBGA焊球的熔化温度约为300℃，现有的表面安装回流过程大都是在220℃回流，在这个回流温度下仅熔化了焊膏，但焊球没有熔化。因此，要形成良好的焊点，漏印到焊盘上的焊膏量和PBGA相比要多，其目的首先是要用焊膏补偿CBGA焊球的共平面误差，其次是保证能形成可靠的焊点连接。 在回流之后，共晶焊料包容焊球形成焊点，焊球起到了刚性支撑的作用，因此器件底部与PCB的间隙通常要比PBGA大。CBGA的焊点是由两种不同的Pb/Sn组份焊料形成的，但共晶焊料和焊球之间的界面实际上并不明显，通常焊点的金相分析，可以看到在界面区域形成一个从90Pb/10Sn到37Pb/63Sn的过渡区。 目前一些产品已采用了I/O数196～625的CBGA封装器件，但CBGA的应用还不太广泛，更高I/O数的CBGA封装的发展也停滞不前，主要归咎于CBGA组装中存在的PCB和多层陶瓷载体之间的热膨胀系数(TCE)不匹配问题，这个问题的出现，使得在热循环时引起封装体尺寸较大的CBGA焊点产生失效。通过大量的可靠性测试，已经证实了封装体尺寸小于32mm×32mm的CBGA均可以满足工业标准热循环试验规范。CBGA的I/O数目前限制在625以下，对于陶瓷封装体尺寸在32mm×32mm以上的，则必须要考虑采取其它类型的BGA。 CBGA封装的主要优点在于： 1)具有优良的电性能和热特性。 2)具有良好的密封性能。 3)和QFP器件相比，CBGA不易受到机械损伤。 4)适用于I/O数大于250的电子组装应用。 此外，由于CBGA的硅片与多层陶瓷的连接可以采用倒装片连接方式，所以可以达到比金属丝压焊连接方式更高的互联密度。在很多情况下，尤其是在高I/O数的应用下，ASICs的硅片尺寸受到金属丝压焊焊盘尺寸的限制，CBGA通过采用了更高密度的硅片互联线路，使得硅片的尺寸可以进一步减小而又不牺牲功能，从而降低了费用。 目前CBGA技术的发展没有太大的困难，其主要的挑战在于如何使CBGA在电子组装行业的各个领域中得到广泛应用。首先必须要能保证CBGA封装在大批量生产工业环境中的可靠性，其次CBGA封装的费用必须要能和其它BGA封装相比拟。由于CBGA封装的复杂性以及相对高的费用，使得CBGA被局限应用于高性能、高I/O数要求的电子产品。此外，由于CBGA封装的重量要比其它类型BGA封装大，所以在便携式电子产品中的应用也受到限制。 1.3 CCGA(Ceramic Cloumn Grid Array 陶瓷柱栅阵列) CCGA也称SCC(Solder Column Carrier)，是CBGA在陶瓷体尺寸大于32mm×32mm时的另一种形式(见图5)，和CBGA不同的是在陶瓷载体的下表面连接的不是焊球而是90Pb/10Sn的焊料柱，焊料柱阵列可以是完全分布或部分分布的，常见的焊料柱直径约0.5mm，高度约为2.21mm，柱阵列间距典型的为1.27mm。CCGA有两种形式，一种是焊料柱与陶瓷底部采用共晶焊料连接，另一种则采用浇铸式固定结构。CCGA的焊料柱可以承受因PCB和陶瓷载体的热膨胀系数TCE不匹配产生的应力，大量的可靠性试验证实封装体尺寸小于44mm×44mm的CCGA均可以满足工业标准热循环试验规范。CCGA的优缺点和CBGA非常相似，唯一的明显差异是CCGA的焊料柱比CBGA的焊球在组装过程中更容易受到机械损伤。目前有些电子产品已经开始应用CCGA封装，但是I/O数在626～1225之间的CCGA封装暂时尚未形成批量生产，I/O数大于2000的CCGA封装仍在开发中。 图5 CCGA(Ceramic Cloumn Grid Array 陶瓷柱栅阵列) 1.4 TBGA(Tape Ball Grid Array 载带球栅阵列) 图6 TBGA内部结构 TBGA又称为ATAB(Araay Tape Automated Bonding)，是BGA的一种相对较新的封装类型(见图6)。TBGA的载体是铜/聚酰亚胺/铜双金属层带，载体的上表面分布有信号传输用的铜导线，而另一面则作为地层使用。硅片与载体之间的连接可以采用倒装片技术来实现，当硅片与载体的连接完成后，对硅片进行包封以防止受到机械损伤。载体上的过孔起到了连通两个表面、实现信号传输的作用，焊球通过采用类似金属丝压焊的微焊接工艺连接到过孔焊盘上形成焊球阵列。在载体的顶面用胶连接着一个加固层，用于给封装体提供刚性和保证封装体的共面性。在倒装硅片的背面一般用导热胶连接着散热片，给封装体提供良好的热特性。TBGA的焊球组份为90Pb/10Sn，焊球直径约为0.65mm，典型的焊球阵列间距有1.0mm、1.27mm、1.5mm几种，TBGA与PCB之间的组装所采用的为63Sn/37Pb共晶焊料。TBGA也可以利用现有的表面安装设备和工艺，采用与CBGA相似的组装方法进行组装。 目前常用的TBGA封装的I/O数小于448，TBGA736等产品已上市，国外一些大公司正在开发I/O数大于1000的TBGA。 TBGA封装的优点在于： ①比其它大多数BGA封装类型更轻更小(尤其是I/O数较高的封装)。 ②具有比QFP和PBGA封装更优越的电性能。 ③可适于批量电子组装。 此外，这种封装采用高密度的倒装片形式实现硅片与载体的连接，使TBGA具有信号噪声小等很多优点，由于印制板和TBGA封装中加固层的热膨胀系数TCE基本上是相互匹配的，所以对组装后TBGA焊点可靠性的影响并不大，TBGA封装遇到的最主要问题是潮气的吸收对封装的影响。 TBGA应用遇到的问题是如何才能在电子组装领域中占有一席之地，首先TBGA的可靠性必须能在批量生产环境中予以证实，其次TBGA封装的费用必须要能和PBGA封装相比拟。由于TBGA的复杂性和相对高的封装费用，TBGA目前主要用于高性能、高I/O数的电子产品。 2 Flip Chip : 和其它表面安装器件不同，倒装片无封装，互联阵列分布于硅片的表面，取代了金属丝压焊连接形式，硅片直接以倒扣方式安装到PCB上。倒装片不再需要从硅片向四周引出I/O端，互联的长度大大缩短，减小了RC延迟，有效地提高了电性能。倒装片连接有三种主要类型：C4、DC4和FCAA。 2.1 C4(Controlled Collapse Chip Connection可控坍塌芯片连接) 图7 C4结构形式 C4是类似超细间距BGA的一种形式(见图7)。与硅片连接的焊球阵列一般的间距为0.203～0.254mm，焊球直径为0.102～0.127mm，焊球组份为97Pb/3Sn，这些焊球在硅片上可以呈完全分布或部分分布。由于陶瓷可以承受较高的回流温度，因此陶瓷被用来作为C4连接的基材，通常是在陶瓷的表面上预先分布有镀Au或Sn的连接盘，然后进行C4形式的倒装片连接。 C4连接不能使用目前现有的组装设备和工艺进行组装，因为97Pb/3Sn焊球的熔化温度是320℃，且在这种采用C4连接的互联结构中不存在其它组份的焊料。在C4连接中，取代了焊膏漏印，而是采用印刷高温助焊剂的方式，首先将高温助焊剂印刷到基材的焊盘或硅片的焊球上，然后硅片上的焊球和基材上相应焊盘精确对位，通过助焊剂提供足够的粘附力来保持相对位置并直到回流焊接完成。C4连接采用的回流温度为360℃，在该温度下焊球熔化，硅片处于“悬浮”状态，由于焊料表面张力的作用，硅片会自动校正焊球和焊盘的相对位置，最终焊料坍塌至一定的高度形成连接点。C4连接方式主要应用于CBGA和CCGA封装中，此外，有些厂家在陶瓷多芯片模块(MCM—C)应用中也使用这种技术。目前采用C4连接的I/O数在1500以下，一些公司预期开发的I/O数将超过3000。 C4连接的优点在于： 1)具有优良的电性能和热特性。 2)在中等焊球间距的情况下，I/O数可以很高。 3)不受焊盘尺寸的限制。 4)可以适于批量生产。 5)可大大减小尺寸和重量。 此外，C4连接在硅片和基材之间只有一个互联界面，可提供最短的、干扰最小的信号传递通道，减少的界面数量使得结构更简单，并且可靠性更高。C4连接在技术上还存在很多挑战，真正应用于电子产品还有一定的难度。C4连接方式只能适用于陶瓷基材，它们将在高性能、高I/O数的产品中得到广泛的应用，例如CBGA、CCGA和MCM—C等。 2.2 DCA(Direct Chip Attach 直接芯片连接) DCA和C4类似，是一种超细间距连接(见图8)。DCA的硅片和C4连接中的硅片结构相同，两者之间的唯一区别在于基材的选择，DCA采用的基材是典型的印制材料。DCA的焊球组份是97Pb/3Sn，连接焊接盘上的焊料是共晶焊料(37Pb/63Sn)。对于DCA，由于间距仅为0.203～0.254mm，共晶焊料漏印到连接焊盘上相当困难，所以取代焊膏漏印这种方式，在组装前给连接焊盘顶镀上铅锡焊料，焊盘上的焊料体积要求十分严格，通常要比其它超细间距元件所用的焊料多。在连接焊盘上0.051～0.102mm厚的焊料由于是预镀的，一般略呈圆顶状，必须要在贴片前整平，否则会影响焊球和焊盘的可靠对位。 图8 DCA结构形式 这种连接方式可以用现在的表面安装设备和工艺实现。首先，助焊剂通过印刷方式被分配到硅片上，然后进行硅片的贴装，最后回流焊接。DCA组装采用的回流温度约220℃，低于焊球的熔点但高于连接焊盘上的共晶焊料熔点，硅片上焊球的作用相当于刚性支撑，回流之后共晶焊料熔化，在焊球与焊盘之间形成焊点连接。对于这种采用两种不同的Pb/Sn组份形成的焊点，在焊点中两种焊料的界面实际并不明显，而是形成从97Pb/3Sn到37Pb/63Sn的光滑过渡区域。由于焊球的刚性支撑作用，DCA组装中焊球不“坍塌”，但还具有自校正特性。DCA已经开始得到应用，I/O数主要在350以下，一些公司计划开发的I/O数超过500。这种技术发展的动力不是更高的I/O数，而主要是着眼于尺寸、重量和费用的减小。DCA的特点和C4非常相似，由于DCA可以利用现有的表面安装工艺实现与PCB的连接，所以能采用这种技术的应用很多，尤其是在便携式电子产品中的应用。 然而并不能夸大DCA技术的优点，在DCA技术的发展过程中仍有许多技术挑战。在实际生产中使用这种技术的组装厂家为数并不多，他们都在努力提高工艺水平，以扩大DCA的应用。由于DCA连接把那些和高密度相关的复杂性转移到PCB上，所以给PCB的制造增加了难度，此外，专门生产带有焊球的硅片的厂家为数不多，在组装设备、工艺等各方面仍存在着很多值得关注的问题，只有这些问题得到了解决，才能推动DCA技术的发展。 2.3 FCAA(Flip Chip Adhesive Attachment 倒装片胶连接) FCAA连接存在多种形式，当前仍处于初期开发阶段。硅片与基材之间的连接不采用焊料，而是用胶来代替。这种连接中的硅片底部可以有焊球，也可以采用焊料凸点等结构。FCAA所用的胶包括各向同性和各向异性等多种类型，主要取决于实际应用中的连接状况。另外，基材的选用通常有陶瓷、印制板材料和柔性电路板等。这种技术目前尚未成熟，在这里就不作更多的阐述。
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BGA的全称是Ball Grid Array（球栅阵列结构的PCB），它是集成电路采用有机载板的一种封装法。它具有：①封装面积减少②功能加大，引脚数目增多③PCB板溶焊时能自我居中，易上锡④可靠性高⑤电性能好，整体成本低等特点。有BGA的PCB板一般小孔较多，大多数客户BGA下过孔设计为成品孔直径8~12mil，BGA处表面贴到孔的距离以规格为31.5mil为例，一般不小于10.5mil。BGA下过孔需塞孔，BGA焊盘不允许上油墨，BGA焊盘上不钻孔。- S% X. i: E% h5 O% X* o" ?# _我们公司目前对BGA下过孔塞孔主要采用工艺有：①铲平前塞孔：适用于BGA塞孔处阻焊单面露出或部分露出，若两种塞孔孔径相差1.5mm时，则无论是否阻焊两面覆盖均采用此工艺；②阻焊塞孔：应用于BGA塞孔处阻焊两面覆盖的板；③整平前后的塞孔：用于厚铜箔板或其他特殊需要的板。所塞钻孔尺寸有：0.25、0.30、0.35、0.40、0.45、0.50、0.55mm共7种。# T4 Z* |" c4 R在CAM制作中BGA应做怎样处理呢？' e+ d; L5 [4 h( Z, O# _3 j# F一、外层线路BGA处的制作：- Z4 Q8 p, g6 P6 ~: F1 p" X% a( c在客户资料未作处理前，先对其进行全面了解，BGA的规格、客户设计焊盘的大小、阵列情况、BGA下过孔的大小、孔到BGA焊盘的距离，铜厚要求为1~1.5盎司的PCB板，除了特定客户的制作按其验收要求做相应补偿外，其余客户若生产中采用掩孔蚀刻工艺时一般补偿2mil，采用图电工艺则补偿2.5mil，规格为31.5mil BGA的不采用图电工艺加工；当客户所设计BGA到过孔距离小于8.5mil，而BGA下过孔又不居中时，可选用以下方法：( i* H! i. o/ Q7 M可参照BGA规格、设计焊盘大小对应客户所设计BGA位置做一个标准BGA阵列，再以其为基准将需校正的BGA及BGA下过孔进行拍正，拍过之后要与原未拍前备份的层次对比检查一下拍正前后的效果，如果BGA焊盘前后偏差较大，则不可采用，只拍BGA下过孔的位置。! W, {+ f/ x2 G二、BGA阻焊制作： 8 A) ^/ ?% b. D7 T: c1、BGA表面贴阻焊开窗：与阻焊优化值一样其单边开窗范围为1.25~3mil，阻焊距线条（或过孔焊盘）间距大于等于1.5mil； ( p/ s: ^5 @, Z' z2、BGA塞孔模板层及垫板层的处理：! A" N( l% Q& V2 F$ y. Q4 L①制做2MM层：以线路层BGA焊盘拷贝出为另一层2MM层并将其处理为2MM范围的方形体，2MM中间不可有空白、缺口（如有客户要求以BGA处字符框为塞孔范围，则以BGA处字符框为2MM范围做同样处理），做好2MM实体后要与字符层BGA处字符框对比一下，二者取较大者为2MM层。) T$ f4 e- X; U% l0 Q②塞孔层（JOB.bga）：以孔层碰2MM层（用面板中Actionsàreference selection功能参考2MM层进行选择），参数Mode选Touch，将BGA 2MM范围内需塞的孔拷贝到塞孔层，并命名为：JOB.bga（注意，如客户要求BGA处测试孔不作塞孔处理，则需将测试孔选出，BGA测试孔特征为：阻焊两面开满窗或单面开窗）。7 c7 z" j" b. e3 Y7 g* e5 ]③拷贝塞孔层为另一垫板层（JOB.sdb）。* A8 _; t2 B- G% R. y④按BGA塞孔文件调整塞孔层孔径和垫板层孔径。4 \* e, {1 D! e6 r/ v* [三、BGA对应堵孔层、字符层处理：5 j* C% S, w3 }' w g①需要塞孔的地方，堵孔层两面均不加挡点；) p2 m1 t2 x/ U) \* G4 s②字符层相对塞孔处过孔允许白油进孔。5 K1 {0 M# G5 |7 y* M' y以上步骤完成后，BGA CAM的单板制作就完成了，这只是目前BGA CAM的单板制作情况，其实由于电子信息产品的日新月异，PCB行业的激烈竞争，关于BGA塞孔的制作规程是经常在更换，并不断有新的突破。这每次的突破，使产品又上一个台阶，更适应市场变化的要求。我们期待更优越的关于BGA塞孔或其它的工艺出炉。