『壹』 半导体芯片制造废水处理方法
芯片制造生产工艺复杂，包括硅片清洗、化学气相沉积、刻蚀等工序反复交专叉，生产中使属用了大量的化学试剂如HF、H2SO4、NH3・H2O等。
所以一般芯片制造废水处理系统有含氨废水处理系统+含氟废水处理系统+CMP研磨废水处理系统。具体方案可以咨询泽润环境科技（广东）有限公司网页链接
『贰』 请问半导体工艺废气如何处理
半导体废气处理废气介绍：由于半导体工艺对操作室清洁度要求极高，通常使用风机抽取工艺过程中挥发的各类废气，因此半导体行业废气排放具有排气量大、排放浓度小的特点。废气排放也以挥发为主。这些废气主要可以分为四类：酸性废气、碱性废气、有机废气和有毒废气。废气危害：半导体制造工艺中产生的废气如果没有经过很好的处理进行排放，将造成严重的问题，不仅影响人们的身体健康，恶化大气环境，造成环境污染的公害事件等，也会成为半导体制造中AMC污染的重要来源。处理方法：依据这些废气的特性，在处理上采用水洗、氧化/燃烧、吸附、解离、冷凝等方法，针对不同污染物，可采取以下综合处理方法：1.一般排气系统 2.酸性、碱性废气处理系统 3.有机废气处理系统
『叁』 有人了解半导体超纯水清洗废水回用处理生产用水国家标准吗
关于半导体超纯水清洗废水回用处理的相关信息，可以登录相关网站查询，如http://www.cncsyh.com或者http://www.purewaterone.com等网专站上面都介绍属的比较详细！
『肆』 如何处理PET清洗后的废水,也就是说处理处理掉其中的表面活性剂呢
超高压清洗机PET清洗行业是把垃圾送上殿堂的行业，其要求比一般的加工行业要求更高！ 以下为重点设施的要求：首先是料场的选择，一般的小型清洗工厂（日产2—3吨）也要3-5亩的堆料场地，太小了就会影响生产。大型洗料厂堆料的场地就更大了。所以，在筹建清洗工厂的时候，首先要考虑的就是料场的问题。其次是车间，小型pet清洗流水线要求的车间面积要150平米左右，要求硬化地面，干净、整洁。不然造成二次污染后，只有低价销售，把很好的原料做成次品。真正的清洗工厂对车间的要求非常严格，只有做到和食品工厂差不多的干净程度，才能做出高质量的瓶片。决不允许有二次污染的情况发生。当然从废料到成品是一个很复杂的过程，要做出高质量的产品，要经过十几道工序才能完成，正规的清洗工厂用电量是很大的，一般的小型清洗流水线加上粉碎部分，高压清洗机配件用电也要在80KW左右，在电力紧张的地方，首先要解决电的问题，才能考虑上这个项目。还有就是清洗一吨PET瓶片用水是5—10吨左右，即使是现在最好的设备，用水量也不能少于3吨，在水源紧张的地方，上这个项目有一定的困难。
最后就是排水问题，清洗废水里含有碱、磷、表面活性剂、油脂等化学物质，还有大量的沙土等脏东西，这种废水可以用于农田、树木的灌溉，可以增加土壤养分，增加土地肥力（高压水清洗机含碱太高的除外）。也可以放入废水坑里自然蒸发。但不可放入江河湖海等水源里，这样会造成水质的富营养化，破坏生态平衡。在建设清洗工厂的时候，要考虑好排水的问题。以免造成环境污染。 综上所述，清洗工厂必须要符合料场、车间、电力、给水、排水这5个建设的基本要求才可以。所以建设PET清洗工厂的基础设施是需要高标准、严要求的，一点也马虎不得。
『伍』 半导体化学原料的成份，需要了解。
环氧塑封料的工艺选择
1.1 预成型料块的处理
（1） 预成型塑封料块一般都储存在5℃-10℃的环境中，必会有不同程度的吸潮。因此在使用前应在干燥的地方室温醒料，一般不低于16小时。
（2）料块的密度要高。疏松的料块会含有过多的空气和湿气，经醒料和高频预热也不易挥发干净，会造成器件包封层内水平增多。=>半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,
（3） 料块大小要适中，料块小，模具填充不良；料块大，启模困难，模具与注塑杆沾污严重并造成材料的浪费。
1.2 模具的温度半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试, 生产过程中，模具温度控制在略高于塑封料玻璃化温度Tg时，能获得较理想的流动性，约160℃-180℃。模具温度过高，塑封料固化过快，内应力增大，包封层与框架粘接力下降。同时，固化过快也会使模具冲不满；模具温度过低，塑封料流动性差，同样会出现模具填充不良，包封层机械强度下降。同时，保持模具各区域温度均匀是非常重要的，因为模具温度不均匀，会造成塑封料固化程度不均匀，导致器件机械强度不一致
1.3 注塑压力=>半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,注塑压力的选择，要根据塑封料的流动性和模具温度而定，压力过小，器件包封层密度低，与框架黏结性差，易发生吸湿腐蚀，并出现模具没有注满塑封料提前固化的情况；压力过大，对内引线冲击力增大，造成内引线被冲歪或冲断，并可能出现溢料，堵塞出气孔，产生气泡和填充不良。1.4 注模速度
注模速度的选择主要根据塑封料的凝胶化时间确定。凝胶化时间短，注模速度要稍快，反之亦然。注模要在凝胶化时间结束前完成，否则由于塑封料的提前固化造成内引线冲断或包封层缺陷。1.5 塑封工艺调整=>半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,在实际生产过程中出现如表1所示情况时，可对工艺条件进行适当调整。对工艺调整的同时，还应注意到预成型料块的保管、模具的清洗、环境的温湿度等原因对塑封恭工序的影响。
2 塑封料性能对器件可靠性的影响
2.1 塑封料的吸湿性和化学粘接性 对塑封器件而言，湿气渗入是影响其气密性导致失效的重要原因之一。湿气渗入器件主要有两条途径（1） 通过塑封料包封层本体；
（2） 通过塑封料包封层与金属框架间的间隙。当湿气通过这两条途径到达芯片表面时，在其表面形成一层导电水膜，并将塑封料中的Na+、CL-离子也随之带入，在电位差的作为下，加速了对芯片表面铝布线的电化学腐蚀，最终导致电路内引线开路。随着电路集成度的不断提高，铝布线越来越细，因此，铝布线腐蚀对器件寿命的影响就越发严重。 针对上述问题，我们必须要求：=>半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,
（1） 塑封料要有较高的纯度，Na+、CL离子降至最低（2） 塑封料的主要成分环境标环氧树脂与无机填料的结合力要高，以阻止湿气由本体的渗入。,MEMS（3） 塑封料与框架金属要有较好的粘接性；
（4） 芯片表面的钝化层要尽可能地完善，其对湿气也有很好的屏蔽作用
2.2 塑封料的内应力
由于塑封料、芯片、金属框架的线膨胀系数不匹配而产生的内应力，对器件密封性有着不可忽视的影响。因为塑封料膨胀系数（20-26E-6/℃）比芯片、框架（-16E-6/℃）的较大，在注模成型冷却或在器件使用环境的温差较大时，有可能导致压焊点脱开，焊线断裂甚至包封层与框架粘接处脱离，由此而引起其器件失效。由此可见，塑封料的线膨胀系数应尽可能的低，但这个降低是收到限制的，因为在降低应力的同时，塑封料的热导率也随之降低，这对于封装大功率的器件十分不利，要使这两个方面得以兼顾，取决于配方中填料的类型和用量。填料一般为熔融型或结晶型硅粉，在某些性能需要方面有时候还需要添加球形或气相硅粉。
2.3 塑封料的流动性注塑时模具温度在160℃-180℃，塑料呈熔融状态，其流动性对注模成功与否至关重要，流动性低于焊线冲击增大（金丝抗拉力5g-12g），焊线易被冲歪或冲断，并易造成模具冲不满，包封层表面出现褶皱和坑洼；流动性过高，溢料严重，当溢料过早地将模具出气孔堵塞时，空气排不尽，包封层会出现气孔或气泡。
在塑封料诸成分中，对流动性起主要作用的是主体环氧树脂的熔融黏度和填料二氧化硅的用量和颗粒粗细。结晶型硅粉具有高导热性，但黏度高，比重大，流速下降。熔融型硅粉流动性好，但导热差。因此在世纪生产中应根据封装器件性能不同选择使用，包括两者的混合使用。 3 总结 对于封装工艺的选择，我们一旦了解了封装过程中的几个主要影响因素，在封装过程中就可根据不同的地域、不同的环境和气侯，而进行不同的工艺调整。同时，对封装人员来说也要加强对环氧塑封料的认识。
塑封胶一般是改性聚丁二烯，清模胶是含二氮杂双环化合物，综合来说这些胶类都是有机聚合物，化学元素就是C,H,N，有时根据胶的要求会加入S，Cl等元素，大部分对身体有害。
前面的工艺确实不了解，只能网络搜一下给你了
『陆』 光伏和半导体产业中的废水处理
光伏行业和半导体产业。你是指的整个产业链的废水吗？所有半导体产业中，使内用的都容是纯水，也就是去离子水，都电子级标准。污水主要还是以酸性和碱性的为主，没有重金属污染。但是会有一些固体废弃物。国家环保部门有污水废气的排放标准。
『柒』 电子半导体废水的处理
大多用石灰，实现酸碱中和，中间的金属离子就不知道了。
『捌』 半导体制造，DNS清洗机是做什么的使用哪些液另外IPA在清洗工序中是什么意思
DNS是厂商名字，中文叫迪恩士,12寸里它为主流设备，其主要主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，最后还有DI清洗。IPA是异丙醇，用于干燥，其干燥槽叫做LPD,为其专利，全名为LOW PRESSURE DRY,低压干燥
『玖』 如何处理半导体(LED)废水
随着单个LED光通亮和发光效率的提高，即将进入普通室内照明、台灯、笔记本电脑背光源、大尺寸LED显示器背光源等市场广阔。 LED生产过程中绝大部分废水产生在原材料和芯片制造过程中，分为拉晶、切磨抛和芯片制造，主要含一般酸碱废水、含氟废水、有机废水、氨氮废水等几种水质，在黄绿光晶片制造过程中还会有含砷废水排出。 2、LED芯片加工废水特点：主要污染物为LED芯片生产过程中排放的大量有机废水和酸碱废水，另有少量含氟废水。有机废水主要污染物为醇、乙醇、双氧水;酸碱废水中主要污染物为无机酸、碱等。 3、LED切磨抛废水特点：主要污染物为大量清洗废水，主要成分为硅胶、弱酸、硫酸、盐酸、研磨砂等。 4、酸碱废水排放：主要包括工艺酸碱废水、废气洗涤塔废水、纯水站酸碱再生废水，采用化学中和法处理。 含砷废水：主要来自背面减薄及划片/分割工序，采用化学沉淀法处理。 一般废水：排放方式均为连续排放，主要指纯水站RO浓缩废水主要污染物为无机盐类，采用生化法去除。 含氟废水：主要清洗废水中含有HF，使用混凝沉淀去除。 高氨氮废水：使用折点加氯法，将废水中的氨氮氧化成N2。投加过量氯或次氯酸钠，使废水中氨完全氧化为N2的方法，称为折点氯化法，其反应可表示为： NH4+十1.5HOCl→0.5N2十1.5H2O十2.5H+十1.5Cl-5、案例： 5.1、LED生产加工之蓝宝石拉晶废水 污水水质、水量： 水量：480t/d;20t/h(24小时连续)废水水质：PH值5.0-10.0无量纲出水要求：达到国家废水二级排放标准(<污水综合排放标准(GB8978-1996)表4标准)的要求。具体指标为：处理工艺酸碱废水进入酸碱废水调节池后与投加的药剂进行中和反应，达到工艺要求后进入有机废水调节池。人工收集到含氟废水收集池，加药剂进行沉淀。上清液达标排放，污泥排入污泥浓缩池处理。 利用有机废水调节池的池容增加生化处理功能，向池内投加厌氧性水解菌，池内配置穿孔水力搅拌系统以加强传质，为后继处理单元提供部分水解处理服务。 废水经过调节后经泵提升进入进入厌氧水解池。 厌氧水解池采用上向流布水形式，利用循环管网系统加强池底部的混流强度，提高反应器内的传质效果。利用微生物的水解酸化作用将废水中难降解的大分子有机物转化为易降解的小分子有机物，将复杂的有机物转变成简单的有机物，提高废水的可生化性，有利于后续的好氧生化处理。出水自流进入接触氧化池。接触氧化池的混合液进入二沉池进行泥水沉淀分离。为保证COD排放达标的处理要求，将二沉池出水导入BAF进行处理。生物曝气滤池的出水流入清水池，为生物曝气滤池提供滤料的反冲洗水，其余的清水达标排放。 5.2、LED生产加工之切磨抛废水 污水水质、水量： 水量：432t/d;18t/h(24小时连续)废水水质：1PH值5.0-10.0无量纲出水要求：达到国家废水二级排放标准(<污水综合排放标准(GB8978-1996)表4标准)的要求。具体指标为：处理工艺根据业主废水的水质情况，在吸取以往同类废水处理装置设计的成功经验和一些同类废水处理装置的实际运行经验，设计污水处理主体工艺路线如下： 格栅池+清洗废水调节池+反应池+物化沉淀池达标排放 污泥处理主体工艺采用工艺路线为： 污泥浓缩+污泥调理+板框压滤泥饼外运 5.3、LED生产加工之芯片废水 污水水质、水量： 有机废水水量：19.4t/h(24小时连续)水质：PH值6.0-8.0无量纲 酸碱废水水量：70t/h(24小时连续)水质：PH值4.0-11.0无量纲 含氟废水水量：4t/h(24小时连续)水质：PH值2.0-4.0无量纲 氟化物≤200mg/L处理工艺酸碱废水进入酸碱废水调节池后与投加的药剂进行中和反应，达到工艺要求后达标排放。含氟废水收集调节后与投加的药剂反应生成不溶性氟化物沉淀，上清液达标排放。