離子刻蝕可以去劃痕嗎

㈠ 劃痕可以拋光消除嗎

只要劃痕不損傷基礎油漆即清漆層有劃痕這個劃痕就能拋光劃痕可以通過汽車拋光去除。對於汽車油漆面的氧化、黑暗、劃痕，可以有效地進行汽車拋光處理，使油漆更加光滑光亮。汽車拋光可以清潔車身，有效清除污垢和腐蝕，達到恢復油漆清潔度的目的。上蠟前先拋光車身，效果會更好，維持時間會更長。沒有辦法去修理廠研磨，效果很好。執照的外觀第二天通過了。所以可以去除輕微的劃痕，但劃痕太深，不能暴露鋼板。但是可以讓修理工先在暴露的地方塗一些油漆。劃痕可以用汽車拋光去除。

光澤可以去除油漆表面的細微劃痕處理汽車油漆表面的輕微損傷和各種污漬。打掃整個車輛用去污力強的油漆清洗劑清潔整個車輛。使用洗滌劑時，在拋光過程中要避免粒子灰塵引起的新劃痕。對於塗層表面的粗糙顆粒、細沙紙印痕、油痕等缺陷，在拋光前，輕輕打磨。粗糙的磨石和精細的磨石。用機械研磨機和粗糙研磨劑研磨水砂紙的痕跡。然後加入磨料進行研磨和拋光。機器拋光機和鏡子處理劑可以去除粗糙葯膏留下的旋轉痕跡達到漆膜的鏡面拋光效果。

㈡ 裝修後發現，家裡的地磚上面有鋁質的劃痕能去掉嗎

相信很多朋友在裝修的時候都經歷過苦惱。例如，地磚不小心被金屬劃傷，留下了金屬劃痕。用水怎麼擦也擦不掉，橡皮也擦不了。地磚上有金屬劃痕，不知道該怎麼去除？不要著急，下次一起看看正確的打掃方法！一個是瓷磚劃痕，瓷磚表面結構不受損，瓷磚清掃干凈後，地板表面沒有痕跡。另一個是地磚金屬劃痕。例如，用鐵釘或鋒利的鐵器刮掉磚表面，形成受損磚表面的劃痕。這個地磚劃痕需要拆下來修理。否則很快就會變得骯臟，用黑色劃痕重新形成。

如果是比較重的金屬推力產生的劃痕，從地磚上取下劃痕可能會更困難。可以使用專門清除金屬劃痕的洗滌劑，以便更容易、更快地清除地板上的金屬劃痕。首先使用前，請保持劃痕上沒有水，戴上橡膠手套和口罩，噴灑洗滌劑，用干抹布反復擦拭，直到劃痕消失。取得滿意效果後，應立即用清水擦拭乾凈，避免殘留。干凈就像新的磚面一樣立即顯現，對瓷磚沒有任何傷害。

㈢ 汽車拋光可以去掉深度劃痕嗎

可以。

汽車拋光是可以去掉劃痕的。對於汽車漆面氧化、暗淡無光澤，車身有劃痕，汽車拋光都是可以有效處理的，使漆面更加平滑光亮。除此之外，汽車拋光還可以清潔車身，有效去除污垢、腐蝕物，達到恢復漆面清潔度的目的。在打蠟、封釉之前拋光車身，可以使得效果更好，保持時間更久。

汽車拋光注意事項

汽車拋光是汽車打蠟和封釉的前期工作，就是利用工具對汽車表面進行一次打磨，平整的操作。一般汽車在噴塗後表面會出現一些，粗粒、砂紙痕、流痕等細小的缺陷，為了彌補這些缺陷，一般我們在噴塗後就需要進行一次打磨，用來提高漆面的鏡面效果，使其更加的光亮、平滑、艷麗等。

一般情況下，汽車拋光基本是在汽車出現劃痕或者生銹的時候進行的。這時我們需要進行局部拋光，局部拋光的價錢是比較便宜的一般就在50左右就可以完成了。

㈣ 打蠟可不可以去掉汽車的刮痕

可以。

汽車打蠟可以暫時的掩蓋劃痕，真正的去除劃痕的辦法是拋光，拋光後的漆面是最嬌氣的，需要做打蠟、封釉或鍍膜保護，最好的漆面鍍膜也杜絕不了太陽紋的產生，只是保持的時間會長，出現太陽紋的概率相對小點而已，尤其是紅色和黑色的車，迎著太陽光看漆面的太陽紋是非常的明顯。

汽車拋光是可以去掉劃痕的。對於汽車漆面氧化、暗淡無光澤，車身有劃痕，汽車拋光都是可以有效處理的，使漆面更加平滑光亮。除此之外，汽車拋光還可以清潔車身，有效去除污垢、腐蝕物，達到回復漆面清潔度的目的。在打蠟、封釉之前拋光車身，可以使得效果更好，保持時間更久。

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注意事項：

1、新車不要隨便打蠟。有人購回新車後便給車輛打蠟，這是不足取的。因為新車本身的漆層上已有層保護蠟，過早打蠟反而會把新車表面的原裝蠟除掉，造成不必要的浪費，一般新車購回五個月內不必急於打蠟。

2、要掌握好打蠟頻率。由於車輛行駛的環境、停放場所不同，打蠟的時間間隔也應有所不同。一般有車庫停放，多在良好道路上行駛的車輛，每3-4個月打一次蠟；露天停放的車輛，由於風吹雨淋，最好每2-3個月打一次蠟。

3、應在陰涼處給汽車打蠟，保證車體不致發熱。因為隨著溫度的升高，車蠟的附著性變差，會影響打蠟質量。

㈤ 誰知道等離子去膠機的原理

等離子去膠法，去膠氣體為氧氣。其工作原理是將矽片置於真空反應系統中，通入少量氧氣，加1500 V高壓，由高頻信號發生器產生高頻信號，使石英管內形成強的電磁場，使氧氣電離，形成氧離子、活化的氧原子、氧分子和電子等混合物的等離子體的輝光柱。活化氧（活潑的原子態氧）可以迅速地將聚醯亞胺膜氧化成為可揮發性氣體，被機械泵抽走，這樣就把矽片上的聚醯亞胺膜去除了。等離子去膠的優點是去膠操作簡單、去膠效率高、表面干凈光潔、無劃痕、成本低、環保
電介質等離子體刻蝕設備一般使用電容耦合等離子體平行板反應器。在平行電極反應器中，反應離子刻蝕腔體採用了陰極面積小，陽極面積大的不對稱設計，被刻蝕物是被置於面積較小的電極上。在射頻電源所產生的熱運動作用下帶負電的自由電子因質量小、運動速度快，很快到達陰極；而正離子則由於質量大，速度慢不能在相同的時間內到達陰極, 從而使陰極附近形成了帶負電的鞘層。正離子在鞘層的加速下，垂直轟擊矽片表面，加快表面的化學反應及反應生成物的脫離，導致很高的刻蝕速率。離子轟擊也使各向異性刻蝕得以實現等離子體去膠的原理和等離子體刻蝕的原理是一致的。不同的是反應氣體的種類和等離子體的激發方式。

㈥ 等離子體刻蝕機 能刻二氧化鈦嗎

可以用離子濺射刻蝕，但選擇比差。
可以用CF4，SF6，含Cl的等離子體增強化學反應刻蝕，刻蝕速率不高。

㈦ 清洗矽片的順序

太陽能矽片表面等離子體清洗工藝

矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。 去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所霈工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。

等離子矽片清洗條件參數：
1、矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝；所用氣體選自02、Ar、N2中的任一種；氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力1040毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
2、如1所述的等離子體清洗方法，其特徵在於所用氣體為02。
3、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
4、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時閭1-5s。
5、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss

說 明 書

等離子清洗涉及刻蝕工藝領域，並且完全滿足去除刻蝕工藝後矽片表面殘
留顆粒的清洗。
背景技術
在刻蝕過程中，顆粒的來源很多：刻蝕用氣體如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蝕性，刻蝕結束後會在矽片表面產生一定數量的顆粒；反應室的石英蓋也會在等離子體的轟擊作用下產生石英顆粒；反應室內的內襯( liner)也會在較長時間的刻蝕過程中產生金屬顆粒。刻蝕後矽片表面殘留的顆粒會阻礙導電連接，導致器件損壞。因此，在刻蝕工藝過程中對顆粒的控制很重要。
目前，常用的去除矽片表面顆粒的方法有兩種：一種是標准清洗( RCA)清洗技術，另一種是用矽片清洗機進行兆聲清洗。RCA清洗技術所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統。其清洗工序為：一號液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀釋的HF(DHF)(HF+H20)—，二號液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除顆粒沾污（粒子），也能去除部分金屬雜質。去除顆粒的原理為：矽片表面由於H202氧化作用生成氧化膜（約6nm，呈親水性），該氧化膜又被NH40H腐蝕，腐蝕後立即發生氧他，氧化和腐蝕反復進行，附著在矽片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內。自然氧化膜約0.6nm厚，與NH40H和H202的濃度及清洗液溫度無關。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與未被氧化的金屬作用生成鹽，並隨去離子水沖洗而被去除，被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。RCA清洗技術存在以下缺陷：需要人工操作，勞動量大，操作環境危險；工藝復雜，清洗時間長，生產效率低；清洗溶劑長期浸泡容易對矽片過腐蝕或留下水痕，影響器件性能；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高；去除
粒子效果較好，但去除金屬雜質Al、Fe效果欠佳。
用矽片清洗機進行兆聲清洗是將矽片吸附在靜電卡盤( chuck)上，清洗過程中矽片不斷旋轉，清洗液噴淋在矽片表面。可以進行不同轉速和噴淋時間的設置，連續完成多步清洗步驟。典型工藝為：兆聲_氨水+雙氧水（可以進行加溫）_水洗_鹽酸+雙氧水-水洗_兆聲一甩干。
用矽片清洗機進行兆聲清洗的缺陷表現為：只能進行單片清洗，單片清洗時間長，導致生產效率較低；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高。

等離子清洗矽片表面顆粒原理：
等離子體清洗方法的原理為：依靠處於「等離子態」的物質的「活化作用，，達到去除物體表面顆粒的目的。它通常包括以下過程：a．無機氣體被激發到等離子態；b．氣相物質被吸附在固體表面；c．被吸附基團與固體表面分子反應生成產物分子；d．產物分子解析形成氣相；e．反應殘余物脫離表面。
等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗（purge）流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。
所用工藝氣體選自02、Ar、N2中的任一種。優選地，所用工藝氣體選
02。
以上所述的等離子體清洗方法，氕體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s；啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時間1.Ss。
更優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
等離子清洗矽片後效果：
本發明所述的去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所需工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。
附圖說明
圖1等離子體清洗前後的CD-SEM（關鍵尺寸量測儀器）圖片；
其中，CD: Criticaldimension關鍵尺寸。
圖2等離子體清洗前後的FE-SEM（場發射顯微鏡）圖片；
其中，FE: field emission場發射。
圖3等離子體清洗前後的particle（粒子）圖片。
在進行完BT（break through自然氧化層去除步驟）、ME（Main Etch主刻步驟）、OE（過刻步驟）的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行02的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，通氣時間為3s;然後，進行含有02的啟輝過程：腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，上RF的功率設置為300W．啟輝時間為Ss。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行Ar的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有Ar的啟輝過程：腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，上RF的功率設置為400W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行N2的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有N2的啟輝過程：腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，上RF的功率設置為250W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
南京世鋒科技等離子研究中心 QQ283加5883加29

㈧ 等離子體刻蝕是什麼

等離子體刻蝕（也稱干法刻蝕）是集成電路製造中的關鍵工藝之一，其目的是完整地將掩膜圖形復制到矽片表面，其范圍涵蓋前端CMOS柵極（Gate）大小的控制，以及後端金屬鋁的刻蝕及Via和Trench的刻蝕。在今天沒有一個集成電路晶元能在缺乏等離子體刻蝕技術情況下完成。刻蝕設備的投資在整個晶元廠的設備投資中約佔10%~12%比重，它的工藝水平將直接影響到最終產品質量及生產技術的先進性。
最早報道等離子體刻蝕的技術文獻於1973年在日本發表，並很快引起了工業界的重視。至今還在集成電路製造中廣泛應用的平行電極刻蝕反應室（Reactive Ion Etch-RIE）是在1974年提出的設想。
圖1顯示了這種反應室的剖面示意圖和重要的實驗參數，它是由下列幾項組成：一個真空腔體和真空系統，一個氣體系統用於提供精確的氣體種類和流量，射頻電源及其調節匹配電路系統。
等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個步驟：
● 在低壓下，反應氣體在射頻功率的激發下，產生電離並形成等離子體，等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應腔體中
的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量並形成大量的活性基團（Radicals）
● 活性反應基團和被刻蝕物質表面形成化學反應並形成揮發性的反應生成物
● 反應生成物脫離被刻蝕物質表面，並被真空系統抽出腔體。
在平行電極等離子體反應腔體中，被刻蝕物是被置於面積較小的電極上，在這種情況，一個直流偏壓會在等離子體和該電極間形成，並使帶正電的反應氣體離子加速撞擊被刻蝕物質表面，這種離子轟擊可大大加快表面的化學反應，及反應生成物的脫附，從而導致很高的刻蝕速率，正是由於離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實現。
資料來自：www.uniplasma.com

㈨ 什麼是反應離子刻蝕

這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。矽片處於陰極電位，放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直於矽片表面的電場加速，垂直入射到矽片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應，產生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地抑制了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應，大大提高了刻蝕的各向異性特性。反應離子刻蝕是超大規模集成電路工藝中很有發展前景的一種刻蝕方法。