① 如何處理半導體(LED)廢水
隨著單個LED光通亮和發光效率的提高，即將進入普通室內照明、台燈、筆記本電腦背光源、大尺寸LED顯示器背光源等市場廣闊。 LED生產過程中絕大部分廢水產生在原材料和晶元製造過程中，分為拉晶、切磨拋和晶元製造，主要含一般酸鹼廢水、含氟廢水、有機廢水、氨氮廢水等幾種水質，在黃綠光晶片製造過程中還會有含砷廢水排出。 2、LED晶元加工廢水特點：主要污染物為LED晶元生產過程中排放的大量有機廢水和酸鹼廢水，另有少量含氟廢水。有機廢水主要污染物為醇、乙醇、雙氧水;酸鹼廢水中主要污染物為無機酸、鹼等。 3、LED切磨拋廢水特點：主要污染物為大量清洗廢水，主要成分為硅膠、弱酸、硫酸、鹽酸、研磨砂等。 4、酸鹼廢水排放：主要包括工藝酸鹼廢水、廢氣洗滌塔廢水、純水站酸鹼再生廢水，採用化學中和法處理。 含砷廢水：主要來自背面減薄及劃片/分割工序，採用化學沉澱法處理。 一般廢水：排放方式均為連續排放，主要指純水站RO濃縮廢水主要污染物為無機鹽類，採用生化法去除。 含氟廢水：主要清洗廢水中含有HF，使用混凝沉澱去除。 高氨氮廢水：使用折點加氯法，將廢水中的氨氮氧化成N2。投加過量氯或次氯酸鈉，使廢水中氨完全氧化為N2的方法，稱為折點氯化法，其反應可表示為： NH4+十1.5HOCl→0.5N2十1.5H2O十2.5H+十1.5Cl-5、案例： 5.1、LED生產加工之藍寶石拉晶廢水 污水水質、水量： 水量：480t/d;20t/h(24小時連續)廢水水質：PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為：處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應，達到工藝要求後進入有機廢水調節池。人工收集到含氟廢水收集池，加葯劑進行沉澱。上清液達標排放，污泥排入污泥濃縮池處理。 利用有機廢水調節池的池容增加生化處理功能，向池內投加厭氧性水解菌，池內配置穿孔水力攪拌系統以加強傳質，為後繼處理單元提供部分水解處理服務。 廢水經過調節後經泵提升進入進入厭氧水解池。 厭氧水解池採用上向流布水形式，利用循環管網系統加強池底部的混流強度，提高反應器內的傳質效果。利用微生物的水解酸化作用將廢水中難降解的大分子有機物轉化為易降解的小分子有機物，將復雜的有機物轉變成簡單的有機物，提高廢水的可生化性，有利於後續的好氧生化處理。出水自流進入接觸氧化池。接觸氧化池的混合液進入二沉池進行泥水沉澱分離。為保證COD排放達標的處理要求，將二沉池出水導入BAF進行處理。生物曝氣濾池的出水流入清水池，為生物曝氣濾池提供濾料的反沖洗水，其餘的清水達標排放。 5.2、LED生產加工之切磨拋廢水 污水水質、水量： 水量：432t/d;18t/h(24小時連續)廢水水質：1PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為：處理工藝根據業主廢水的水質情況，在吸取以往同類廢水處理裝置設計的成功經驗和一些同類廢水處理裝置的實際運行經驗，設計污水處理主體工藝路線如下： 格柵池+清洗廢水調節池+反應池+物化沉澱池達標排放 污泥處理主體工藝採用工藝路線為： 污泥濃縮+污泥調理+板框壓濾泥餅外運 5.3、LED生產加工之晶元廢水 污水水質、水量： 有機廢水水量：19.4t/h(24小時連續)水質：PH值6.0-8.0無量綱 酸鹼廢水水量：70t/h(24小時連續)水質：PH值4.0-11.0無量綱 含氟廢水水量：4t/h(24小時連續)水質：PH值2.0-4.0無量綱 氟化物≤200mg/L處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應，達到工藝要求後達標排放。含氟廢水收集調節後與投加的葯劑反應生成不溶性氟化物沉澱，上清液達標排放。
② 半導體行業有用到超聲波清洗機嗎
超聲波清洗機已經在半導體行業廣泛應用了，超聲波清洗機能有效去除矽片、晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。
③ 超純水除硼 ，晶元專用超純水硼的去除方法
硼作為五號元素，處於IIIA族中唯一的非金屬元素。它是製造P型半導體的關鍵摻雜劑，半導體的極限電壓依賴於基材中的硼含量。在半導體製造中，水、氣、化學物質直接與產品接觸，超純水的質量至關重要。若超純水中硼含量控制不力，將影響基材中硼的含量。
在低濃度下，硼在水中以硼酸或硼酸根形式存在，其比例隨pH值變化。pH超過11時，主要以硼酸根形式存在；而pH小於7時，主要以硼酸形式存在。硼酸的電離常數僅為5.8 x 10-10，電離能力極弱，因此，常規水處理過程中，硼酸難以去除。
超純水中的硼離子去除需結合高級凈化技術，包括預處理、反滲透、離子交換、蒸餾、紫外線或超濾等。一個完整的超純水系統整合了這些工藝，通過過濾、離子交換、精密加葯、反滲透膜處理、紫外線消毒和EDI（電去離子）及拋光離子吸附過濾等環節，確保最終產水的電阻率超過18.25MΩ/cm，達到超純標准。
地殼中硼的平均豐度為10ppm，火成岩中含硼量在12ppm至8ppm之間。在半導體製造中，硼的存在會嚴重影響設備性能和實驗結果，因此需要採取措施去除超純水中的硼離子。
晶元半導體行業對硼的要求為10ppt以下，現有部分工藝無法滿足該標准。杜笙離子交換樹脂CH-99通過選擇性吸附硼，確保出水穩定無波動。
Tulsimer® CH-99是一款高效選擇性離子交換樹脂，專為去除水溶液中的硼及其鹽而設計。它在廣泛的pH范圍內表現出色，並能高效去除硼及其鹽，即使在有其他離子存在的情況下也是如此。通過其胺聚羥基官能團與硼酸鹽緊密結合，形成穩定的絡合物，從而去除硼酸鹽，不受其他陰離子影響。
二、重要參數
Tulsimer® CH-99按嚴格工藝製成，作為去除水溶液中硼及其鹽的選擇性離子交換樹脂，其特點和優勢主要體現在以下幾個方面：
1. 高選擇性：CH-99樹脂具有與硼生成絡合物的多羥基胺功能基團，使其在低濃度環境下也能高效吸附硼元素。
2. 高吸附速度：優化的三維空間立體網路樹脂結構和功能活性基團，確保快速吸附動力學，提高處理效率。
3. 強吸附性能：高吸附容量和吸附速度，能有效降低溶液中硼的濃度，適用於低濃度環境下的硼元素去除和回收。
4. 顯著經濟效益：高效吸附性能降低操作時間與樹脂使用量，減少能耗及整體成本，提高經濟效益。
5. 穩定性強：在多種鹽類共存環境中，對CH-99樹脂影響較小，保持穩定的吸附效果，不易受其他物質影響。
6. 廣泛應用：適用於飲用水處理、超純水、海水淡化、廢水除硼等多個領域。
7. 環保友好：通過選擇性吸附而非化學沉澱，減少化學試劑使用，降低二次污染風險。
④ 半導體製造工藝中各類廢氣是如何產生的
半導體行業在晶元製程工藝中，持續使用有機溶劑和酸溶液，產生大量有毒有害廢氣，需經廢氣處理達標後高空排放。本文詳細解析半導體晶元製程工藝中各類廢氣的產生原因、處理技術及系統配置。
半導體行業晶元製造包含5個主要階段：材料准備、晶體生長與晶圓准備、晶圓製造與初測、封裝、終測。廢氣主要產生於集成電路製造過程，涉及薄膜沉積、光刻、摻雜、清洗等關鍵工藝。
1、薄膜沉積工藝：涉及熱氧化、化學氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）。熱氧化工藝產生的主要廢氣包括酸性廢氣，來源於未反應的含鹵素氧化劑。CVD工藝產生的廢氣種類各異，來源於未反應原料氣和生成的酸性氣體，如SiH4、SiCl4、SiH2Cl2、PH3、HF、HCl、NH3等。PVD工藝以惰性氣體為介質，生成的污染物主要為固廢。
2、光刻工藝：光刻膠在軟烘焙與硬烘焙過程產生的有機廢氣，以及NH3源於顯影液揮發。濕法與干法刻蝕工藝產生的廢氣包括酸、鹼、有機廢氣與氣態副產物，如H2、NO、NH3等。濕法去膠工藝產生主要廢氣為酸性廢氣與有機廢氣，干法去膠工藝產生有機廢氣與CO、CO2、H2O。平坦化工藝中的化學機械研磨（CMP）產生的廢氣為酸、鹼、有機廢氣。
3、摻雜工藝：熱擴散與離子注入工藝產生的主要廢氣為含磷烷、砷烷的酸性廢氣。
4、清洗工藝：酸、鹼與有機溶劑的使用產生廢氣，清洗液種類根據去除對象的不同而變化。
半導體廢氣處理技術與系統：廢氣通過分類密閉收集，分為酸性、鹼性、有機、一般尾氣等。處理系統包括本地（POU）與中央處理系統。酸性廢氣通過酸鹼中和，使用噴淋洗滌工藝處理，常用的吸收液為NaOH或NaClO溶液。鹼性廢氣採用噴淋洗滌處理，常用吸收液為H2SO4溶液。有機廢氣處理技術包括活性炭吸附與沸石濃縮轉輪+焚燒。砷排處理系統在Fab中央端再次進行乾式吸附，常用設備為砷磷烷吸附塔，吸附後通過末端風機負壓達標排放。
本文詳細解析了半導體製造工藝中各類廢氣的產生原因、處理技術及系統配置，為企業提供參考。