薄膜電容樹脂封裝方法

A. 環氧樹脂AB膠怎麼封裝的，求方法！

賽恩思專門為您源解答：a)
A料70~80預熱（上下限50~130℃）。b)
按比例加入B料、色膏、光擴散劑，混合並攪拌均勻。c)
在-0.1MPa/40℃度真空脫泡8-10分鍾。d)
灌膠：將AB混合膠注入灌膠機。e)
頂膠：又叫打碗，就是將支架光杯先灌滿膠水，以免在插支架時產生氣泡。頂膠所用的膠水有：A膠；B膠（粘度低，不易產生氣泡）；AB膠；酒精等。

B. 薄膜電容器製作流程及要求有哪些

薄膜電容器主要的製作流程及要求有如下的：
1、切膜:將金屬箔依產品設計的容量，用切膜機裁切成所需之設計寬度。要求裁切時沒有毛刺，外觀無臟污和起皺。
2、卷繞:按工藝之要求,選擇針芯和金屬膜,用卷繞機卷繞成芯子。要求薄膜電容容量符合設計要求，芯子端面平整燒膜干凈張力適中，薄膜不能劃傷。
3、熱壓:按工藝的要求，在熱壓機上選擇適當的熱壓參數(壓力,溫度,時間)，將芯子壓扁成型。要求芯子在輕微施加外力時不能松動，薄膜不能分層。
4、編帶:根據工藝的要求,選擇合適的膠紙,將芯子編成卷狀。要求膠紙粘性良好，膠紙不能蓋住芯子端面。
5、噴金:在芯子的兩個端面噴上金屬層。按工藝的要求,選擇噴金距離,氣壓，走絲速度。要求噴金厚度和附著力附合要求。
6、滾邊:噴金後將編帶拆開,用滾筒機將噴金後的殘余邊和芯子表面所粘附的多餘金屬粉塵去除。滾邊時間和速度參考工藝要求。要求芯子端面無多餘金屬邊，表面無金屬粉塵。
7、真空乾燥:依產品要求而定，乾燥箱選擇合格的溫度,壓力,和時間,以提高薄膜電容產品的電性能。要求保證機器所設參數的准確性。
8、賦能:依薄膜電容產品特性而定，選擇合適的遞增電壓，提高薄膜電容產品電性能。要求電壓設置准確。
9、焊合：將引腳焊合在芯子上。要求線徑和長度正確,位置適中,焊合電流正確，
不能燙到金屬膜，焊點光滑，沒有毛刺，無虛焊。
10、插件:將芯子插入塑膠殼中。要求芯子居予外殼中間，且固定
11、灌封：將灌封料灌封於塑膠殼內。要求灌封料配比正確,攪拌均勻，引出端及殼面不能有樹脂,脂面無氣泡.尺寸准確。
12、印字：將相關信息印在物料表面。要求薄膜電容標識正確,絲印清晰，居中，不易脫落。
13、出貨檢驗：性能抽檢(容量,損耗,耐壓,絕緣電阻)外觀要膠殼光滑,無劃傷，毛刺，樹脂等不好現象。

C. 薄膜電容的幾款類型的共通點與應用是怎樣的

CG瓷谷電子為大家介紹薄膜電容的幾款類型的共通點與應用：現在大量生產的塑料薄膜電容器有聚苯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚四氟乙烯，聚酯，聚碳酸酯，復合膜等
1）CBB22金屬化聚丙烯膜直流電容器
金屬化聚丙烯膜作介質和電極，用用於阻燃絕緣材料包封單向引出，具有電性能優良、可靠性好、損耗小及良好的自愈性能
用途：產品廣泛使用於儀器、儀表、電視機、收音機及家用電器線路中作直流脈動、脈沖和交流將壓用，特別適用於各種類型的節能燈和電子整流器
CBB91型金屬化聚丙烯電容器特點與用途是：絕緣帶外包裹，環氧樹脂灌封，軸向引出
具有高絕緣、低損耗，頻率特性好，等效串聯電阻低等特點
適用用於音響的分頻器、功率放大器，及後置補償電路中，還可以用於電子設備的直流交流和脈沖電路中
2）CL21/CBB21金屬化膜電容器，金屬化聚酯/聚丙烯薄膜為介質/電極採用無感卷繞方式使用，環氧樹脂包封而成，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、容量范圍寬，自愈性好，體積小，壽命長的特點，應用主要用於電視機、電腦顯示器、節能燈、鎮流器、通訊設備、電腦網路設備、電子玩具等直流和VHF級信號隔直流、旁路和耦合/高頻、交流、脈沖、耦合電路中起濾波、調頻、隔直流及時間控制等作用
3）CL20/CBB20軸向金屬化膜電容器非感應式結構，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大，高頻損耗小,過電流能力強,適用於大電流，絕緣電阻高，自愈性好，壽命長，溫度特性穩定，廣泛用於儀器、儀表及家用電器交直流線路，變頻、分頻等交流、大脈沖電路，尤其是高保真要求的音響分頻器電路
4）CL20金屬化聚酯膜扁軸向電容器
特點：以金屬化聚酯膜作介質和電極，用阻燃膠帶外包和環氧樹脂密封，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大及良好的自愈性能
用途：本產品適用於儀器、儀表及家用電器的交直流電路
廣泛用於音響系統分頻電路中
5）CL19金屬化聚酯膜圓軸向電容器
特點：以金屬化聚酯膜作介質和電極，用阻燃膠帶外包和環氧樹脂密封，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大及良好的自愈性能
用途：本產品適用於儀器、儀表及家用電器的交直流電路
廣泛用於音響系統分頻電路中
6）CBBX2金屬化聚丙烯膜抗干擾電容器
採用金屬化鋅鋁聚丙烯膜作介質和電極，用耐高溫阻燃塑殼、環氧樹脂封裝，單向引出結構，該產品有較高抗外電干擾性能，可靠性高、損耗小及良好的自愈特性，有較好的安全防護作用
廣泛使用於彩電、電動工具、無線連接器、跨電源線路、電磁干擾濾波器、電源開關和大功率的電子整流器

D. 薄膜電容的製法

通常的薄來膜電容器其製法是自將鋁等金屬箔當成電極和塑料薄膜重疊後卷繞在一起製成。但是另外薄膜電容器又有一種製造法，叫做金屬化薄膜(Metallized Film)，其製法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，所以薄膜電容器較容易做成小型，容量大的電容 器。例如常見的MKP電容，就是金屬化聚丙烯膜電容器(Metailized Polypropylene Film Capacitor)的代稱，而MKT則是金屬化聚乙酯電容(Metailized Polyester)的代稱。

E. 電容的封裝有哪些形式啊

這么說吧，來pcb板所謂的封裝就是線路板源上開的孔而已，它們的間距多少合適，要根據你選擇的具體器件參數來決定，所以最好不出錯的辦法就是設計出具體電路，選好器件，按照實物的真實大小來決定你選擇的pcb封裝，而不是為了節約地方而選擇你認為合適的封裝，那樣的結果是pcb板尺寸很小，你的元件卻裝不上。就象你貼出的不同的電容，每種不同的電容管腳間距都不一樣，你只有選好的具體哪種元件，才可以決定封裝，這才是硬道理。

F. 緊急求助，柔性超級電容封裝如何正確的操作

超級電容生產廠商有專門測試電容的容量設備的，如果好奇想測試電容的，回可以先給南京綠索電答子的超級電容充滿電，通過接個放電電流100mA的負載放電，從5V到4V這過程記下它的工作時間（比如12s），再根據公司C=I*T/壓差=0.1A*12S/1V=1.2F,即這款5.5V/1F的實際容量是1.2F.

G. 做金屬化有機薄膜電容器怎樣找客戶

電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用於隔直，耦合， 旁路，濾波，調諧迴路， 能量轉換，控制電路等方面。電容的頻率特性：隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現下降的規律。電容的型命名方法：（依據GB——81）第一部分：用字母表示產品的名稱 C第二部分：用字母表示產品的介質材料：A鉭電解 B聚丙乙烯等非極性薄膜 C高頻陶瓷 D鋁電解 E其他材料電解 G合金電解 H紙膜復合 I玻璃鈾 J金屬化紙介 L聚酯等極性有機薄膜 N鈮電解 O玻璃膜 漆膜 S,T低頻陶瓷 ,X雲母紙 Y雲母 Z 紙。註：用B表示除聚苯乙烯外其他電容時，在 B後再加一字母以分別具體材料。用L表示聚酯以外其他薄膜電容時， 方法同。電容器的絕緣電阻：直流電壓加在電容上，並產生漏導電流，兩者之比稱為絕緣電阻。 當電容較小時，主要取決於電容的表面狀態，容量〉0.1uf時，主要取決於介質的性能。電容的時間常數：為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數，他等於電容的絕緣電阻與容量的乘積。電容的損耗因素：電容在電場作用下因發熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規定了其在某頻率范圍內的損耗允許值，電容的損耗主要由介質損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導有關，而且與周期性的極化建立過程有關。薄膜電容目前大量生產的塑料薄膜電容器有聚苯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚四氟乙烯，聚酯（滌綸），聚碳酸酯，復合膜等。1. CL21/CBB21金屬化膜電容器（CL21-B/CBB21-B金屬化膜盒式），使用金屬化聚酯/聚丙烯薄膜為介質/電極採用無感卷繞方式，環氧樹脂包封而成，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、容量范圍寬，體積小，自愈性好，壽命長的特點，主要應用於電視機、電腦顯示器、節能燈、鎮流器、通訊設備、電腦網路設備、電子玩具等直流和HF級隔直流、旁路和耦合/高頻、交流、脈沖、耦合電路中起濾波、調頻、隔直流及時間控制等作用。2. CBB22（MKP91） 金屬化聚丙烯膜直流電容器。以金屬化聚丙烯膜作介質和電極，用阻燃絕緣材料包封單向引出，具有電性能優良、可靠性好、損耗小及良好的自愈性能。用途：本產品廣泛使用於儀器、儀表、電視機、收音機及家用電器線路中作直流脈動、脈沖和交流將壓用，特別適用於各種類型的節能燈和電子整流器。CBB91 型金屬化聚丙烯電容器特點與用途：絕緣帶外包裹，環氧樹脂灌封，軸向引出。具有高絕緣、低損耗，頻率特性好，等效串聯電阻低等特點。適用於音響的分頻器、功率放大器，及後置補償電路中，也適用於電子設備的直流交流和脈沖電路中。3. CL20 （MKT83）金屬化聚酯膜扁軸向電容器（金屬化滌綸電容）。特點：以金屬化聚酯膜作介質和電極，用阻燃膠帶外包和環氧樹脂密封，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大及良好的自愈性能。用途：本產品適用於儀器、儀表及家用電器的交直流電路。廣泛用於音響系統分頻電路中。4. CL20/CBB20軸向金屬化膜電容器非感應式結構，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大，高頻損耗小，過電流能力強，適用於大電流，絕緣電阻高，自愈性好，壽命長，溫度特性穩定，廣泛用於儀器、儀表及家用電器交直流線路，變頻、分頻等交流、大脈沖電路，尤其是高保真要求的音響分頻器電路。5. CL19（MKT82） 金屬化聚酯膜圓軸向電容器。特點：以金屬化聚酯膜作介質和電極，用阻燃膠帶外包和環氧樹脂密封，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大及良好的自愈性能。用途：本產品適用於儀器、儀表及家用電器的交直流電路。廣泛用於音響系統分頻電路中。6. CBBX2（MPX MKP41） 金屬化聚丙烯膜抗干擾電容器。採用金屬化鋅鋁聚丙烯膜作介質和電極，用耐高溫阻燃塑殼、環氧樹脂封裝，單向引出結構，該產品有較高抗外電干擾性能，可靠性高、損耗小及良好的自愈特性，有較好的安全防護作用。本產品廣泛使用於彩電、電動工具、無線連接器、跨電源線路、電磁干擾濾波器、電源開關和大功率的電子整流器。7. CBB13型無感電容器。適用： 節能燈、鎮流器、彩電及電子整機、電子儀器高頻、直流、交流和大電流脈動電路。8. CLX超小型電容器（校正電容）使用進口超小型金屬化聚酯膜為介質/電極採用採用無感卷繞方式，主要適用於電視機、電腦顯示器、節能燈、鎮流器、程式控制交換機、電腦網路設備、CD/DD、精密電子儀器儀表等直流和HF級電路、旁路電路中起隔直流、耦合、濾波等作用。耐壓： 50/63系列， 系列。容量： -。CL21S超小型金屬化聚酯膜校正電容器使用進口超小型金屬化聚酯膜為介質/電極採用採用無感卷繞方式，CP線焊接引出，粉末環氧樹脂包封而成，具有體積小、重量輕、容量范圍寬、精度好、比容大及良好的自愈性，使用壽命長的特點，主要適用於電視機、電腦顯示器、節能燈、鎮流器、程式控制交換機、電腦網路設備、CD/DD、精密電子儀器儀表等直流和HF級電路、旁路電路中起隔直流、耦合、濾波等作用。瓷介電容瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型（CC型）和II型（CT型）。I型（CC型）特點是體積小， 損耗低，電容對頻率，溫度穩定性都較高，常用於高頻電路。II型（CT型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩定性都較差，常用於低頻電路。1. 高頻圓片瓷介電容（CC）：電容量：1--p;額定電壓：63--;主要特點：高頻損耗小，穩定性好。應用：高頻電路。低頻瓷介電容（CT）。電容量：10p—4.7u。額定電壓：50--。主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差。應用：要求不高的低頻電路CC1型1類瓷介電容器。 用途：CCI型1類瓷介電容器值高，容量穩定。用於諧振迴路和需要補償溫度效應的電路中。63-。CS1型3類瓷介電容器。用途：作超高頻、寬頻帶旁路電容器及耦合電容器或使用於對損耗角正切、絕緣電阻要求不高的電路中。25-50CT71型2類交流瓷介電容器。用途：各類電子、電器設備，用於天線耦合，開關電路及跨接電源線等。acCT81型2類高壓瓷介電容器。用途：適用於1——3k直流高壓旁路和耦合電路。開關電源的緩沖電路。2. 獨石（多層陶瓷）電容器的特點：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩定，耐高溫耐濕性好等。應用范圍：廣泛應用於電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。容量范圍：0.5PF--1UF。耐壓：二倍額定電壓。獨石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，1型性能挺好，但容量小，一般小於0。2U，另一種叫II型，容量大，但性能一般。 獨石電容最大的缺點是溫度系數很高，做振盪器的穩漂讓人受不了。就溫漂而言：獨石為正溫糸數+左右，CBB為負溫系數-,用適當比例並聯使用，可使溫漂降到很小。雲母電容雲母電容是性能優良的高頻電容之一，廣泛應用於對電容的穩定性和可靠性要求高的場合。雲母電容（CY）：電容量：10p—0.1u。額定電壓：--7k。主要特點：高穩定性，高可靠性，溫度系數小。應用：高頻振盪，脈沖等要求較高的電路。紙介電容紙介電容因其比率電容大，電容範圍寬，工作電壓高，成本低而廣泛使用，缺點是穩定性差，損耗大， 只能應用於低頻或直流電路，目前已被合成膜電容取代，但在高壓紙介電容中還有一席之地。1.CZ52容量：0.1—0.25uf 額定工作電壓：—v。絕緣性能：0.1uf為monh 0.25uf 為mohm。損耗角正切：（正常氣候條件下） <0.01 2.金屬化紙介電容器：他的電極是利用真空蒸發的方法在電容器紙上沉積一層金屬薄膜做成， 因而體積較紙介電容小得多。他的主要特點是具有自愈作用，當介質發生局部擊穿後，其電性能可立即恢復到擊穿前的狀態。金屬化紙介電容雖克服了紙介電容的一些缺點，但是仍然不能離開紙，他們的化學穩定性差，並且隨著頻率的上升損耗急劇增加，因此不適於高頻電路。CJ10容量：0.01—1uf 額定工作電壓：—v 。損耗角正切：（正常氣候條件下） <0. 。電解電容1. CD71 無極性鋁電解電容器。本產品具有體積小、容量大、損耗低、無極性並能耐高溫等特點。本產品適用於儀器及電子設備的極性翻轉或極換線路中，特別適用於音響分頻網路有很多種類的想了解更加詳細的技術參數的話網路搜硬之城去那裡了解下，好過自己在這里瞎琢磨專業的地方解決專業的問題，這個都是很現實的。

H. 晶元封裝的封裝步驟

板上晶元（ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹脂)覆蓋矽片安放點，然後將矽片直接安放在基底表面，熱處理至矽片牢固地固定在基底為止，隨後再用絲焊的方法在矽片和基底之間直接建立電氣連接 。
裸晶元技術主要有兩種形式：一種是COB技術，另一種是倒裝片技術（FlipChip）。板上晶元封裝（COB），半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上，晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，並用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡單的裸晶元貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術 。 （1）熱壓焊
利用加熱和加壓力使金屬絲與焊區壓焊在一起。其原理是通過加熱和加壓力，使焊區（如AI）發生塑性形變同時破壞壓焊界面上的氧化層，從而使原子間產生吸引力達到「鍵合」的目的，此外，兩金屬界面不平整加熱加壓時可使上下的金屬相互鑲嵌。此技術一般用為玻璃板上晶元COG 。
（2）超聲焊
超聲焊是利用超聲波發生器產生的能量，通過換能器在超高頻的磁場感應下，迅速伸縮產生彈性振動，使劈刀相應振動，同時在劈刀上施加一定的壓力，於是劈刀在這兩種力的共同作用下，帶動AI絲在被焊區的金屬化層如（AI膜）表面迅速摩擦，使AI絲和AI膜表面產生塑性變形，這種形變也破壞了AI層界面的氧化層，使兩個純凈的金屬表面緊密接觸達到原子間的結合，從而形成焊接。主要焊接材料為鋁線焊頭，一般為楔形 。
（3）金絲焊
球焊在引線鍵合中是最具代表性的焊接技術，因為現在的半導體封裝二、三極體封裝都採用AU線球焊。而且它操作方便、靈活、焊點牢固（直徑為25UM的AU絲的焊接強度一般為0.07～0.09N/點），又無方向性，焊接速度可高達15點/秒以上。金絲焊也叫熱（壓）（超）聲焊主要鍵合材料為金（AU）線焊頭為球形故為球焊 。
COB封裝流程
第一步：擴晶。採用擴張機將廠商提供的整張LED晶片薄膜均勻擴張，使附著在薄膜表面緊密排列的LED晶粒拉開，便於刺晶。第二步：背膠。將擴好晶的擴晶環放在已刮好銀漿層的背膠機面上，背上銀漿。點銀漿。適用於散裝LED晶元。採用點膠機將適量的銀漿點在PCB印刷線路板上。第三步：將備好銀漿的擴晶環放入刺晶架中，由操作員在顯微鏡下將LED晶片用刺晶筆刺在PCB印刷線路板上。第四步：將刺好晶的PCB印刷線路板放入熱循環烘箱中恆溫靜置一段時間，待銀漿固化後取出(不可久置，不然LED晶元鍍層會烤黃，即氧化，給邦定造成困難)。如果有LED晶元邦定，則需要以上幾個步驟；如果只有IC晶元邦定則取消以上步驟。第五步：粘晶元。用點膠機在PCB印刷線路板的IC位置上適量的紅膠(或黑膠)，再用防靜電設備(真空吸筆或子)將IC裸片正確放在紅膠或黑膠上。第六步：烘乾。將粘好裸片放入熱循環烘箱中放在大平面加熱板上恆溫靜置一段時間，也可以自然固化(時間較長)。第七步：邦定(打線)。採用鋁絲焊線機將晶片(LED晶粒或IC晶元)與PCB板上對應的焊盤鋁絲進行橋接，即COB的內引線焊接。第八步：前測。使用專用檢測工具(按不同用途的COB有不同的設備，簡單的就是高精密度穩壓電源)檢測COB板，將不合格的板子重新返修。第九步：點膠。採用點膠機將調配好的AB膠適量地點到邦定好的LED晶粒上，IC則用黑膠封裝，然後根據客戶要求進行外觀封裝。第十步：固化。將封好膠的PCB印刷線路板放入熱循環烘箱中恆溫靜置，根據要求可設定不同的烘乾時間。第十一步：後測。將封裝好的PCB印刷線路板再用專用的檢測工具進行電氣性能測試，區分好壞優劣 。
與其它封裝技術相比，COB技術價格低廉（僅為同晶元的1/3左右）、節約空間、工藝成熟。但任何新技術在剛出現時都不可能十全十美，COB技術也存在著需要另配焊接機及封裝機、有時速度跟不上以及PCB貼片對環境要求更為嚴格和無法維修等缺點 。
某些板上晶元(CoB)的布局可以改善IC信號性能，因為它們去掉了大部分或全部封裝，也就是去掉了大部分或全部寄生器件。然而，伴隨著這些技術，可能存在一些性能問題。在所有這些設計中，由於有引線框架片或BGA標志，襯底可能不會很好地連接到VCC或地。可能存在的問題包括熱膨脹系數(CTE)問題以及不良的襯底連接 。 30多年前，「倒裝晶元」問世。當時為其冠名為「C4」，即「可控熔塌晶元互連」技術。該技術首先採用銅，然後在晶元與基板之間製作高鉛焊球。銅或高鉛焊球與基板之間的連接通過易熔焊料來實現。此後不久出現了適用於汽車市場的「封帽上的柔性材料(FOC)」；還有人採用Sn封帽，即蒸發擴展易熔面或E3工藝對C4工藝做了進一步的改進。C4工藝盡管實現起來比較昂貴(包括許可證費用與設備的費用等)，但它還是為封裝技術提供了許多性能與成本優勢。與引線鍵合工藝不同的是，倒裝晶元可以批量完成，因此還是比較劃算 。
由於新型封裝技術和工藝不斷以驚人的速度涌現，因此完成具有數千個凸點的晶元設計目前已不存在大的技術障礙小封裝技術工程師可以運用新型模擬軟體輕易地完成各種電、熱、機械與數學模擬。此外，以前一些世界知名公司專為內部使用而設計的專用工具目前已得到廣泛應用。為此設計人員完全可以利用這些新工具和新工藝最大限度地提高設計性，最大限度地縮短面市的時間 。
無論人們對此抱何種態度，倒裝晶元已經開始了一場工藝和封裝技術革命，而且由於新材料和新工具的不斷涌現使倒裝晶元技術經過這么多年的發展以後仍能處於不斷的變革之中。為了滿足組裝工藝和晶元設計不斷變化的需求，基片技術領域正在開發新的基板技術，模擬和設計軟體也不斷更新升級。因此，如何平衡用最新技術設計產品的願望與以何種適當款式投放產品之間的矛盾就成為一項必須面對的重大挑戰。由於受互連網帶寬不斷變化以及下面列舉的一些其它因素的影響，許多設計人員和公司不得不轉向倒裝晶元技術 。
其它因素包括：
①減小信號電感——40Gbps(與基板的設計有關)；②降低電源/接地電感；③提高信號的完整性；④最佳的熱、電性能和最高的可靠性；⑤減少封裝的引腳數量；⑥超出引線鍵合能力，外圍或整個面陣設計的高凸點數量；⑦當節距接近200μm設計時允許；S片縮小(受焊點限制的晶元)；⑧允許BOAC設計，即在有源電路上進行凸點設計 。

I. 陶瓷電容是怎樣封裝的

在陶瓷電容中一般DC50V以下叫低壓，DC100V~500V為中高壓，DC1000V~6000V和為高壓，DC6000V以上為超高壓。
高壓陶瓷電回容一個主要的特答點就是耐壓高，電壓一般大於1KV的電壓。高壓陶瓷電容常規有2KV、3KV、4KV電壓。常用於高壓場合。最高的可達30KV的電壓。
高壓陶瓷電容，以陶瓷材料為介質的圓片形電容器。外殼是陶瓷的，用來絕緣。陶瓷電容封裝必須要用環氧樹脂進行封裝。
如果高壓陶瓷電容不用環氧樹脂封裝，就會讓陶瓷電容直接接觸空氣，這會直接影響到電容器的容量和容抗。陶瓷電容如果接觸到空氣，其容量就會變低，甚至使得高壓陶瓷電容可能會從原本想生產的2000PF的高壓陶瓷電容如果沒有封裝會變成幾百PF的電容。另外如果陶瓷電容如果接觸空氣也會導致其容抗降低，而且隨著電阻值和容量越來越小，將會導致陶瓷電容性能盡失。所以高壓陶瓷電容生產過程必須要進行封裝。以上元器件知識由JEC為您提供。

J. 薄膜電容 包括那些種類

薄膜電抄容器，種類繁多
按介質材料分：聚丙烯PP、聚酯PET、聚苯硫醚PPS、聚萘乙酯PEN、聚苯乙烯PS、聚四氟乙烯PTFE、聚碳酸酯PC，還有紙、丙烯酸樹脂、漆膜等等
按電極分：金屬箔、金屬化（又分鋁、鋅、鋅鋁、銅金屬化），以及兩者的混合形式
按封裝：無封裝、環氧樹脂包封、塑料外殼封裝、金屬外殼封裝等等
按安裝：PCB用（SMD、徑向安裝和軸向安裝）、插片式、軟引線、螺栓式等等
按用途：通用、脈沖、抑制電源電磁干擾用（俗稱安規電容器）、精密、高壓電力電容器、低壓並聯補償、中頻諧振、交流電機啟動運行、交流濾波、等等，不勝煩舉。
總之，薄膜電容器最接近「理想電容器」，缺點成本高、體積大，有高壓、高功率、高頻、高穩定、高可靠、長壽命等方面優勢，如在汽車、機車、風電、光伏等裝備中薄膜取代電解。