矽片清洗廢水

㈠ 矽片清洗廢水處理方法有哪些

矽片清洗廢水可以使用極限分離系統來處理廢水，結合膜組件進行處理，建議使用陶氏反滲透膜+超濾膜的組合。

㈡ 半導體晶元製造廢水處理方法

晶元製造生產工藝復雜，包括矽片清洗、化學氣相沉積、刻蝕等工序反復交專叉，生產中使屬用了大量的化學試劑如HF、H2SO4、NH3・H2O等。

所以一般晶元製造廢水處理系統有含氨廢水處理系統+含氟廢水處理系統+CMP研磨廢水處理系統。具體方案可以咨詢澤潤環境科技（廣東）有限公司網頁鏈接

㈢ 矽片的絨面具體要用什麼鹼液清洗 具體步驟是什麼樣子要明細一點的

LED（Light Emitting Diode），發光二極體，簡稱LED,，是一種能夠將電能轉化為可見光的固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它裡面空穴佔主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個「P-N結」。當電流通過導線作用於這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區里電子跟空穴復合，然後就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。 它是一種通過控制半導體發光二極體的顯示方式，用來顯示文字、圖形、圖像、動畫、行情、視頻、錄像信號等各種信息的顯示屏幕。由於具有容易控制、低壓直流驅動、組合後色彩表現豐富、使用壽命長等優點，廣泛應用於城市各工程中、大屏幕顯示系統。LED可以作為顯示屏，在計算機控制下，顯示色彩變化萬千的視頻和圖片。 LED是一種能夠將電能轉化為可見光的半導體。
LED外延片工藝流程：
近十幾年來，為了開發藍色高亮度發光二極體，世界各地相關研究的人員無不全力投入。而商業化的產品如藍光及綠光發光二級管LED及激光二級管LD的應用無不說明了III－V族元素所蘊藏的潛能。在目前商品化LED之材料及其外延技術中，紅色及綠色發光二極體之外延技術大多為液相外延成長法為主，而黃色、橙色發光二極體目前仍以氣相外延成長法成長磷砷化鎵GaAsP材料為主。
一般來說，GaN的成長須要很高的溫度來打斷NH3之N-H的鍵解，另外一方面由動力學模擬也得知NH3和MO Gas會進行反應產生沒有揮發性的副產物。
LED外延片工藝流程如下：
襯底 - 結構設計 - 緩沖層生長 - N型GaN層生長 - 多量子阱發光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測（光熒光、X射線） - 外延片
外延片- 設計、加工掩模版 - 光刻 - 離子刻蝕 - N型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - P型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - 劃片 - 晶元分檢、分級
具體介紹如下：
固定：將單晶硅棒固定在加工台上。
切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄矽片。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃後，用紅外加熱至300~500℃，矽片表面和氧氣發生反應，使矽片表面形成二氧化硅保護層。
倒角：將退火的矽片進行修整成圓弧形，防止矽片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
分檔檢測：為保證矽片的規格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。
研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。此過程產生廢磨片劑。
清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除矽片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。
RCA清洗：通過多道清洗去除矽片表面的顆粒物質和金屬離子。
具體工藝流程如下：
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液，並將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。
DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除矽片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。
APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，矽片表面由於H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕後立即又發生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在矽片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。 HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用於去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。
DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產生的氧化膜。 磨片檢測：檢測經過研磨、RCA清洗後的矽片的質量，不符合要求

㈣ 如何處理光伏企業矽片清洗廢水

根據廢水中的污染物種類選擇不同的處理方法。有沒有大量懸浮物？有沒有油類物質？氨氮多少？COD多少？等等。

㈤ 矽片切割廢水怎麼處理

根據廢水中的污染物種類選擇不同的處理方法。有沒有大量懸浮物？有沒有油類物質？氨氮多少？COD多少？等等。

㈥ 矽片是如何和清洗的

1. 清洗矽片並准備掩膜：
1）濃H2SO4/H2O2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H2O2 30%）；
2）打開電熱板調至200℃；掩膜准備；
2. 超純水清洗矽片；
注釋：用鑷子夾著矽片，不能使矽片放干；
3. 無水乙醇清洗矽片，1min（搖動或超聲），不用水洗！
4. 丙酮清洗矽片，1min（搖動或超聲）；
5. 超純水清洗；
6. 吸水紙吸取邊緣水分（勿放於吸水紙上）；
7. 用鑷子夾住矽片，氮氣吹乾或者放在200℃電熱板上方（不能接觸），待徹底干後，放在電熱板上5min；

㈦ 矽片的清潔

物理清洗
物理清洗有三種方法。①刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數粘在片子上的薄膜。②高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產生劃痕和損傷。但高壓噴射會產生靜電作用，靠調節噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小於 1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。
化學清洗
化學清洗是為了除去原子、離子不可見的污染,方法較多,有溶劑萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等）和等離子體法等。其中雙氧水體系清洗方法效果好，環境污染小。一般方法是將矽片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去；用超純水沖洗後,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的鹼性清洗液清洗,由於H2O2的氧化作用和NH4OH的絡合作用，許多金屬離子形成穩定的可溶性絡合物而溶於水；然後使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由於H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡合性，許多金屬生成溶於水的絡離子，從而達到清洗的目的。
放射示蹤原子分析和質譜分析表明，採用雙氧水體系清洗矽片效果最好，同時所用的全部化學試劑 H2O2、NH4OH、HCl能夠完全揮發掉。用H2SO4和H2O2清洗矽片時，在矽片表面會留下約2×1010原子每平方厘米的硫原子，用後一種酸性清洗液時可以完全被清除。用H2O2體系清洗矽片無殘留物，有害性小，也有利於工人健康和環境保護。矽片清洗中用各步清洗液處理後，都要用超純水徹底沖洗。

㈧ 如何清洗矽片

清洗方法
（一）RCA清洗：
RCA 由Werner Kern 於1965年在N.J.Princeton 的RCA 實驗室首創, 並由此得名。RCA 清洗是一種典型的濕式化學清洗。RCA 清洗主要用於清除有機表面膜、粒子和金屬沾污。

1、顆粒的清洗
矽片表面的顆粒去除主要用APM ( 也稱為SC1) 清洗液(NH4OH + H2O2 + H2O) 來清洗。在APM 清洗液中,由於H2O2的作用,矽片表面有一層自然氧化膜(SiO2) , 呈親水性, 矽片表面和粒子之間可用清洗液浸透, 矽片表面的自然氧化膜和硅被NH4OH 腐蝕,矽片表面的粒子便落入清洗液中。粒子的去除率與矽片表面的腐蝕量有關, 為去除粒子,必須進行一定量的腐蝕。在清洗液中, 由於矽片表面的電位為負, 與大部分粒子間都存在排斥力, 防止了粒子向矽片表面吸附。
表2常用的化學清洗溶液
名稱 組成
作用
SPM
H2SO4∶H2O2∶H2O
去除重有機物沾污。但當沾污非常嚴重時, 會使有機物碳化而難以去除
DHF
HF∶(H2O2)∶H2O
腐蝕表面氧化層, 去除金屬沾污

APM(SC1) NH4OH∶H2O2∶H2O 能去除粒子、部分有機物及部分金屬。此溶液會增加矽片表面的粗糙度
HPM(SC2) HCl∶(H2O2)∶H2O 主要用於去除金屬沾污

2、表面金屬的清洗
(1) HPM (SC22) 清洗 (2) DHF清洗
矽片表面的金屬沾污有兩種吸附和脫附機制: (1) 具有比硅的負電性高的金屬如Cu ,Ag , Au , 從硅表面奪取電子在硅表面直接形成化學鍵。具有較高的氧化還原電位的溶液能從這些金屬獲得電子, 從而導致金屬以離子化的形式溶解在溶液中, 使這種類型的金屬從矽片表面移開。(2) 具有比硅的負電性低的金屬, 如Fe , Ni ,Cr , Al , Ca , Na , K能很容易地在溶液中離子化並沉積在矽片表面的自然氧化膜或化學氧化膜上。這些金屬在稀HF 溶液中能隨自然氧化膜或化學氧化膜容易地除去。

3、有機物的清洗
矽片表面有機物的去除常用的清洗液是SPM。SPM 具有很高的氧化能力, 可將金屬氧化後溶於溶液中, 並能把有機物氧化生成CO2 和水。SPM 清洗矽片可去除矽片表面的重有機沾污和部分金屬,但是當有機物沾污較重時會使有機物碳化而難以去除。經SPM 清洗後, 矽片表面會殘留有硫化物,這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。
（二）氣相乾洗
氣相乾洗是在常壓下使用HF 氣體控制系統的濕度。先低速旋轉片子, 再高速使片子乾燥, HF 蒸氣對由清洗引起的化學氧化膜的存在的工藝過程是主要的清洗方法。另一種方法是在負壓下使HF 揮發成霧。低壓對清洗作用控制良好,可揮發反應的副產品, 乾片效果比常壓下好。並且採用兩次負壓過程的揮發, 可用於清洗較深的結構圖形, 如對溝槽的清洗。

MMST工程
主要目標是針對高度柔性的半導體製造業而開發具有快速周期的工藝和控制方法。能夠通過特定化學元素以及成分直接對矽片表面進行清理，避免了液體帶來的成分不均勻和廢液的回收問題，同時節約了成本。
1、氧化物去除：
用氣相HF/水汽去除氧化物，所有的氧化物被轉變為水溶性殘余物, 被水溶性去除。繞開了顆粒清除過程，提高了效率。
2、金屬化後的腐蝕殘余物去除：
氣相HF/氮氣工藝用於去除腐蝕殘余物，且金屬結構沒有被鑽蝕。這個工藝避免了昂貴而危險的溶劑的使用, 對開支、健康、安全和環境等因素都有積極的影響。
3、氮化硅和多晶硅剝離：
在遠離矽片的一個陶瓷管中的微波放電產生活性基, 去除矽片上的氮化硅和多晶硅, 位於陶瓷管和矽片之間的一塊擋板將氣體分散並增強工藝的均勻性, 剝離工藝使用NF3,Cl2,N2和O2的組合分別地去除Si3N4, 然後去除多晶硅。
4、爐前清洗：
用氣相HF/HCl氣體進行爐前清洗並後加一個原位水沖洗過程, 金屬粒子的沾污被去除到了總反射X射線熒光光譜學(XRF)的探測極限范圍之內。
5、金屬化前,等離子腐蝕後和離子注入後膠的殘余物去除:
臭氧工藝以及氣相HF/氮氣工藝還需進一步的改進才能應用。但是有一種微剝離工藝，用SC1/超聲過程去除最後的顆粒。

㈨ 矽片清洗廢水處理方法都有哪些優勢

優勢有1、水質分類，合理優化資源

根據多晶矽片製造過程中各用水環內節對水質的要求，將容用水環節分成高等水質用水環節、中等水質用水環節、和低等水質用水環節。將高等水質用水環節排出的廢水進行凈化處理，然後作為中等水質用水環節和低等水質用水環節的用水。

2、增加沉澱池和過濾器，對水要求進行劃分

根據本方法的另一個方面，還提供了一種廢水循環利用系統，應用於單多晶矽片製造，該系統包括：第一級沉澱池，第二級沉澱池，過濾器。



3、通過感測器增加靈敏度

本方法提供的系統，還包括控制器，濾後儲水槽內由高至低設置有第一高液位感測器、第一中液位感測器和第一低液位感測器三個液位感測器。

㈩ 為什麼要用濃硫酸和雙氧水洗矽片

這個屬於另外一種清洗方法 ，可以解決矽片表面殘留的有機雜質 （主要由切削液和主輥帶來） 這種方法對氧化物質的去除效果其實一般 主要還是針對有機成分而產生的 避免後續制絨的時候產生花斑