Ⅰ 單晶硅切片的檢測指標有哪些
電阻率，壽命，厚度及公差，對角線，變長，氧碳含量，位錯等。
Ⅱ 單晶硅切片工作
環境比一般工廠好些，待遇一般都是按當地工資水平和消費水平來確定
Ⅲ 單晶臟矽片清洗方法
從多晶硅到單晶硅棒再到切(硅)片這一段是用不到金剛石砂輪的!我們公司就是從事光伏產品的製造! 從多晶硅-單晶硅-切片都做的! 目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法佔了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長法。CZ法生長出的單晶硅，用在生產低功率的集成電路元件。而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導體工業採用，主要在於它的高氧含量提供了晶片強化的優點。另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產出大尺寸的單晶硅棒。 目前國內主要採用CZ法 CZ法主要設備：CZ生長爐 CZ法生長爐的組成元件可分成四部分 （1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁 （2）晶棒及坩堝拉升旋轉機構：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉元件 （3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統及壓力控制閥 （4）控制系統：包括偵測感應器及電腦控制系統 加工工藝： 加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長 （1）加料：將多晶硅原料及雜質放入石英坩堝內，雜質的種類依電阻的N或P型而定。雜質種類有硼，磷，銻，砷。 （2）熔化：加完多晶硅原料於石英堝內後，長晶爐必須關閉並抽成真空後充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內，然後打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。 （3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩定之後，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由於籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由於位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產生零位錯的晶體。 （4）放肩生長：長完細頸之後，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。 （5）等徑生長：長完細頸和肩部之後，借著拉速與溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶矽片取自於等徑部分。 （6）尾部生長：在長完等徑部分之後，如果立刻將晶棒與液面分開，那麼效應力將使得晶棒出現位錯與滑移線。於是為了避免此問題的發生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間後取出，即完成一次生長周期。 單晶硅棒加工成單晶硅拋光矽片 加工流程： 單晶生長→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片 倒角→研磨 腐蝕--拋光→清洗→包裝 切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。 切斷的設備：內園切割機或外園切割機 切斷用主要進口材料：刀片 外徑磨削：由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。 外徑滾磨的設備：磨床 平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結晶方向平邊或V型。 處理的設備：磨床及X－RAY繞射儀。 切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。 切片的設備：內園切割機或線切割機 倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。 倒角的主要設備：倒角機 研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。 研磨的設備：研磨機（雙面研磨） 主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。 腐蝕：指經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。 腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被採用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。 （B）鹼性腐蝕，鹼性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。 拋光：指單晶矽片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。 拋光的設備：多片式拋光機，單片式拋光機。 拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10－20um； 精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：拋光液由具有SiO2的微細懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。 清洗：在單晶矽片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光後的最終清洗。清洗的目的在於清除晶片表面所有的污染源。 清洗的方式：主要是傳統的RCA濕式化學洗凈技術。 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL （3）損耗產生的原因 A.多晶硅--單晶硅棒 多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產生損耗是重摻堝底料、頭尾料則無法再利用，只能當成冶金行業如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產生損耗是非重摻堝底料、頭尾料可利用製成低檔次的硅產品，此部分應按邊角料征稅。 重摻料是指將多晶硅原料及接近飽和量的雜質（種類有硼，磷，銻，砷。雜質的種類依電阻的N或P型）放入石英坩堝內溶化而成的料。 重摻料主要用於生產低電阻率（電阻率＜0.011歐姆／厘米）的矽片。 損耗：單晶拉制完畢後的堝底料約15％。 單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20％。 單晶整形過程中（外徑磨削工序）由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％-13％。 希望能對你有幫助!
Ⅳ 太陽能單晶矽片生產中，切片的工藝從切方、滾磨、切片、脫膠、清洗、檢片的注意事項，特別是切片
101, 單晶制備, 單晶片加工工、AF延工、半導體溫差電致冷材料制備工、半導體溫差 ...
工、果汁醬加工工、果脯蜜餞加工工、蜜蜂產品加工工、炒貨加工工、魔芋切片工、菜
Ⅳ 製造單晶矽片有毒么
單晶矽片製造工藝分為，將多晶硅料通過直拉CZ或區熔FZ方法製造成單晶硅棒，硅單晶棒經過切片，磨削，拋光清洗成單晶矽片。其中單晶拉制過程一般會摻雜B，P，Ga，As等元素，以製造出P型或N型單晶硅棒，這些摻雜元素大多都是劇毒。拉直成單晶後拆爐需要排風，就是害怕吸入那些元素揮發物。切片和磨片基本不接觸劇毒物質，但拋光和清洗涉及到HCL酸，HF酸和氨水，這些都是有毒物質。長期接觸氨水還會有禿頂現象。一般需要有上崗安全培訓證書才允許操作。還有個很有趣的事情，就是單晶部門的男人結婚以後都生兒子，而拋光清洗部門的都是女兒。也許是幾率把。
Ⅵ 單晶硅切片怎麼會出現暗裂
切割工藝或原料本身或兩者共同作用的結果。。
Ⅶ 從事硅切片工作有什麼危害嗎
有，你可以到網上去查一下
Ⅷ 單晶硅制備過程中會產生哪些污染物質哪些可以較好的處理、哪些不能處理只能排入自然環境中
單晶硅項目的環境影響主要有以下幾方面：
廢氣：主要為正常生產時廢氣處理工序尾氣、產品後處理和硅芯制備工序酸性廢氣等，主要廢氣污染物為HCl、NOx、氯硅烷、HF等。
廢水：主要為正常生產時產品後處理和硅芯制備工序水洗廢水、裝置區設備/地坪沖洗水，以及循環水、脫鹽水系統排出的假定清凈下水。主要廢水污染物為SS、COD、鹽等。
固廢：主要固體廢棄物為原料制備和SiHCl3合成工序產生的硅粉、工藝廢料處理工序產生的NaCl和SiO2固體廢物、酸洗廢液處理工序產生的Ca(NO3)2/CaF2固體廢物。
雜訊：主要產噪設備為機泵、壓縮機和放空管
答案補充：
廢氣處理：一般用10%NaOH溶液洗滌，廢氣中的氯硅烷（以SiHCl3為例）和氯化氫與NaOH發生反應而被除去。含有NaCl、Na2SiO3的出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序。
廢液處理：一般分離提純工序殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體加入石灰乳液中和廢液中的氯硅烷等和而被轉化成無害的物質。經過規定時間的處理，用泵從槽底抽出含H4SiO4、CaCl2、H4SiO4、Na2SiO3的液體，送往工藝廢料處理工序。
廢料處理：A．Ⅰ類廢液處理
來自氯化氫合成工序的廢酸、液氯汽化工序的廢鹼、廢氣殘液處理工序和廢硅粉處理的廢液等在此工序進行混合、中和後，經過壓濾機過濾。濾渣（主要為SiO2、NaCl等）送渣廠堆埋。濾液主要為NaCl溶液，進行蒸發、濃縮和結晶。蒸發冷凝液循環利用（配置NaOH溶液），結晶固體氯化鈉等外售或填埋。
B．Ⅱ類廢液處理
來自硅芯制備工序和產品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用鹼液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進行蒸發、濃縮和結晶。蒸發冷凝液循環利用（配置NaOH溶液），結晶固體氟化鈣和硝酸鈉等外售或填埋。
Ⅸ 多晶硅切片與單晶硅切片區別
多晶晶體生長方向混亂，單晶方向一致。