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半導體晶元生產廢水

發布時間:2022-01-06 19:25:08

1. 如何處理半導體(LED)廢水

隨著單個LED光通亮和發光效率的提高,即將進入普通室內照明、台燈、筆記本電腦背光源、大尺寸LED顯示器背光源等市場廣闊。 LED生產過程中絕大部分廢水產生在原材料和晶元製造過程中,分為拉晶、切磨拋和晶元製造,主要含一般酸鹼廢水、含氟廢水、有機廢水、氨氮廢水等幾種水質,在黃綠光晶片製造過程中還會有含砷廢水排出。 2、LED晶元加工廢水特點:主要污染物為LED晶元生產過程中排放的大量有機廢水和酸鹼廢水,另有少量含氟廢水。有機廢水主要污染物為醇、乙醇、雙氧水;酸鹼廢水中主要污染物為無機酸、鹼等。 3、LED切磨拋廢水特點:主要污染物為大量清洗廢水,主要成分為硅膠、弱酸、硫酸、鹽酸、研磨砂等。 4、酸鹼廢水排放:主要包括工藝酸鹼廢水、廢氣洗滌塔廢水、純水站酸鹼再生廢水,採用化學中和法處理。 含砷廢水:主要來自背面減薄及劃片/分割工序,採用化學沉澱法處理。 一般廢水:排放方式均為連續排放,主要指純水站RO濃縮廢水主要污染物為無機鹽類,採用生化法去除。 含氟廢水:主要清洗廢水中含有HF,使用混凝沉澱去除。 高氨氮廢水:使用折點加氯法,將廢水中的氨氮氧化成N2。投加過量氯或次氯酸鈉,使廢水中氨完全氧化為N2的方法,稱為折點氯化法,其反應可表示為: NH4+十1.5HOCl→0.5N2十1.5H2O十2.5H+十1.5Cl-5、案例: 5.1、LED生產加工之藍寶石拉晶廢水 污水水質、水量: 水量:480t/d;20t/h(24小時連續)廢水水質:PH值5.0-10.0無量綱出水要求:達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為:處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應,達到工藝要求後進入有機廢水調節池。人工收集到含氟廢水收集池,加葯劑進行沉澱。上清液達標排放,污泥排入污泥濃縮池處理。 利用有機廢水調節池的池容增加生化處理功能,向池內投加厭氧性水解菌,池內配置穿孔水力攪拌系統以加強傳質,為後繼處理單元提供部分水解處理服務。 廢水經過調節後經泵提升進入進入厭氧水解池。 厭氧水解池採用上向流布水形式,利用循環管網系統加強池底部的混流強度,提高反應器內的傳質效果。利用微生物的水解酸化作用將廢水中難降解的大分子有機物轉化為易降解的小分子有機物,將復雜的有機物轉變成簡單的有機物,提高廢水的可生化性,有利於後續的好氧生化處理。出水自流進入接觸氧化池。接觸氧化池的混合液進入二沉池進行泥水沉澱分離。為保證COD排放達標的處理要求,將二沉池出水導入BAF進行處理。生物曝氣濾池的出水流入清水池,為生物曝氣濾池提供濾料的反沖洗水,其餘的清水達標排放。 5.2、LED生產加工之切磨拋廢水 污水水質、水量: 水量:432t/d;18t/h(24小時連續)廢水水質:1PH值5.0-10.0無量綱出水要求:達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為:處理工藝根據業主廢水的水質情況,在吸取以往同類廢水處理裝置設計的成功經驗和一些同類廢水處理裝置的實際運行經驗,設計污水處理主體工藝路線如下: 格柵池+清洗廢水調節池+反應池+物化沉澱池達標排放 污泥處理主體工藝採用工藝路線為: 污泥濃縮+污泥調理+板框壓濾泥餅外運 5.3、LED生產加工之晶元廢水 污水水質、水量: 有機廢水水量:19.4t/h(24小時連續)水質:PH值6.0-8.0無量綱 酸鹼廢水水量:70t/h(24小時連續)水質:PH值4.0-11.0無量綱 含氟廢水水量:4t/h(24小時連續)水質:PH值2.0-4.0無量綱 氟化物≤200mg/L處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應,達到工藝要求後達標排放。含氟廢水收集調節後與投加的葯劑反應生成不溶性氟化物沉澱,上清液達標排放。

2. 半導體廢水處理

聽說依斯倍化學環保裝備科技公司在這塊做的蠻好的,

3. 半導體器件加工過程中產生的三廢如何處理

1.半導體工業廢水的處理方法,其特徵在於處理步驟如下:

(1)將半導體器件製造中產生的電鍍廢水和研磨廢水進行混合,形成混 合廢水;

(2)混合廢水泵入浸沒式膜過濾裝置過濾;

(3)將過濾的水泵入納濾膜過濾裝置過濾,經過納濾膜過 濾裝置過濾的水即可直接回用

4. 我們是一家半導體生產型企業,會產生大量的研磨切割和酸鹼廢水,有工業廢水處理公司嗎

蘇州園區有一家荷蘭的環保公司

5. 電子半導體廢水的處理

大多用石灰,實現酸鹼中和,中間的金屬離子就不知道了。

6. 小區後面有半導體廠和晶元廠 半導體廠有輻射、有污染嗎 晶元廠有輻射、有污染嗎 回答好有追加的

1、污染肯定有。
2、半導體廠主要生產半導體原材料,比較高純度的硅,在提煉硅的時候,可能存在空氣和水污染。空氣污染主要來源於在處理過程中揮發出來的酸性氣體,水污染除了有加工使用的化學物質外,還可能帶來重金屬的污染。
3、晶元廠主要是光刻、封裝這塊。可能存在的污染也包括空氣和水兩部分,相對來說,光刻這塊水污染的可能性更大一些,而封裝這塊,由於存在電鍍,主要以空氣、水污染為主。
4、污染大小關鍵要看企業環保控制力度大小,我參觀過一些半導體和晶元封裝企業,他們外部看到的污染情況,其實遠比一般企業(比如機械加工企業)要小,無論是噪音,空氣還是水這塊。原因是半導體產品的價值含量很高,特別是光刻這塊,小小一盒半導體晶元(類似大號光碟盒子一樣)可能就價值幾十萬上百萬。
5、輻射污染,如果你後面不是直接挨著配電房的話,應該問題不大。如果挨著的,輻射污染也可能有。因為半導體產業這塊,用電很大,而輻射的大小其實跟用電有很大關系。
世界上最大型的半導體企業,比如美國的德州儀器(TI)公司,就把生產企業安排在遠離人群居住的地方,主要也是污染的原因,可以想像,這種企業潛在的污染還是大的。

7. 水處理在國內做半導體方面的工業廢水嗎

1、因為全球水資本的日益短少,超純水的生產本錢在不時地上升。面對宏大的應用機會,電子半導體製造商在日常運營中,很是依附於超純水繼續流。

2、融化固體和懸浮固體在含量、酸鹼度和金屬雜質方面的差別,使半導體廢水對常規技巧處理形成了應戰。顛末膜生物反響器和三級處理系統,可以對半導體廢水結束處理,使之達到新的嚴格環境法則或許在工場內獲得再次操縱的機會。

3、膜系統是一種模塊化系統;廢水處理可以疾速調節,與產量添加保持分歧。

8. 光伏和半導體產業中的廢水處理

光伏行業和半導體產業。你是指的整個產業鏈的廢水嗎?所有半導體產業中,使內用的都容是純水,也就是去離子水,都電子級標准。污水主要還是以酸性和鹼性的為主,沒有重金屬污染。但是會有一些固體廢棄物。國家環保部門有污水廢氣的排放標准。

9. 半導體晶元製造廢水處理方法

晶元製造生產工藝復雜,包括矽片清洗、化學氣相沉積、刻蝕等工序反復交專叉,生產中使屬用了大量的化學試劑如HF、H2SO4、NH3・H2O等。

所以一般晶元製造廢水處理系統有含氨廢水處理系統+含氟廢水處理系統+CMP研磨廢水處理系統。具體方案可以咨詢澤潤環境科技(廣東)有限公司網頁鏈接

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