① 硅片后道的主要工序是什么啊
从多晶硅到单晶硅棒再到切(硅)片这一段是用不到金刚石砂轮的!我们公司就是从事光伏产品的制造! 从多晶硅-单晶硅-切片都做的!
目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法
CZ法主要设备：CZ生长炉
CZ法生长炉的组成元件可分成四部分
（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁
（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件
（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀
（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统
加工工艺：
加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长
（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。
（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。
（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。
单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片
加工流程：
单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片
倒角→研磨 腐蚀--抛光→清洗→包装
切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
切断的设备：内园切割机或外园切割机
切断用主要进口材料：刀片
外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。
外径滚磨的设备：磨床
平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。
处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。
切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
切片的设备：内园切割机或线切割机
倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。
倒角的主要设备：倒角机
研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
研磨的设备：研磨机（双面研磨）
主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。
腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。
腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。
（B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。
抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。
抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。
抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；
精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下
主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。
清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。
清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。
主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL
（3）损耗产生的原因
A.多晶硅--单晶硅棒
多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。
重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的N或P型）放入石英坩埚内溶化而成的料。
重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。
损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。
单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。
单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10％-13％。
希望能对你有帮助!
② 硅片清洗超纯水设备用的仪表，有什么
给水电导率表可设置报警，从给水电导率和产品水电导率可估计出RO的脱盐率。
3、压力表
出水压力表、给水压力表、排水压力表用于计算设备的每一段压降，对产水量和盐透率维持稳定起到重要作用。
③ 硅片发白，怎么返洗啊。 DY-120B是啥成分
DY-120B和DY-120A混合液对硅片进行清洗，主要成分一种有机物，洗后硅片发白，主要原因是DY-120B和DY-120A混合液没清洗干净，中间纯水（一般用60-80度的水洗）清洗工艺没调好！被此污染的硅片不能再用混合液清洗（洗不掉了），需用高温燃烧有机物处理，然后给电池片企业植绒加大减重量（或过高温烧结炉处理后植绒可以解决）；我遇到过，也试验过！！！
望采纳，现在光伏问题回答了都不采纳，光伏问题我们可以互相探讨！
④ 硅片是如何和清洗的
1. 清洗硅片并准备掩膜：
1）浓H2SO4/H2O2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H2O2 30%）；
2）打开电热板调至200℃；掩膜准备；
2. 超纯水清洗硅片；
注释：用镊子夹着硅片，不能使硅片放干；
3. 无水乙醇清洗硅片，1min（摇动或超声），不用水洗！
4. 丙酮清洗硅片，1min（摇动或超声）；
5. 超纯水清洗；
6. 吸水纸吸取边缘水分（勿放于吸水纸上）；
7. 用镊子夹住硅片，氮气吹干或者放在200℃电热板上方（不能接触），待彻底干后，放在电热板上5min；
⑤ 硅片清洗用纯水的电导率多少为宜
理想纯水(理论上)电导率为0.055 uS/cm，电阻率（25℃）为18.3x106Ω•cm。实际上＜2μS/cm到＜0.1μS/cm的都有，一般没有太大影响。
⑥ 单晶硅的工业用水 循环水处理系统都有哪些设备
如果你能纯水 当然是最好啦 如果你能坚持水池半年一清洗 一个月换一次水的话 看到水池有漂浮物记得打捞 自来水也可以
⑦ 半导体超纯水设备的价格为何会有很大的差别
当前国内半导体行业应用的超纯水设备一般有前端预处理及RO、回EDI提纯等工序。
1.根据超纯水设答备的材质不同，选用的RO膜的品牌不同以及EDI模块的吨位及品牌区别，价格上也有很大的差距。
2.其中价格中膜元件及设备材质因素会极大地影响整体设备的价格。
3.具体的加工工艺以及厂家报价也会对价格有所影响。
详情可见官网：网页链接
⑧ 硅片清洗为什么会出现花片硅片边缘与中间产生色差是什么原因造成的硅片的切割面上出现水纹印是为什么
硅片清洗出现花片是因为IPA加多了,制绂时间太段,需补加KOH或NAOH
QQ444092852
⑨ 硅片清洗超纯水设备厂家，哪家质量好
LTLD硅片清洗超来纯水设源备性能优势：
1、硅片清洗超纯水设备中反渗透系统采用全自动方式控制，主要元件采用进口元件，稳定性高，操作简单方便。
2、硅片清洗超纯水设备使用专用浓水调节阀，操作方便。
3、硅片清洗超纯水设备配备有紫外线及膜滤器，防止细菌对EDI及水质的影响。
4、硅片清洗超纯水设备通过专业技术，确保EDI系统短时停机或长时间停机时水质保持稳定。
5、硅片清洗超纯水设备采用原装进口EDI膜堆，性能稳定，使用寿命长，连续出水水质稳定无波动，专利“全填充”浓水室，不需加盐和浓水循环。
6、硅片清洗超纯水设备中的EDI流量计采用带磁感应浮子流量计，可预防因浓水通道堵塞或其他设备故障引起的无浓水产水而对膜堆造成的损坏。
7、硅片清洗超纯水设备具有无水保护和高、低压力保护等多种装置安全功能。
8、硅片清洗超纯水设备所有控制采用全自动方式，主要元件采用进口元件，稳定性高，操作简单方便。