超纯水硅有多少

⑴ 超纯水硬度是多少

若是指蒸馏水，一般不测定硬度，只是进行钙、镁离子的定性检查，方法如下：
版钙离权子：取少量于试管中，加数滴氨水使之呈碱性，再加草酸铵液二滴，放置十二小时后无沉淀即合格。
镁离子：取少量于试管中，加0.1%鞑靼黄一滴及6N的氢氧化钠数滴，如有淡红色出现，就证明有镁离子，如呈黄色则合格。
若是一般的水，通常硬度也是指钙镁离子的含量，通常用EDTA络合滴定法，多数资料都有介绍。
希望对你有用。

⑵ 硅钢的含硅量到底是多少

正常情况下是在0.5-4.8%.随硅含量的提高，钢的强度和硬度增加，脆性也显著增加，使轧制和加工困难。而且硅易氧化而使硅钢片生锈。冷轧硅钢中硅一般不超过4.8%，但目前也出现了6.5%的高硅钢。按其含硅量不同可分为低硅和高硅两种。低硅片含硅2.8％以下，它具有一定机械强度，主要用于制造电机，俗称电机硅钢片；高硅片含硅量为2.8％-4.8％，它具有磁性好，但较脆，主要用于制造变压器铁芯，俗称变压器硅钢片。两者在实际使用中并无严格界限，常用高硅片制造大型电机。

⑶ 一般石头含硅多少

总的来说：岩浆岩中：中性岩、酸性岩硅含量很高、例如：花岗岩斑岩、石英斑岩等。还有火山喷发出的玻璃物质、隐晶质的髓石、玛瑙、蛋白石等
沉积岩中：硅质白云岩、砂岩、石英砂岩等
变质岩中：石英岩、石英片岩、石英片麻岩、矽卡岩中的硅含量也不低

⑷ 超纯水中硅离子含量超标是什么原因

可能是超纯柱失效导致，硅离子是弱电解质，属离子交换过程中不易去除物质，因此当超纯柱交换能力下降时，这些离子容易超标

⑸ 硅的最高纯度可以达到多少

目前硅纯度比较高的一般为9个9！！

⑹ 地下水全硅和有效硅含量分别为多少

地下水全硅和有效硅含量分别为多少
硅铁中硅的含量可以用仪器分析和化学分析手内段测定，用仪器分析我不在行，容你可以去荧光分析、原子吸收等板块看看，或许能找到好的方法。
用化学分析方法，常用的有重量法、滴定法、光度法、比重法。重量法准确但分析步骤繁琐，时间较长，需要4～8h甚至更长时间；滴定法分析时间1～2h，准确度堪与重量法相比；光度法（或者差示光度法）分析时间15～20min，准确度也较高，但是受操作者水平和标样、器皿、药品质量影响较大；比重法最快，只需要5min左右，用于一般的分析验证可用，准确较低。
我个人推荐使用滴定法（氟硅酸钾滴定法），采用抽滤操作，合理安排分析步骤，可以将分析时间缩短到40min以内，而且分析数据准确度较高，更为有利的是，除了比重法，这是药品器材消耗最低的一种方法，也就是说分析成本最低，就是性价比最高。

⑺ 超纯水的基本概况

超纯水处理是指下列杂质含量极低的水：
①无机电离杂质，如 Ca2+、Mg2+、Na+、K+、Fe2+、Fe3+、Mn2+、Al3+、HCO-、CO32-、SO42-、Cl2、NO3-、NO2-、SiO32-、PO43-等；
②有机物，如烷基苯磺酸、油、有机铁、有机铝以及其他碳氢化合物等；
③颗粒，如尘埃、氧化铁、铝、胶体硅等；
④微生物，如细菌、浮游生物和藻类等；
⑤溶解气体，如N2、O2、CO2、H2S等。超纯水中电离杂质的含量用水的电阻率数值来衡量。理论上，纯水 中只有H离子和OH离子参加导电。在25℃时超纯水的电阻率为 18.3（兆欧·厘米），一般约为15～18（兆欧·厘米）。
超纯水中有机物含量由测定有机物碳含量而定，电子工业超纯水中规定含量为50～200微克/升，并要求直径大于1微米的颗粒性物质每1毫升内含量为1～2个，微生物每1毫升为0～10个。现代采用预处理、电渗析、紫外线杀菌、反渗透、离子交换、超滤和各种膜过滤技术等，使超纯水的电阻率在25℃时达到18（兆欧·厘米）。
依各种原水水质和用户要求的不同，超纯水的制备工艺大体可分为预处理、脱盐和精处理三步。 超纯水，主要工艺流程
⒈预处理----复床 ----混床---抛光树脂
⒉预处理----反渗透---混床---抛光树脂
⒊预处理----反渗透----CEDI膜块----抛光树脂
传统超纯水制取设备工艺流程：原水—多介质过滤器—活性炭过滤器—一级除盐—混床—超纯水
膜法超纯水制取设备工艺流程：原水—超滤—反渗透—EDI—超纯水
在膜法工艺中，超滤，微滤替代澄清，石英砂过滤器，活性炭过滤器，除去水中的悬浮物胶体和有机物，降低浊度，SDI，COD等，可以实现反渗透装置对污水回用的安全，高效运行，以反渗透替代离子交换器脱盐，进一步除去有机物，胶体，细菌等杂质，可以保证反渗透出水满足EDI进水的要求，以EDI代替混床深度脱盐，利用电而不是酸碱对树脂再生，避免了二次污染。 中国国家实验室分析用水标准（GB6682-92）《分析实验室用水规格和实验方法》： 指标名称 一级水 二级水 三级水 1级水>10MΩ 2级水>1MΩ 3级水>0.2MΩ PH值范围（25℃） -- -- 5.0-7.5 比电阻MΩ.cm（25℃）> 10 1 0.2 电导率（25℃）≤ 0.1 1 5 可氧化物[以O计]mg/L -- 0.08 0.40 吸光度（254nm,1cm光程）≤ 0.001 0.01 -- 二氧化硅（mg/L） 0.02 0.05 -- 蒸发残渣（mg/L） -- 1.0 2.0