离子刻蚀可以去划痕吗

㈠ 划痕可以抛光消除吗

只要划痕不损伤基础油漆即清漆层有划痕这个划痕就能抛光划痕可以通过汽车抛光去除。对于汽车油漆面的氧化、黑暗、划痕，可以有效地进行汽车抛光处理，使油漆更加光滑光亮。汽车抛光可以清洁车身，有效清除污垢和腐蚀，达到恢复油漆清洁度的目的。上蜡前先抛光车身，效果会更好，维持时间会更长。没有办法去修理厂研磨，效果很好。执照的外观第二天通过了。所以可以去除轻微的划痕，但划痕太深，不能暴露钢板。但是可以让修理工先在暴露的地方涂一些油漆。划痕可以用汽车抛光去除。

光泽可以去除油漆表面的细微划痕处理汽车油漆表面的轻微损伤和各种污渍。打扫整个车辆用去污力强的油漆清洗剂清洁整个车辆。使用洗涤剂时，在抛光过程中要避免粒子灰尘引起的新划痕。对于涂层表面的粗糙颗粒、细沙纸印痕、油痕等缺陷，在抛光前，轻轻打磨。粗糙的磨石和精细的磨石。用机械研磨机和粗糙研磨剂研磨水砂纸的痕迹。然后加入磨料进行研磨和抛光。机器抛光机和镜子处理剂可以去除粗糙药膏留下的旋转痕迹达到漆膜的镜面抛光效果。

㈡ 装修后发现，家里的地砖上面有铝质的划痕能去掉吗

相信很多朋友在装修的时候都经历过苦恼。例如，地砖不小心被金属划伤，留下了金属划痕。用水怎么擦也擦不掉，橡皮也擦不了。地砖上有金属划痕，不知道该怎么去除？不要着急，下次一起看看正确的打扫方法！一个是瓷砖划痕，瓷砖表面结构不受损，瓷砖清扫干净后，地板表面没有痕迹。另一个是地砖金属划痕。例如，用铁钉或锋利的铁器刮掉砖表面，形成受损砖表面的划痕。这个地砖划痕需要拆下来修理。否则很快就会变得肮脏，用黑色划痕重新形成。

如果是比较重的金属推力产生的划痕，从地砖上取下划痕可能会更困难。可以使用专门清除金属划痕的洗涤剂，以便更容易、更快地清除地板上的金属划痕。首先使用前，请保持划痕上没有水，戴上橡胶手套和口罩，喷洒洗涤剂，用干抹布反复擦拭，直到划痕消失。取得满意效果后，应立即用清水擦拭干净，避免残留。干净就像新的砖面一样立即显现，对瓷砖没有任何伤害。

㈢ 汽车抛光可以去掉深度划痕吗

可以。

汽车抛光是可以去掉划痕的。对于汽车漆面氧化、暗淡无光泽，车身有划痕，汽车抛光都是可以有效处理的，使漆面更加平滑光亮。除此之外，汽车抛光还可以清洁车身，有效去除污垢、腐蚀物，达到恢复漆面清洁度的目的。在打蜡、封釉之前抛光车身，可以使得效果更好，保持时间更久。

汽车抛光注意事项

汽车抛光是汽车打蜡和封釉的前期工作，就是利用工具对汽车表面进行一次打磨，平整的操作。一般汽车在喷涂后表面会出现一些，粗粒、砂纸痕、流痕等细小的缺陷，为了弥补这些缺陷，一般我们在喷涂后就需要进行一次打磨，用来提高漆面的镜面效果，使其更加的光亮、平滑、艳丽等。

一般情况下，汽车抛光基本是在汽车出现划痕或者生锈的时候进行的。这时我们需要进行局部抛光，局部抛光的价钱是比较便宜的一般就在50左右就可以完成了。

㈣ 打蜡可不可以去掉汽车的刮痕

可以。

汽车打蜡可以暂时的掩盖划痕，真正的去除划痕的办法是抛光，抛光后的漆面是最娇气的，需要做打蜡、封釉或镀膜保护，最好的漆面镀膜也杜绝不了太阳纹的产生，只是保持的时间会长，出现太阳纹的概率相对小点而已，尤其是红色和黑色的车，迎着太阳光看漆面的太阳纹是非常的明显。

汽车抛光是可以去掉划痕的。对于汽车漆面氧化、暗淡无光泽，车身有划痕，汽车抛光都是可以有效处理的，使漆面更加平滑光亮。除此之外，汽车抛光还可以清洁车身，有效去除污垢、腐蚀物，达到回复漆面清洁度的目的。在打蜡、封釉之前抛光车身，可以使得效果更好，保持时间更久。

(4)离子刻蚀可以去划痕吗扩展阅读：

注意事项：

1、新车不要随便打蜡。有人购回新车后便给车辆打蜡，这是不足取的。因为新车本身的漆层上已有层保护蜡，过早打蜡反而会把新车表面的原装蜡除掉，造成不必要的浪费，一般新车购回五个月内不必急于打蜡。

2、要掌握好打蜡频率。由于车辆行驶的环境、停放场所不同，打蜡的时间间隔也应有所不同。一般有车库停放，多在良好道路上行驶的车辆，每3-4个月打一次蜡；露天停放的车辆，由于风吹雨淋，最好每2-3个月打一次蜡。

3、应在阴凉处给汽车打蜡，保证车体不致发热。因为随着温度的升高，车蜡的附着性变差，会影响打蜡质量。

㈤ 谁知道等离子去胶机的原理

等离子去胶法，去胶气体为氧气。其工作原理是将硅片置于真空反应系统中，通入少量氧气，加1500 V高压，由高频信号发生器产生高频信号，使石英管内形成强的电磁场，使氧气电离，形成氧离子、活化的氧原子、氧分子和电子等混合物的等离子体的辉光柱。活化氧（活泼的原子态氧）可以迅速地将聚酰亚胺膜氧化成为可挥发性气体，被机械泵抽走，这样就把硅片上的聚酰亚胺膜去除了。等离子去胶的优点是去胶操作简单、去胶效率高、表面干净光洁、无划痕、成本低、环保
电介质等离子体刻蚀设备一般使用电容耦合等离子体平行板反应器。在平行电极反应器中，反应离子刻蚀腔体采用了阴极面积小，阳极面积大的不对称设计，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上。在射频电源所产生的热运动作用下带负电的自由电子因质量小、运动速度快，很快到达阴极；而正离子则由于质量大，速度慢不能在相同的时间内到达阴极, 从而使阴极附近形成了带负电的鞘层。正离子在鞘层的加速下，垂直轰击硅片表面，加快表面的化学反应及反应生成物的脱离，导致很高的刻蚀速率。离子轰击也使各向异性刻蚀得以实现等离子体去胶的原理和等离子体刻蚀的原理是一致的。不同的是反应气体的种类和等离子体的激发方式。

㈥ 等离子体刻蚀机 能刻二氧化钛吗

可以用离子溅射刻蚀，但选择比差。
可以用CF4，SF6，含Cl的等离子体增强化学反应刻蚀，刻蚀速率不高。

㈦ 清洗硅片的顺序

太阳能硅片表面等离子体清洗工艺

硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。 去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。

等离子硅片清洗条件参数：
1、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉；所用气体选自02、Ar、N2中的任一种；气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力1040毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。
2、如1所述的等离子体清洗方法，其特征在于所用气体为02。
3、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。
4、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时闾1-5s。
5、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss

说 明 书

等离子清洗涉及刻蚀工艺领域，并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残
留颗粒的清洗。
背景技术
在刻蚀过程中，颗粒的来源很多：刻蚀用气体如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蚀性，刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒；反应室的石英盖也会在等离子体的轰击作用下产生石英颗粒；反应室内的内衬( liner)也会在较长时间的刻蚀过程中产生金属颗粒。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接，导致器件损坏。因此，在刻蚀工艺过程中对颗粒的控制很重要。
目前，常用的去除硅片表面颗粒的方法有两种：一种是标准清洗( RCA)清洗技术，另一种是用硅片清洗机进行兆声清洗。RCA清洗技术所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统。其清洗工序为：一号液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀释的HF(DHF)(HF+H20)—，二号液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除颗粒沾污（粒子），也能去除部分金属杂质。去除颗粒的原理为：硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（约6nm，呈亲水性），该氧化膜又被NH40H腐蚀，腐蚀后立即发生氧他，氧化和腐蚀反复进行，附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。自然氧化膜约0.6nm厚，与NH40H和H202的浓度及清洗液温度无关。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与未被氧化的金属作用生成盐，并随去离子水冲洗而被去除，被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。RCA清洗技术存在以下缺陷：需要人工操作，劳动量大，操作环境危险；工艺复杂，清洗时间长，生产效率低；清洗溶剂长期浸泡容易对硅片过腐蚀或留下水痕，影响器件性能；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高；去除
粒子效果较好，但去除金属杂质Al、Fe效果欠佳。
用硅片清洗机进行兆声清洗是将硅片吸附在静电卡盘( chuck)上，清洗过程中硅片不断旋转，清洗液喷淋在硅片表面。可以进行不同转速和喷淋时间的设置，连续完成多步清洗步骤。典型工艺为：兆声_氨水+双氧水（可以进行加温）_水洗_盐酸+双氧水-水洗_兆声一甩干。
用硅片清洗机进行兆声清洗的缺陷表现为：只能进行单片清洗，单片清洗时间长，导致生产效率较低；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高。

等离子清洗硅片表面颗粒原理：
等离子体清洗方法的原理为：依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用，，达到去除物体表面颗粒的目的。它通常包括以下过程：a．无机气体被激发到等离子态；b．气相物质被吸附在固体表面；c．被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；d．产物分子解析形成气相；e．反应残余物脱离表面。
等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗（purge）流程，然后进行该气体等离子体启辉。
所用工艺气体选自02、Ar、N2中的任一种。优选地，所用工艺气体选
02。
以上所述的等离子体清洗方法，氕体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s；启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。
优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时间1.Ss。
更优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。
等离子清洗硅片后效果：
本发明所述的去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所需工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。
附图说明
图1等离子体清洗前后的CD-SEM（关键尺寸量测仪器）图片；
其中，CD: Criticaldimension关键尺寸。
图2等离子体清洗前后的FE-SEM（场发射显微镜）图片；
其中，FE: field emission场发射。
图3等离子体清洗前后的particle（粒子）图片。
在进行完BT（break through自然氧化层去除步骤）、ME（Main Etch主刻步骤）、OE（过刻步骤）的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行02的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，通气时间为3s;然后，进行含有02的启辉过程：腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，上RF的功率设置为300W．启辉时间为Ss。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。
在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行Ar的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，通气时间为Ss;然后，进行含有Ar的启辉过程：腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，上RF的功率设置为400W，启辉时间为10s。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。
在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行N2的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，通气时间为Ss;然后，进行含有N2的启辉过程：腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，上RF的功率设置为250W，启辉时间为10s。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。
南京世锋科技等离子研究中心 QQ283加5883加29

㈧ 等离子体刻蚀是什么

等离子体刻蚀（也称干法刻蚀）是集成电路制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面，其范围涵盖前端CMOS栅极（Gate）大小的控制，以及后端金属铝的刻蚀及Via和Trench的刻蚀。在今天没有一个集成电路芯片能在缺乏等离子体刻蚀技术情况下完成。刻蚀设备的投资在整个芯片厂的设备投资中约占10%~12%比重，它的工艺水平将直接影响到最终产品质量及生产技术的先进性。
最早报道等离子体刻蚀的技术文献于1973年在日本发表，并很快引起了工业界的重视。至今还在集成电路制造中广泛应用的平行电极刻蚀反应室（Reactive Ion Etch-RIE）是在1974年提出的设想。
图1显示了这种反应室的剖面示意图和重要的实验参数，它是由下列几项组成：一个真空腔体和真空系统，一个气体系统用于提供精确的气体种类和流量，射频电源及其调节匹配电路系统。
等离子刻蚀的原理可以概括为以下几个步骤：
● 在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中
的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团（Radicals）
● 活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物
● 反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。
在平行电极等离子体反应腔体中，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上，在这种情况，一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可大大加快表面的化学反应，及反应生成物的脱附，从而导致很高的刻蚀速率，正是由于离子轰击的存在才使得各向异性刻蚀得以实现。
资料来自：www.uniplasma.com

㈨ 什么是反应离子刻蚀

这种刻蚀过程同时兼有物理和化学两种作用。辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行。硅片处于阴极电位，放电时的电位大部分降落在阴极附近。大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速，垂直入射到硅片表面上,以较大的动量进行物理刻蚀,同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应，产生化学刻蚀作用。选择合适的气体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，大大提高了刻蚀的各向异性特性。反应离子刻蚀是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法。