Ⅰ 单晶硅切片的检测指标有哪些
电阻率，寿命，厚度及公差，对角线，变长，氧碳含量，位错等。
Ⅱ 单晶硅切片工作
环境比一般工厂好些，待遇一般都是按当地工资水平和消费水平来确定
Ⅲ 单晶脏硅片清洗方法
从多晶硅到单晶硅棒再到切(硅)片这一段是用不到金刚石砂轮的!我们公司就是从事光伏产品的制造! 从多晶硅-单晶硅-切片都做的! 目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。 目前国内主要采用CZ法 CZ法主要设备：CZ生长炉 CZ法生长炉的组成元件可分成四部分 （1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁 （2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件 （3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀 （4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统 加工工艺： 加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长 （1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 （2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。 （3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。 （4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 （5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。 （6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。 单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片 加工流程： 单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片 倒角→研磨 腐蚀--抛光→清洗→包装 切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。 切断的设备：内园切割机或外园切割机 切断用主要进口材料：刀片 外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。 外径滚磨的设备：磨床 平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。 处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。 切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。 切片的设备：内园切割机或线切割机 倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。 倒角的主要设备：倒角机 研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。 研磨的设备：研磨机（双面研磨） 主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。 腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。 腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。 （B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。 抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。 抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。 抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um； 精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。 清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。 清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL （3）损耗产生的原因 A.多晶硅--单晶硅棒 多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。 重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的N或P型）放入石英坩埚内溶化而成的料。 重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。 损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。 单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。 单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10％-13％。 希望能对你有帮助!
Ⅳ 太阳能单晶硅片生产中，切片的工艺从切方、滚磨、切片、脱胶、清洗、检片的注意事项，特别是切片
101, 单晶制备, 单晶片加工工、AF延工、半导体温差电致冷材料制备工、半导体温差 ...
工、果汁酱加工工、果脯蜜饯加工工、蜜蜂产品加工工、炒货加工工、魔芋切片工、菜
Ⅳ 制造单晶硅片有毒么
单晶硅片制造工艺分为，将多晶硅料通过直拉CZ或区熔FZ方法制造成单晶硅棒，硅单晶棒经过切片，磨削，抛光清洗成单晶硅片。其中单晶拉制过程一般会掺杂B，P，Ga，As等元素，以制造出P型或N型单晶硅棒，这些掺杂元素大多都是剧毒。拉直成单晶后拆炉需要排风，就是害怕吸入那些元素挥发物。切片和磨片基本不接触剧毒物质，但抛光和清洗涉及到HCL酸，HF酸和氨水，这些都是有毒物质。长期接触氨水还会有秃顶现象。一般需要有上岗安全培训证书才允许操作。还有个很有趣的事情，就是单晶部门的男人结婚以后都生儿子，而抛光清洗部门的都是女儿。也许是几率把。
Ⅵ 单晶硅切片怎么会出现暗裂
切割工艺或原料本身或两者共同作用的结果。。
Ⅶ 从事硅切片工作有什么危害吗
有，你可以到网上去查一下
Ⅷ 单晶硅制备过程中会产生哪些污染物质哪些可以较好的处理、哪些不能处理只能排入自然环境中
单晶硅项目的环境影响主要有以下几方面：
废气：主要为正常生产时废气处理工序尾气、产品后处理和硅芯制备工序酸性废气等，主要废气污染物为HCl、NOx、氯硅烷、HF等。
废水：主要为正常生产时产品后处理和硅芯制备工序水洗废水、装置区设备/地坪冲洗水，以及循环水、脱盐水系统排出的假定清净下水。主要废水污染物为SS、COD、盐等。
固废：主要固体废弃物为原料制备和SiHCl3合成工序产生的硅粉、工艺废料处理工序产生的NaCl和SiO2固体废物、酸洗废液处理工序产生的Ca(NO3)2/CaF2固体废物。
噪声：主要产噪设备为机泵、压缩机和放空管
答案补充：
废气处理：一般用10%NaOH溶液洗涤，废气中的氯硅烷（以SiHCl3为例）和氯化氢与NaOH发生反应而被除去。含有NaCl、Na2SiO3的出塔底洗涤液用泵送入工艺废料处理工序。
废液处理：一般分离提纯工序残液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液体以及装置停车放净的氯硅烷液体加入石灰乳液中和废液中的氯硅烷等和而被转化成无害的物质。经过规定时间的处理，用泵从槽底抽出含H4SiO4、CaCl2、H4SiO4、Na2SiO3的液体，送往工艺废料处理工序。
废料处理：A．Ⅰ类废液处理
来自氯化氢合成工序的废酸、液氯汽化工序的废碱、废气残液处理工序和废硅粉处理的废液等在此工序进行混合、中和后，经过压滤机过滤。滤渣（主要为SiO2、NaCl等）送渣厂堆埋。滤液主要为NaCl溶液，进行蒸发、浓缩和结晶。蒸发冷凝液循环利用（配置NaOH溶液），结晶固体氯化钠等外售或填埋。
B．Ⅱ类废液处理
来自硅芯制备工序和产品整理工序的废氢氟酸和废硝酸，用碱液中和，生成的氟化钠和硝酸钠溶液，进行蒸发、浓缩和结晶。蒸发冷凝液循环利用（配置NaOH溶液），结晶固体氟化钙和硝酸钠等外售或填埋。
Ⅸ 多晶硅切片与单晶硅切片区别
多晶晶体生长方向混乱，单晶方向一致。