如何提升反相器上升延遲時間

❶ cmos反相器怎樣才能有相同的上升和下降時間

t=Q/I，要使得他們具有相同的上升和下降時間， 意味著充放電的電流要一樣，也就是pmos的電流和nmos一樣，I(p)=k*Up*W/L,I(n)=k*Un*W/L,所以Wp=k*Un/Up*Wn

❷ 由多個反相器組成環形振盪器的方法測量平均傳輸延遲時間的原理是

電路延遲導致相位變化，當多反相器級聯將導致相位變化逐漸增加，當相位變化到與初始相位相差180度時，就構成了振盪電路的一個條件，環路增益大於1就能實現振盪了

環形振盪器原理

電容電壓不能突變，可以用來傳輸振盪翻轉時的跳變信號。
上圖通過電容，第1第3反相器形成正反饋，而第2反相器由於有電阻隔離，對第3反相器的輸入影響很小，只能在穩態下，慢慢向電容充電，控制振盪翻轉周期。
下圖中，3個反相器形成負反饋，不能震盪，盡管第1反相器通過電容送來的信號算正反饋，但被電阻阻擋，信號很小，拗不過第2反相器的輸出能力，不能改變第2反相器的輸出狀態。信號只能通過第2反相器傳遞，故沒有正反饋，也就不能震盪。

❸ 反相器為什麼可以提升帶負載能力說簡單點，幫助理解，謝謝~

反相器是可以將輸入信號的相位反轉180度，這種電路應用在模擬電路，比如說音頻放大，時鍾振盪器等。在電子線路設計中，經常要用到反相器。

組成結構：

典型TTL與非門電路電路組成

輸入級——晶體管T1和電阻Rb1構成。

中間級——晶體管T2和電阻Rc2、Re2構成。

輸出級——晶體管T3、T4、D和電阻Rc4構成，推拉式結構，在正常工作時，T4和T3總是一個截止，另一個飽和。

工作原理：

當輸入Vi=3.6V(高電平)

Vb1=3.6+0.7=4.3V 足以使T1(bc結)T2(be結)T3 (be結)同時導通, 一但導通Vb1=0.7+0.7+0.7=2.1V(固定值),此時V1發射結必截止(倒置放大狀態)。

Vc2=Vces+Vbe2=0.2+0.7=0.9V 不足以T3和D同時導通,

反相器

T4和D均截止。

V0=0.2V (低電平)

當輸入Vi=0.2V(低電平)

Vb1=0.2+0.7=0.9V不 足以使T1(bc結)T2(be結)T3 (be結)同時導通,

T2 T3均截止, 同時Vcc---Rc2----T4---D---負載形成通路,

T4和D均導通。

V0=Vcc-VRc2(可略)-Vbe4-VD=5-0.7-0.7 =3.6(高電平)

結論:輸入高,輸出低;輸入低,輸出高(非邏輯)

❹ 有較低vol的反相器總有較短的從高到低的開關時間嗎

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文檔介紹：CMOS反相器. * energy-delay energy delay 0 5 10 15 0.5 1 1.5 2 2.5 Vdd (V) Energy-Delay (normalized) 例5.15 0.25?m CMOS反相器的最優電源電壓 VTn=0.43V, VDsatn=0.63V, VTEn=0.74V, VTp=-0.4V, VDsatp=-1V, VTEp=-0.9V, VTE≈(VTEn+|VTEp|)/2=0.8V 因此，VDDopt=(3/2) ×0.8V=1.2V 所預測的最優電源電壓為1.1.V Energy-Delay Energy Delay END * 阻抗是電路或設備對交流電流的阻力，輸出阻抗是在出口處測得的阻抗。阻抗越小，驅動更大負載的能力就越高。 輸入阻抗是在入口處測得的阻抗。高輸入阻抗能夠減小電路連接時信號的變化，因而也是最理想的。 CMOS反相器. * 5.4.3 從設計角度考慮傳播延時 NMOS與PMOS的比 使PMOS管較寬，以使它的電阻與下拉的NMOS管匹配。這通常要求PMOS和NMOS的寬度比在3~3.5之間 對稱VTC 由高至低與由低至高的傳播延時相等 如果對稱性和雜訊容限不是主要的考慮因素，那麼實際上有可能通過減少PMOS器件的寬度來加快反相器的速度 使PMOS較寬因充電電流的增加而改善了反相器的tpLH，但它也由於產生較大的寄生電容而使tpHL變差 ? = (W/L) p/(W/L) n r = Reqp/Reqn (代表尺寸完全相同的PMOS和NMOS晶體管的電阻比) ?opt = ?r (當導線電容可以忽略時) CMOS反相器. * 例5.6 確定以相同門為負載的CMOS反相器的尺寸 圖5.18 CMOS反相器的傳播延時與PMOS對NMOS管比值β的關系 ? = (W/Lp)/(W/Ln) tp(sec) ?

❺ 若一個CMOS反相器中的pFET和nFET尺寸相同，則上升時間和下降時間的關系如何

若Wn/Ln=Wp/Lp, 則pFET和nFET電流大小取決於載流子遷移率Un/Up，一般情況下，Un〉Up，所以Tfall<Trise

❻ fpga中一個非門延時多長時間

具體延遲時間與FPGA晶元採用的工藝有關，有些型號時間短些，有些就長一些。

❼ 請教高手，圖片中20kHz的波形如何使其幅度變的更小，甚至為0V，而且，接下來的上升沿時間如何縮短拜託

看下面這個波形應該是0到3V左右的波形，20khz電壓峰值大約在1V以內，用一片74HC14施密特反相器即可去除這些尖峰，在5V電源下，74HC14的正翻轉閾值大約為1.7V，這樣當信號高於這個電壓時U1A輸出低電平，當信號低於大約為1V左右的負翻轉閾值時U1A輸出高電平，而尖峰電壓由於低於正翻轉閾值，所以此期間一直輸出高電平，同時緩慢上升的波形也會被整形成更加陡的上升沿，反向的信號通過U1B被還原成與輸入信號同方向的脈沖。

❽ 關於CMOS中上升時間和下降時間的提問

第一個關系比較相關，第二個相關性較低。

學好理科的方法：

1、想比別人優秀，就一定要比別人付出得多。狀元林茜並不提倡過度熬夜學習，一定要保證充足的休息，高效率的學習才最關鍵，上課的時候集中精力聽講是自己成績優秀的根本。

2、學習就是緊跟老師，他覺得對於學習來說，計劃是最重要的，而且越細越好。他會每天都安排好自己的學習，到了高考前夕，這個計劃甚至會具體到每天幾點到幾點干什麼。

3、到了沖刺階段，不鑽研難題、偏題，而是鞏固基本方法。很多學生都屬於眼高手低型，基礎都沒打好，就想取得高分，這怎麼可能呢？趙旭照不提倡熬夜等低效率的學習，學習應該注意勞逸結合，他始終堅持八小時的睡眠，充足的睡眠保證了趙旭照高效率的學習。

4、整理錯題，而且把自己的錯題本當成寶貝來看待。平時在學習中做錯的題，林佳瑞把它們抄下來，定期拿出來分析，不斷鞏固復習，最終達到了查漏補缺的效果。

❾ 反相器的傳輸延時跟哪些因素有關如何計算

降低反相器傳播延時的措施：
減小CL：擴散電容、互連線電容、扇出電容
增加MOS管的W/L，即減小Reqn和Reqp
提高VDD，即對RC電路的充電速度變快
反相器是可以將輸入信號的相位反轉180度，這種電路應用在模擬電路，比如說音頻放大，時鍾振盪器等。在電子線路設計中，經常要用到反相器。CMOS反相器電路由兩個增強型MOS場效應管組成。典型TTL與非門電路電路由輸入級、中間級、輸出級組成。
隨著微電子技術與工藝的不斷發展和創新，以計算機為代表的各類數字電子產品應用越來越廣泛，與此同時也面臨著更加復雜的電磁環境。CMOS 反相器是幾乎所有數字集成電路設計的核心，它具有較大的雜訊容限、極高的輸入電阻、極低的靜態功耗以及對雜訊和干擾不敏感等優點，因此廣泛應用於數字集成電路中。HPM可以通過縫隙、孔洞以及外露連接線纜等「後門」途徑，耦合進入電子系統內部，影響系統內器件的正常工作，

❿ 在AC 瞬態分析中 CMOS反相器的反應時間（包括fall time和rise time）大於Pseudo-PMOS 反相器的反應時間

AC叫交流分析，是小信號模型。瞬態分析叫transient，本質是大信號。
Pesudo-PMOS的特點就是犧牲功耗，提升速度，因為PMOS一直開著。所以總體比CMOS反相器要快，反應時間要短。