硅錠切片時用到的樹脂板

㈠ 從沙子到晶元，cpu是怎麼製造的

1、硅的重要來源：沙子
作為半導體材料，使用得最多的就是硅元素，其在地球表面的元素中儲量僅次於氧，含硅量在27.72%，其主要表現形式就是沙子（主要成分為二氧化硅），沙子裡面就含有相當量的硅。因此硅作為IC製作的原材料最合適不過，想想看地球上有幾個浩瀚無垠的沙漠，來源既便宜又方便。

2、硅熔煉、提純
不過實際在IC產業中使用的硅純度要求必須高達99.999999999%。目前主要通過將二氧化硅與焦煤在1600-1800℃中，將二氧化硅還原成純度為98%的冶金級單質硅，緊接著使用氯化氫提純出99.99%的多晶硅。雖然此時的硅純度已經很高，但是其內部混亂的晶體結構並不適合半導體的製作，還需要經過進一步提純、形成固定一致形態的單晶硅。

3、制備單晶硅錠
單晶的意思是指原子在三維空間中呈現規則有序的排列結構，而單晶硅擁有「金剛石結構」，每個晶胞含有8個原子，其晶體結構十分穩定。

單晶硅的「金剛石」結構
通常單晶硅錠都是採用直拉法制備，在仍是液體狀態的硅中加入一個籽晶，提供晶體生長的中心，通過適當的溫度控制，就開始慢慢將晶體向上提升並且逐漸增大拉速，上升同時以一定速度繞提升軸旋轉，以便將硅錠控制在所需直徑內。結束時，只要提升單晶硅爐溫度，硅錠就會自動形成一個錐形尾部，制備就完成了，一次性產出的IC晶元更多。

制備好的單晶硅錠直徑約在300mm左右，重約100kg。而目前全球范圍內都在生產直徑12寸的硅圓片，硅圓片尺寸越大，效益越高。
4、硅錠切片
將制備好的單晶硅錠一頭一尾切削掉，並且對其直徑修整至目標直徑，同時使用金剛石鋸把硅錠切割成一片片厚薄均勻的晶圓（1mm）。有時候為了定出硅圓片的晶體學取向，並適應IC製作過程中的裝卸需要，會在硅錠邊緣切割出「取向平面」或「缺口」標記。

5、研磨硅圓片
切割後的晶圓其表面依然是不光滑的，需要經過仔細的研磨，減少切割時造成的表面凹凸不平，期間會用到特殊的化學液體清洗晶圓表面，最後進行拋光研磨處理，還可以在進行熱處理，在硅圓片表面成為「無缺陷層」。一塊塊亮晶晶的硅圓片就這樣被製作出來，裝入特製固定盒中密封包裝。

製作完成的硅圓片
通常半導體IC廠商是不會自行生產這種晶圓，通常都是直接從硅圓片廠中直接采購回來進行後續生產。
前工程——製作帶有電路的晶元
6、塗抹光刻膠
買回來的硅圓片經過檢查無破損後即可投入生產線上，前期可能還有各種成膜工藝，然後就進入到塗抹光刻膠環節。微影光刻工藝是一種圖形影印技術，也是集成電路製造工藝中一項關鍵工藝。首先將光刻膠（感光性樹脂）滴在硅晶圓片上，通過高速旋轉均勻塗抹成光刻膠薄膜，並施加以適當的溫度固化光刻膠薄膜。
光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料，可以在光照後發生化學性質的改變，這是整個工藝的基礎。

7、紫外線曝光
就單項技術工藝來說，光刻工藝環節是最為復雜的，成本最為高昂的。因為光刻模板、透鏡、光源共同決定了「印」在光刻膠上晶體管的尺寸大小。
將塗好光刻膠的晶圓放入步進重復曝光機的曝光裝置中進行掩模圖形的「復制」。掩模中有預先設計好的電路圖案，紫外線透過掩模經過特製透鏡折射後，在光刻膠層上形成掩模中的電路圖案。一般來說在晶圓上得到的電路圖案是掩模上的圖案1/10、1/5、1/4，因此步進重復曝光機也稱為「縮小投影曝光裝置」。

一般來說，決定步進重復曝光機性能有兩大要素：一個是光的波長，另一個是透鏡的數值孔徑。如果想要縮小晶圓上的晶體管尺寸，就需要尋找能合理使用的波長更短的光（EUV，極紫外線）和數值孔徑更大的透鏡(受透鏡材質影響，有極限值）。

目前最先進的ASML公司 TWINSCAN NXE:3300B
8、溶解部分光刻膠
對曝光後的晶圓進行顯影處理。以正光刻膠為例，噴射強鹼性顯影液後，經紫外光照射的光刻膠會發生化學反應，在鹼溶液作用下發生化學反應，溶解於顯影液中，而未被照射到的光刻膠圖形則會完整保留。顯影完畢後，要對晶圓表面的進行沖洗，送入烘箱進行熱處理，蒸發水分以及固化光刻膠。

9、蝕刻
將晶圓浸入內含蝕刻葯劑的特製刻蝕槽內，可以溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護著不需要蝕刻的部分。期間施加超聲振動，加速去除晶圓表面附著的雜質，防止刻蝕產物在晶圓表面停留造成刻蝕不均勻。

10、清除光刻膠
通過氧等離子體對光刻膠進行灰化處理，去除所有光刻膠。此時就可以完成第一層設計好的電路圖案。

11、重復第6-8步
由於現在的晶體管已經3D FinFET設計，不可能一次性就能製作出所需的圖形，需要重復第6-8步進行處理，中間還會有各種成膜工藝（絕緣膜、金屬膜）參與到其中，以獲得最終的3D晶體管。

12、離子注入
在特定的區域，有意識地導入特定雜質的過程稱為「雜質擴散」。通過雜質擴散可以控制導電類型（P結、N結）之外，還可以用來控制雜質濃度以及分布。
現在一般採用離子注入法進行雜質擴散，在離子注入機中，將需要摻雜的導電性雜質導入電弧室，通過放電使其離子化，經過電場加速後，將數十到數千keV能量的離子束由晶圓表面注入。離子注入完畢後的晶圓還需要經過熱處理，一方面利用熱擴散原理進一步將雜質「壓入」硅中，另一方面恢復晶格完整性，活化雜質電氣特性。

離子注入法具有加工溫度低，可均勻、大面積注入雜質，易於控制等優點，因此成為超大規模集成電路中不可缺少的工藝。
10、再次清除光刻膠
完成離子注入後，可以清除掉選擇性摻雜殘留下來的光刻膠掩模。此時，單晶硅內部一小部分硅原子已經被替換成「雜質」元素，從而產生可自由電子或空穴。

左：硅原子結構；中：摻雜砷，多出自由電子；右：摻雜硼，形成電子空穴
11、絕緣層處理
此時晶體管雛形已經基本完成，利用氣相沉積法，在硅晶圓表面全面地沉積一層氧化硅膜，形成絕緣層。同樣利用光刻掩模技術在層間絕緣膜上開孔，以便引出導體電極。

12、淀銅層
利用濺射沉積法，在晶圓整個表面上沉積布線用的銅層，繼續使用光刻掩模技術對銅層進行雕刻，形成場效應管的源極、漏極、柵極。最後在整個晶圓表面沉積一層絕緣層以保護晶體管。

13、構建晶體管之間連接電路
經過漫長的工藝，數以十億計的晶體管已經製作完成。剩下的就是如何將這些晶體管連接起來的問題了。同樣是先形成一層銅層，然後光刻掩模、蝕刻開孔等精細操作，再沉積下一層銅層。。。。。。這樣的工序反復進行多次，這要視乎晶元的晶體管規模、復製程度而定。最終形成極其復雜的多層連接電路網路。

由於現在IC包含各種精細化的元件以及龐大的互聯電路，結構非常復雜，實際電路層數已經高達30層，表面各種凹凸不平越來越多，高低差異很大，因此開發出CMP化學機械拋光技術。每完成一層電路就進行CMP磨平。
另外為了順利完成多層Cu立體化布線，開發出大馬士革法新的布線方式，鍍上阻擋金屬層後，整體濺鍍Cu膜，再利用CMP將布線之外的Cu和阻擋金屬層去除干凈，形成所需布線。

大馬士革法多層布線
晶元電路到此已經基本完成，其中經歷幾百道不同工藝加工，而且全部都是基於精細化操作，任何一個地方出錯都會導致整片晶圓報廢，在100多平方毫米的晶圓上製造出數十億個晶體管，是人類有文明以來的所有智慧的結晶。
後工程——從劃片到成品銷售
14、晶圓級測試
前工程與後工程之間，夾著一個Good-Chip/Wafer檢測工程，簡稱G/W檢測。目的在於檢測每一塊晶圓上製造的一個個晶元是否合格。通常會使用探針與IC的電極焊盤接觸進行檢測，傳輸預先編訂的輸入信號，檢測IC輸出端的信號是否正常，以此確認晶元是否合格。
由於目前IC製造廣泛採用冗餘度設計，即便是「不合格」晶元，也可以採用冗餘單元置換成合格品，只需要使用激光切斷預先設計好的熔斷器即可。當然，晶元有著無法挽回的嚴重問題，將會被標記上丟棄標簽。

15、晶圓切片、外觀檢查
IC內核在晶圓上製作完成並通過檢測後後，就進入了劃片階段。劃片使用的劃刀是粘附有金剛石顆粒的極薄的圓片刀，其厚度僅為人類頭發的1/3。將晶圓上的每一個IC晶元切劃下來，形成一個內核Die。
裂片完成後還會對晶元進行外觀檢查，一旦有破損和傷痕就會拋棄，前期G/W檢查時發現的瑕疵品也將一並去除。

未裂片的一個個CPU內核
16、裝片
晶元進行檢測完成後只能算是一個半成品，因為不能被消費者直接使用。還需要經過裝片作業，將內核裝配固定到基片電路上。裝片作業全程由於計算機控制的自動固晶機進行精細化操作。

17、封裝
裝片作業僅僅是完成了晶元的固定，還未實現電氣的連接，因此還需要與封裝基板上的觸點結合。現在通常使用倒裝片形式，即有觸點的正面朝下，並預先用焊料形成凸點，使得凸點與相應的焊盤對准，通過熱迴流焊或超聲壓焊進行連接。
封裝也可以說是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護晶元，還可以增強導熱性能的作用。目前像Intel近些年都採用LGA封裝，在核心與封裝基板上的觸點連接後，在核心塗抹散熱硅脂或者填充釺焊材料，最後封裝上金屬外殼，增大核心散熱面積，保護晶元免受散熱器直接擠壓。
至此，一顆完整的CPU處理器就誕生了。

18、等級測試
CPU製造完成後，還會進行一次全面的測試。測試出每一顆晶元的穩定頻率、功耗、發熱，如果發現晶元內部有硬體性缺陷，將會做硬體屏蔽措施，因此劃分出不同等級類型CPU，例如Core i7、i5、i3。

19、裝箱零售
CPU完成最終的等級劃測試後，就會分箱進行包裝，進入OEM、零售等渠道。

㈡ 樹脂板的優缺點有哪些

樹脂通常是指受熱後有軟化或熔融范圍，軟化時在外力作用下有流動傾向，常溫下是固態、半固態，有時也可以是液態的有機聚合物。廣義地上定義，可以作為塑料製品加工原料的任何高分子化合物都稱為樹脂。

樹脂有天然樹脂和合成樹脂之分。天然樹脂是指由自然界中動植物分泌物所得的無定形有機物質，如松香、琥珀、蟲膠等。合成樹脂是指由簡單有機物經化學合成或某些天然產物經化學反應而得到的樹脂產物。

相對分子量不確定但通常較高，常溫下呈固態、中固態、假固態，有時也可以是液態的有機物質。具有軟化或熔融溫度范圍，在外力作用下有流動傾向，破裂時常呈貝殼狀。廣義上是指用作塑料基材的聚合物或預聚物。一般不溶於水，能溶於有機溶劑。按來源可分為天然樹脂和合成樹脂;按其加工行為不同的特點又有熱塑性樹脂和熱固性樹脂之分。

DOWEX樹脂是一種不可分離的均勻的混床樹脂。使用在超純水拋光處理階段的不可再生混床里來實現硅、硼、鈉、鉀、硫酸鹽、氯化物、鋅、鐵和鋁離子的較低的ppb水平。這類不可再生混床在更換前可使用2-3年。UPW級別的樹脂具有很高的離子轉換率(95%最小)，卓越的電導率和TOC的清洗特性和超強的抗壓強度。由於它是有均粒的360微米陽樹脂和590微米的陰樹脂混合而成，使其保持了高效的動力學性能和較高的運行交換容量。

樹脂材料優缺點：

優點：

1.可塑性強：樹脂材料造型力極強，可製作多種造型，應用范圍廣。可製作如樹脂工藝品、樹脂腰線等等。

2.裝飾性強：其材料表現細膩，用樹脂材料製作的產品質感優良，可按照要求設計款式、顏色或尺寸等等。

3.耐用：樹脂材料表面光潔度高，且其製品柔韌性好、耐腐蝕、耐高低溫、抗老化，使用壽命長。

缺點：

1.環保性差：樹脂材質不環保，放室內感覺不太好，如果金屬的要好一點，和木材都屬於自然材質，比較淳樸。

2.由於樹脂材料工序較復雜，所以材料成本高，市場價格也會高一些。

㈢ 從硅料到太陽能電池片的生產流程，有誰知道

太陽能電池片的生產工藝流程分為矽片檢測——表面制絨——擴散制結——去磷硅玻璃——等離子刻蝕——鍍減反射膜——絲網印刷——快速燒結等。具體介紹如下：

一、矽片檢測

矽片是太陽能電池片的載體，矽片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低，因此需要對來料矽片進行檢測。該工序主要用來對矽片的一些技術參數進行在線測量，這些參數主要包括矽片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設備分自動上下料、矽片傳輸、系統整合部分和四個檢測模塊。其中，光伏矽片檢測儀對矽片表面不平整度進行檢測,同時檢測矽片的尺寸和對角線等外觀參數；微裂紋檢測模塊用來檢測矽片的內部微裂紋；另外還有兩個檢測模組，其中一個在線測試模組主要測試矽片體電阻率和矽片類型，另一個模塊用於檢測矽片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對矽片的對角線、微裂紋進行檢測，並自動剔除破損矽片。矽片檢測設備能夠自動裝片和卸片，並且能夠將不合格品放到固定位置，從而提高檢測精度和效率。

二、表面制絨

單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由於入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的鹼性溶液，可用的鹼有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，矽片須先進行初步表面腐蝕，用鹼性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面後，進行一般的化學清洗。經過表面准備的矽片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結。

三、擴散制結

太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現光能到電能的轉換，而擴散爐即為製造太陽能電池PN結的專用設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣櫃部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態源作為擴散源。把P型矽片放在管式擴散爐的石英容器內，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和矽片進行反應，得到磷原子。經過一定時間，磷原子從四周進入矽片的表面層，並且通過硅原子之間的空隙向矽片內部滲透擴散，形成了N型半導體和P型半導體的交界面，也就是PN結。這種方法制出的PN結均勻性好,方塊電阻的不均勻性小於百分之十,少子壽命可大於10ms。製造PN結是太陽電池生產最基本也是最關鍵的工序。因為正是PN結的形成，才使電子和空穴在流動後不再回到原處，這樣就形成了電流，用導線將電流引出，就是直流電。

四、去磷硅玻璃

該工藝用於太陽能電池片生產製造過程中，通過化學腐蝕法也即把矽片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產生化學反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸，以去除擴散制結後在矽片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴散過程中，POCL3與O2反應生成P2O5淀積在矽片表面。P2O5與Si反應又生成SiO2和磷原子，這樣就在矽片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設備一般由本體、清洗槽、伺服驅動系統、機械臂、電氣控制系統和自動配酸系統等部分組成，主要動力源有氫氟酸、氮氣、壓縮空氣、純水，熱排風和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸與二氧化硅反應生成易揮發的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量，反應生成的四氟化硅會進一步與氫氟酸反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸。

五、等離子刻蝕

由於在擴散過程中，即使採用背靠背擴散，矽片的所有表麵包括邊緣都將不可避免地擴散上磷。PN結的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區域流到PN結的背面，而造成短路。因此，必須對太陽能電池周邊的摻雜硅進行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結。通常採用等離子刻蝕技術完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態下，反應氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發下，產生電離並形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量並形成大量的活性基團。活性反應基團由於擴散或者在電場作用下到達SiO2表面，在那裡與被刻蝕材料表面發生化學反應，並形成揮發性的反應生成物脫離被刻蝕物質表面，被真空系統抽出腔體。

六、鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。現在工業生產中常採用PECVD設備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置於低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然後通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強型化學氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當的提高。

七、絲網印刷

太陽電池經過制絨、擴散及PECVD等工序後，已經製成PN結，可以在光照下產生電流，為了將產生的電流導出，需要在電池表面上製作正、負兩個電極。製造電極的方法很多，而絲網印刷是目前製作太陽電池電極最普遍的一種生產工藝。絲網印刷是採用壓印的方式將預定的圖形印刷在基板上，該設備由電池背面銀鋁漿印刷、電池背面鋁漿印刷和電池正面銀漿印刷三部分組成。其工作原理為：利用絲網圖形部分網孔透過漿料，用刮刀在絲網的漿料部位施加一定壓力，同時朝絲網另一端移動。油墨在移動中被刮刀從圖形部分的網孔中擠壓到基片上。由於漿料的粘性作用使印跡固著在一定范圍內，印刷中刮板始終與絲網印版和基片呈線性接觸，接觸線隨刮刀移動而移動，從而完成印刷行程。

八、快速燒結

經過絲網印刷後的矽片，不能直接使用，需經燒結爐快速燒結，將有機樹脂粘合劑燃燒掉，剩下幾乎純粹的、由於玻璃質作用而密合在矽片上的銀電極。當銀電極和晶體硅在溫度達到共晶溫度時，晶體硅原子以一定的比例融入到熔融的銀電極材料中去，從而形成上下電極的歐姆接觸，提高電池片的開路電壓和填充因子兩個關鍵參數，使其具有電阻特性，以提高電池片的轉換效率。

燒結爐分為預燒結、燒結、降溫冷卻三個階段。預燒結階段目的是使漿料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉，此階段溫度慢慢上升；燒結階段中燒結體內完成各種物理化學反應，形成電阻膜結構，使其真正具有電阻特性，該階段溫度達到峰值；降溫冷卻階段，玻璃冷卻硬化並凝固，使電阻膜結構固定地粘附於基片上。

九、外圍設備

在電池片生產過程中，還需要供電、動力、給水、排水、暖通、真空、特汽等外圍設施。消防和環保設備對於保證安全和持續發展也顯得尤為重要。一條年產50MW能力的太陽能電池片生產線，僅工藝和動力設備用電功率就在1800KW左右。工藝純水的用量在每小時15噸左右，水質要求達到中國電子級水GB/T11446.1-1997中EW-1級技術標准。工藝冷卻水用量也在每小時15噸左右，水質中微粒粒徑不宜大於10微米，供水溫度宜在15-20℃。真空排氣量在300M3/H左右。同時，還需要大約氮氣儲罐20立方米，氧氣儲罐10立方米。考慮到特殊氣體如硅烷的安全因素，還需要單獨設置一個特氣間，以絕對保證生產安全。另外，硅烷燃燒塔、污水處理站等也是電池片生產的必備設施。

㈣ 樹脂板有什麼用

中山市三鄉，平東建材市場

㈤ 太陽能電池板工藝流程

太陽能電池板（組件）生產工藝
組件線又叫封裝線，封裝是太陽能電池生產中的關鍵步驟，沒有良好的封裝工藝，多好的電池也生產不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證，而且還增強了電池的抗擊強度。產品的高質量和高壽命是贏得可客戶滿意的關鍵，所以組件板的封裝質量非常重要。
工藝流程如下：
1、電池檢測——2、正面焊接—檢驗—3、背面串接—檢驗—4、敷設（玻璃清洗、材料切割、玻璃預處理、敷設）——5、層壓——6、去毛邊（去邊、清洗）——7、裝邊框（塗膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠）——8、焊接接線盒——9、高壓測試——10、組件測試—外觀檢驗—11、包裝入庫；
1.2工藝簡介：
在這里只簡單的介紹一下工藝的作用，給大家一個感性的認識，具體內容後面再詳細介紹：
1、電池測試：由於電池片製作條件的隨機性，生產出來的電池性能不盡相同，所以為了有效的將性能一致或相近的電池組合在一起，所以應根據其性能參數進行分類；電池測試即通過測試電池的輸出參數（電流和電壓）的大小對其進行分類。以提高電池的利用率，做出質量合格的電池組件。
2、 正面焊接：是將匯流帶焊接到電池正面（負極）的主柵線上，匯流帶為鍍錫的銅帶，我們使用的焊接機可以將焊帶以多點的形式點焊在主柵線上。焊接用的熱源為一個紅外燈（利用紅外線的熱效應）。焊帶的長度約為電池邊長的2倍。多出的焊帶在背面焊接時與後面的電池片的背面電極相連。(我們公司採用的是手工焊接)
3、背面串接：背面焊接是將36片電池串接在一起形成一個組件串，我們目前採用的工藝是手動的，電池的定位主要靠一個膜具板，上面有36個放置電池片的凹槽，槽的大小和電池的大小相對應，槽的位置已經設計好，不同規格的組件使用不同的模板，操作者使用電烙鐵和焊錫絲將「前面電池」的正面電極（負極）焊接到「後面電池」的背面電極（正極）上，這樣依次將36片串接在一起並在組件串的正負極焊接出引線。
4、層壓敷設：背面串接好且經過檢驗合格後，將組件串、玻璃和切割好的EVA 、玻璃纖維、背板按照一定的層次敷設好，准備層壓。玻璃事先塗一層試劑（primer）以增加玻璃和EVA的粘接強度。敷設時保證電池串與玻璃等材料的相對位置，調整好電池間的距離，為層壓打好基礎。（敷設層次：由下向上：玻璃、EVA、電池、EVA、玻璃纖維、背板）。
5、組件層壓：將敷設好的電池放入層壓機內，通過抽真空將組件內的空氣抽出，然後加熱使EVA熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起；最後冷卻取出組件。層壓工藝是組件生產的關鍵一步，層壓溫度層壓時間根據EVA的性質決定。我們使用快速固化EVA時，層壓循環時間約為25分鍾。固化溫度為150℃。
6、修邊：層壓時EVA熔化後由於壓力而向外延伸固化形成毛邊，所以層壓完畢應將其切除。
7、 裝框：類似與給玻璃裝一個鏡框；給玻璃組件裝鋁框，增加組件的強度，進一步的密封電池組件，延長電池的使用壽命。邊框和玻璃組件的縫隙用硅酮樹脂填充。各邊框間用角鍵連接。
8、焊接接線盒：在組件背面引線處焊接一個盒子，以利於電池與其他設備或電池間的連接。
9、高壓測試：高壓測試是指在組件邊框和電極引線間施加一定的電壓，測試組件的耐壓性和絕緣強度，以保證組件在惡劣的自然條件（雷擊等）下不被損壞。
10、組件測試：測試的目的是對電池的輸出功率進行標定，測試其輸出特性，確定組件的質量等級。

㈥ 樹脂板製作時間

時間為60分鍾。
樹脂版通常被用於印刷的工藝之中，它的製造工藝比較繁瑣，需要大家遵循的步驟方法和注意事項也不少，具體可以包括鋪流、曝光、沖洗、乾燥與後曝光等工序，每一個細節都應該結合實際確定，否則會導致事倍功半的後果。
生態樹脂板是普通玻璃的40倍，是亞克力抗擊強度的8倍。

㈦ 樹脂板的主要成分是什麼

品格的抗菌樹脂板是一種新型的綠色環保建築材料，具有防撞耐磨，防火阻燃，防霉防潮易清潔，抗菌，色彩豐富，尺寸穩定，輕質輕便，綠色環保，隔熱吸音等九大產品特點。作為一種同質透芯的產品，樹脂材料中富含銀離子，能殺死附著於板材表面的真菌、大腸桿菌及金黃葡萄球菌、黴菌等病原微生物，且抗菌效果不隨材料的使用壽命周期而減退。同時，作為一種醫用硬乙烯樹脂和天然大豆油環氧樹脂合成材料，品格板（抗菌樹脂板）具有很強的防撞性能，在輪椅以及推車的撞擊過程中能很好的保護牆體。

㈧ 裝飾牆面用樹脂板是什麼東西

【中山華溢透光石】為你解答：
樹脂板就是樹脂在熱融過程中加入輕紡專、金屬、紙、屬植物、樹葉等獨特材料製作而成，他主要的特性是可循環使用。重量是玻璃的一半，質地堅韌，可塑性，抵抗化學腐蝕，具有高透光率，可在現場割加工。 這種可用於背景牆、發光造型、廚房衛浴隔斷、衛浴檯面等等。。這就是樹脂可用於裝飾牆面。再不了解，可以打開我的網路空間，上面有介紹也有圖片。。

㈨ 半導體應變片的介紹

半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，最後粘貼在鋅酚醛樹脂或聚醯亞胺的襯底上製成的。是一種利用半導體單晶硅的壓阻效應製成的一種敏感元件。

㈩ 樹脂板用什麼材料做的

科寶乙烯基樹脂的應用
1、製作耐腐蝕FRP製品，如玻璃鋼槽罐、管道、塔版器以及耐腐蝕格權柵等。
2、防腐蝕工程，如水泥基或鐵基玻璃鋼襯里、高耐腐蝕地坪，高強度FRP製品，如玻璃鋼型材、體育用品、FRP船艇等。
3、重防腐玻璃鱗片塗料、鱗片膠泥。
4、其他如UV油墨、重防腐工業地坪等。
5、電廠脫硫防腐，耐高溫，耐強酸強鹼。
6、化工車間工作台耐酸鹼防腐等。