A. 內存的封裝方式是什麼意思,各有哪幾種!以及它們的區別是什麼
隨著計算機晶元技術的不斷發展和成熟，為了更好地與之相配合，內存產品也由後台走出，成為除CPU外的另一關注焦點。作為計算機的重要組成部分，內存的性能直接影響計算機的整體性能。而內存製造工藝的最後一步也是最關鍵一步就是內存的封裝技術，採用不同封裝技術的內存條，在性能上存在較大差距。只有高品質的封裝技術才能生產出完美的內存產品。
封裝技術其實就是一種將集成電路打包的技術。拿我們常見的內存來說，我們實際看到的體積和外觀並不是真正的內存的大小和面貌，而是內存晶元經過打包即封裝後的產品。這種打包對於晶元來說是必須的，也是至關重要的。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電學性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它又是至關重要的。
目前業界普遍採用的封裝技術盡管多種多樣，但是有90%採用的是TSOP(如圖1所示)技術，TSOP英文全稱為Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封裝)，這是80年代出現的內存第二代封裝技術的代表。TSOP的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳，如SDRAM的IC為兩側有引腳，SGRAM的IC四面都有引腳。TSOP適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，封裝外形尺寸，寄生參數減小，適合高頻應用，操作方便，可靠性高。採用這種技術的品牌有三星、現代、Kingston等，TSOP目前廣泛應用於SDRAM內存的製造上，但是隨著時間的推移和技術的進步，TSOP已越來越不適用於高頻、高速的新一代內存。
如同微處理器一樣，內存條的技術也是不斷地更新。大家可能已發現手中內存條上的顆粒模樣漸漸在變，變得比以前更小、更精緻。變化不僅在表面上，而且這些新型的晶元在適用頻率和電氣特性上比老前輩又有了長足的進步。這一結晶應歸功於那些廠商選用了新型內存晶元封裝技術。以TinyBGA和BLP技術為代表的新型晶元封裝技術逐漸成熟起來。
首先我們要提及的就是TinyBGA技術，TinyBGA技術是Kingmax的專利，於1998年8月開發成功。要了解TinyBGA技術，首先要知道BGA是什麼，BGA為Ball-Gird-Array的英文縮寫，即球柵陣列封裝，是新一代的晶元封裝技術，它的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是可增加I/O數和間距，消除高I/O數帶來的生產成本和可靠性問題。它已經在筆記本電腦的內存、主板晶元組等大規模集成電路的封裝領域得到了廣泛的應用。比如我們所熟知的Intel 845PE、VIA KT400晶元組等都是採用這一封裝技術的產品。
TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），其晶元面積與封裝面積之比不小於1：1.14，屬於BGA封裝技術的一個分支。該項革新技術的應用可以使所有計算機中的DRAM內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，TinyBGA採用BT樹脂以替代傳統的TSOP技術，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。
TinyBGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了驚人的提升，在和128M TSOP封裝的144針SO-DIMM相同空間的PCB板上利用TinyBGA封裝方式可以製造256M內存。以相同大小的兩片內存模塊而言，TinyBGA封裝方式的容量比TSOP高一倍，但價格卻未有明顯變化。資料顯示，採用TinyBGA封裝技術的內存產品以相同容量比較，體積只有TSOP封裝的三分之一；當內存模組的製程直徑小於0.25 m時TinyBGA封裝的成本要小於TSOP封裝成本。
TinyBGA封裝內存的I/O端子是由晶元中心方向引出的，而TSOP則是由四周引出。這有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的四分之一，因此信號的衰減便隨之減少。這樣不僅大幅度升晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能，採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外額，而採用傳統TSOP封裝最高只可抗150MHz的外額。而且，用TinyBGA封裝的內存，不但體積較之相同容量的TSOP封裝晶元小，同時也更薄(封裝高度小於0.8mm)，從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。於是，TinyBGA內存便擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。經過反復測試顯示，TinyBGA的熱抗阻比TSOP的低75％。很明顯與傳統TSOP封裝方式相比，TinyBGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
除了TinyBGA之外，BLP技術也是目前市場上常用的一種技術，BLP英文全稱為Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技術)，其晶元面積與封裝面積之比大於1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封裝規范。不僅高度和面積極小，而且電氣特性得到了進一步的提高，製造成本也不高，廣泛用於SDRAM\RDRAM\DDR等新一代內存製造上。隨著由於BLP封裝中關鍵部件塑封基底價格的不斷下降，BLP封裝內存很快就會走入普通用戶的家庭
內存顆粒的封裝方式經歷了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的變革，可謂風風雨雨一路發展而來。在介紹內存顆粒封裝之前，讓我們先來看看內存的3種模塊。
在早期的PC中，存儲晶元都是直接焊接在主板上的， RAM的容量也就因此固定下來，如果要擴容就很麻煩。為了拓展RAM的容量，後來設計者就把存儲晶元做成專門的存儲模塊，需要的時候再添加。
SIMM（單列直插存儲模塊）
體積小、重量輕，插在主板的專用插槽上。插槽上有防呆設計，能夠避免插反，而且插槽兩端有金屬卡子將它卡住，這便是現今內存的雛形。其優點在於使用了標准引腳設計，幾乎可以兼容所有的PC機。
DIMM（雙列直插存儲模塊）
和SIMM相似，只是體積稍大。不同處在於SIMM的部分引腳前後連接在一起，而DIMM的每個引腳都是分開的，所以在電氣性能上有較大改觀，而且這樣可以不用把模塊做得很大就可以容納更多的針腳，從而容易得到更大容量的RAM。
RIMM（Rambus直插式存儲模塊）
其外形有點像DIMM，只是體積要大一點，性能更好，但價格昂貴，發熱量較大。為了解決發熱問題，模塊上都有一個很長的散熱片。
B. 內存的顆粒封裝有哪幾種
隨著計算機晶元技術的不斷發展和成熟，為了更好地與之相配合，內存產品也由後台走出，成為除CPU外的另一關注焦點。作為計算機的重要組成部分，內存的性能直接影響計算機的整體性能。而內存製造工藝的最後一步也是最關鍵一步就是內存的封裝技術，採用不同封裝技術的內存條，在性能上存在較大差距。只有高品質的封裝技術才能生產出完美的內存產品。
封裝技術其實就是一種將集成電路打包的技術。拿我們常見的內存來說，我們實際看到的體積和外觀並不是真正的內存的大小和面貌，而是內存晶元經過打包即封裝後的產品。這種打包對於晶元來說是必須的，也是至關重要的。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電學性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它又是至關重要的。
目前業界普遍採用的封裝技術盡管多種多樣，但是有90%採用的是TSOP(如圖1所示)技術，TSOP英文全稱為Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封裝)，這是80年代出現的內存第二代封裝技術的代表。TSOP的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳，如SDRAM的IC為兩側有引腳，SGRAM的IC四面都有引腳。TSOP適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，封裝外形尺寸，寄生參數減小，適合高頻應用，操作方便，可靠性高。採用這種技術的品牌有三星、現代、Kingston等，TSOP目前廣泛應用於SDRAM內存的製造上，但是隨著時間的推移和技術的進步，TSOP已越來越不適用於高頻、高速的新一代內存。
如同微處理器一樣，內存條的技術也是不斷地更新。大家可能已發現手中內存條上的顆粒模樣漸漸在變，變得比以前更小、更精緻。變化不僅在表面上，而且這些新型的晶元在適用頻率和電氣特性上比老前輩又有了長足的進步。這一結晶應歸功於那些廠商選用了新型內存晶元封裝技術。以TinyBGA和BLP技術為代表的新型晶元封裝技術逐漸成熟起來。
首先我們要提及的就是TinyBGA技術，TinyBGA技術是Kingmax的專利，於1998年8月開發成功。要了解TinyBGA技術，首先要知道BGA是什麼，BGA為Ball-Gird-Array的英文縮寫，即球柵陣列封裝，是新一代的晶元封裝技術，它的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是可增加I/O數和間距，消除高I/O數帶來的生產成本和可靠性問題。它已經在筆記本電腦的內存、主板晶元組等大規模集成電路的封裝領域得到了廣泛的應用。比如我們所熟知的Intel 845PE、VIA KT400晶元組等都是採用這一封裝技術的產品。
TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），其晶元面積與封裝面積之比不小於1：1.14，屬於BGA封裝技術的一個分支。該項革新技術的應用可以使所有計算機中的DRAM內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，TinyBGA採用BT樹脂以替代傳統的TSOP技術，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。
TinyBGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了驚人的提升，在和128M TSOP封裝的144針SO-DIMM相同空間的PCB板上利用TinyBGA封裝方式可以製造256M內存。以相同大小的兩片內存模塊而言，TinyBGA封裝方式的容量比TSOP高一倍，但價格卻未有明顯變化。資料顯示，採用TinyBGA封裝技術的內存產品以相同容量比較，體積只有TSOP封裝的三分之一；當內存模組的製程直徑小於0.25 m時TinyBGA封裝的成本要小於TSOP封裝成本。
TinyBGA封裝內存的I/O端子是由晶元中心方向引出的，而TSOP則是由四周引出。這有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的四分之一，因此信號的衰減便隨之減少。這樣不僅大幅度升晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能，採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外額，而採用傳統TSOP封裝最高只可抗150MHz的外額。而且，用TinyBGA封裝的內存，不但體積較之相同容量的TSOP封裝晶元小，同時也更薄(封裝高度小於0.8mm)，從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。於是，TinyBGA內存便擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。經過反復測試顯示，TinyBGA的熱抗阻比TSOP的低75％。很明顯與傳統TSOP封裝方式相比，TinyBGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
除了TinyBGA之外，BLP技術也是目前市場上常用的一種技術，BLP英文全稱為Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技術)，其晶元面積與封裝面積之比大於1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封裝規范。不僅高度和面積極小，而且電氣特性得到了進一步的提高，製造成本也不高，廣泛用於SDRAM\RDRAM\DDR等新一代內存製造上。隨著由於BLP封裝中關鍵部件塑封基底價格的不斷下降，BLP封裝內存很快就會走入普通用戶的家庭
內存顆粒的封裝方式經歷了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的變革，可謂風風雨雨一路發展而來。在介紹內存顆粒封裝之前，讓我們先來看看內存的3種模塊。
在早期的PC中，存儲晶元都是直接焊接在主板上的， RAM的容量也就因此固定下來，如果要擴容就很麻煩。為了拓展RAM的容量，後來設計者就把存儲晶元做成專門的存儲模塊，需要的時候再添加。
SIMM（單列直插存儲模塊）
體積小、重量輕，插在主板的專用插槽上。插槽上有防呆設計，能夠避免插反，而且插槽兩端有金屬卡子將它卡住，這便是現今內存的雛形。其優點在於使用了標准引腳設計，幾乎可以兼容所有的PC機。
DIMM（雙列直插存儲模塊）
和SIMM相似，只是體積稍大。不同處在於SIMM的部分引腳前後連接在一起，而DIMM的每個引腳都是分開的，所以在電氣性能上有較大改觀，而且這樣可以不用把模塊做得很大就可以容納更多的針腳，從而容易得到更大容量的RAM。
RIMM（Rambus直插式存儲模塊）
其外形有點像DIMM，只是體積要大一點，性能更好，但價格昂貴，發熱量較大。為了解決發熱問題，模塊上都有一個很長的散熱片。
參考資料：http://down.51vip.net/Article/225/2005/20050910340.asp
C. DDR333和DDR400內存有什麼區別對轉換出來的視頻的質量有影響嗎
現在市場上DDR內存從速度上有DDR266、DDR333和DDR400三種規格分別對應的數據傳輸量分別是PC2100、PC2700和PC3200，單位是M/S，並且所有規格都是向下兼容的，當然速度越快，價格也越高。從品牌上看，主流的有現代（HY）、三星、、MT、kingston、kingmax等等。內存顆粒封裝工藝除了kingmax採用TinyBGA封裝外，其他的內存都採用傳統TSOP封裝技術。
目前市場中銷量最大的DDR仍屬現代的內存，原因很簡單，一是具有良好的性價比、二是貨源穩定。
對於現代的DDR內存筆者一直比較好有好感，除了價格相對便宜以外，其良好的兼容性和出眾的超頻性能一直深受我的喜歡。現在的主板，特別是採用Intel晶元組的，大多數只支持到DDR266的速度，對於一般的家庭或辦公用戶，沒有必要花更多的票票選擇高速內存。但是，現在市場的HY內存條只有一年保換的售後服務，也許和HY的穩定性欠佳有些聯系。好在內存條在電腦配件中屬於經久耐用一類型，只要順利通過裝機時的種種考驗，日後較少會出問題的。
三星的DDR內存條也是採用它自主開發的內存顆粒，市場中最常見的是DDR266和DDR333兩種規格。
可以看出，三星內存的製作工藝是相當精湛的，本來，三星已經成為全球最大的Rambus DRAM製造商，具備成為DDR大鱷的實力與條件超頻向來不是Samsung內存的強項,高速和穩定才是三星追求的目標。而且三星條子的價格（不是三星金條哦）還是相當合理的，適合於對超頻要求不是很高的的用戶使用。
介紹kingmax的內存之前總要說一說kingmax獨特的封裝工藝。TinyBGA技術是KingMax的專利，於1998年8月開發成功。TinyBGA技術採用BT樹脂以替代傳統的TSOP技術，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。
早在PC100規范的SDRAM時代，kingmax內存就以優秀的性能在廣大用戶心中已經樹立起了良好形象，現在kingmax品牌就代表著高性能和優秀品質，據有關權威測試表明，kingmax DDR333是目前市面上唯一正式符合DDR333（PC2700）規格的DDR SDRAM，在支持DDR333內存的主板上的表現能力只能讓其它品牌的內存望其項背。kingmaxDDR做工精良、性能出眾、運行穩定、就是同其他品牌相比價格的確貴了不少。適合更多關注性能的朋友選用。
Kingston一直主攻高端伺服器市場，其產品的做工和品質均無需懷疑。
它的產品雖然不像kingmax有獨到的技術，在內存零售市場上也從來沒有具備過價格優勢，長期以來靠的是穩定的性能和出眾的品質吸引著用戶。屬於實力派產品，適用於各層次消費者。
有關內存的幾個常見問題
1.內存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區別？
單面內存與雙面內存的區別在於單面內存的內存晶元都在同一面上，而雙面內存的內存晶元分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區別就不同了。Bank從物理上理解為北橋晶元到內存的通道，通常每個通道為64bit。一塊主板的性能優劣主要取決於它的晶元組。不同的晶元組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列晶元組支持4個Bank，而SiS的645系列晶元組
則能支持6個Bank。如果主板只支持4個Bank，而我們卻用6個Bank的話，那多餘的2個Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。
2.內存的2-2-3通常是什麼意思？
這些電腦硬體文章經常出現的參數就是在主板的BIOS裡面關於內存參數的設置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預充電時間，數值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延遲，數值越小越好；CL(CAS Latency)為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。
3.內存的雙通道技術和單通道有什麼不同？
什麼是雙通道DDR技術呢？需要說明的是，它並非我們以前所介紹的DDRII，而是一種可以讓2條DDR內存共同使用，數據並行傳輸的技術。雙通道DDR技術的優勢在於，它可以讓內存帶寬在原來的基礎上增加一倍，這對於P4處理器的好處可謂不言而喻。大家都知道400MHz FSB的P4處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2GB/s，而533MHz FSB的P4處理器的吞吐能力更是達到了4.3GB/s，但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066規范外，根本沒有內存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7GB/s的帶寬。
4.DDR-Ⅱ和現在的DDR內存有什麼不同？
DDR-II內存是相對於現在主流的DDR-I內存而言的，它們的工作時鍾預計將為400MHz或更高。主流內存市場將從現在的DDR-333產品直接過渡到DDR-II。DDR-II內存將採用0.13微米工藝，容量為18MB/36MB/72MB，最大288MB，位元組架構為X8、X18、X36，讀取反應時間為2.5個時鍾周期。通過將DLL(delay-locked
loop，延時鎖定迴路)設計到內存中(這與Rambus設計理念相似)，輸出的數據效率提升65%左右，DDR數據傳送方式為每周期32個位元組，並且可以隨工作頻率的提升達到更高性能。已知道的規格有：系統內存方麵包括400MHz(4.8GB/s帶寬)、533MHz(5.6GB/s帶寬)、667MHz(6.4GB/s帶寬)三種，顯卡(默認規格)方麵包括800MHz、1000MHz兩種。所有的DDR-II內存均在1.8V下工作，單條容量至少有512MB。DDR-II管腳數量有200pin、220pin、240pinFBGA封裝形式之分，與現在的DDR內存不相容。
學會識別內存
內存是計算機不可缺少的部件之一，而內存條又是J商們經常「下刀」和假冒偽劣產品比較集中的東西。目前市場上充斥著很多假冒名牌內存，以低容量內存冒充高容量，以低速內存冒充高速度，這就要求用戶學會怎樣識別假冒內存的規格和內存晶元編號。一般方法是看SPD晶元中的信息和內存晶元上的編號，由於SPD晶元內的信息是內存的技術規范，因此一般用戶在櫃台購買內存時是看不到的，所以用戶只能依靠內存上的編號來識別。由於各生產廠家的內存編號不近相同，因此下面我們就以較為常見金士頓ValueRAM系列舉例說明內存編號上代表的信息。
下面我們以常見的品牌內存金士頓ValueRAM DDR內存編號為例：
編號為ValueRAM KVR400X64C25/256
1、KVR代表kingston value RAM
2、外頻速度
3、一般為X
4、64為沒有ECC；72代表有ECC
5、有S字元表示筆記本專用內存，沒有S字元表示普通的台式機或是伺服器內存
6、3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=2
7、分隔符號
8、內存的容量
金士頓ValueRAM SDRAM內存命名方式也和DDR一樣。
??另外我們在選擇內存時，時常聽到一些諸如：-5ns，內存帶寬，PC-2100等計量單位。它們究竟代表什麼含義？相關聯的單位之間的換算關系是怎樣的？我想可能有不少人還是不太清楚。下面我就為大家簡單介紹一下。
Hz（赫茲）用來表示時鍾頻率，通常以MHz和GHz作為計量單位。
ns（納秒, ns為十億分之一秒）通常用來表示物理內存和顯存的存取速度。其值越小，極限工作頻率就越高。
DDR SDRAM 在命名原則上也與SDRAM 不同。SDRAM 的命名是按照時鍾頻率來命名的，例如 PC100 與PC133。而 DDR SDRAM 則是以數據傳輸量作為命名原則，例如PC2100 以及 PC2700，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR266 其實與 PC2100 是相同的規格，數據傳輸量為 2128MB/s，而 DDR333與PC2700 也是一樣的情形。
??另外我們還可以通過一些內存自身特有的標記來識別，比如Kingston為了防偽在內存上將會出現採用特殊工藝製造的內存防偽號碼，這種防偽措施是採用將內存防偽標貼上的其中4位數和採用特殊工藝烙印在內存PCB板上的內存編號中4位數是否一一對應的方法來辨別真假，採用這種防偽措施不但可以給那些造假者以最沉痛的打擊，而且能有助於我們對內存品牌和真假的識別。
??其實大多內存廠家的命名和編號規律都差不多，所以只要能掌握上面介紹的一些基礎的知識，做到舉一反三，就能夠不斷的提高自己對各種內存更深層次的認識。
內存的速度和轉換出來的視頻效果沒影響
但是影響轉換的速度快慢而已
D. 什麼是bt樹脂
電子產品在多功能化、高i/o數及小型化趨勢下，ic構裝技術隨之改變內，因此由1980年代以前的通孔插容裝(pth insertion)，1980～1993年大幅變革成表面黏裝smt方式，進展到至今以bga、csp及flip chip為主的構裝方式，由ic載板生產成本來看，材料價佔比重高達40％～50％，原料中又以bt樹脂(bismaleimide triazine resin)為主，bt樹脂是日本三菱瓦斯化學公司於1982年經拜耳化學公司技術指導所開發出來，擁有專利也商業化量產，因此是目前全球最大的bt樹脂製造商。
日本三菱瓦斯公司開發出來的bt樹脂， 主要以b (bismaleimide) and t (triazine) 聚合而成，以bt樹脂為原料所構成的基板具有高tg(255~330℃)、耐熱性(160~230℃)、抗濕性、低介電常數(dk)及低散失因素(df)…等優點，
E. 顆粒封裝是什麼,有什麼用!
隨著計算機晶元技術的不斷發展和成熟，為了更好地與之相配合，內存產品也由後台走出，成為除CPU外的另一關注焦點。作為計算機的重要組成部分，內存的性能直接影響計算機的整體性能。而內存製造工藝的最後一步也是最關鍵一步就是內存的封裝技術，採用不同封裝技術的內存條，在性能上存在較大差距。只有高品質的封裝技術才能生產出完美的內存產品。
封裝技術其實就是一種將集成電路打包的技術。拿我們常見的內存來說，我們實際看到的體積和外觀並不是真正的內存的大小和面貌，而是內存晶元經過打包即封裝後的產品。這種打包對於晶元來說是必須的，也是至關重要的。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電學性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它又是至關重要的。
目前業界普遍採用的封裝技術盡管多種多樣，但是有90%採用的是TSOP(如圖1所示)技術，TSOP英文全稱為Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封裝)，這是80年代出現的內存第二代封裝技術的代表。TSOP的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳，如SDRAM的IC為兩側有引腳，SGRAM的IC四面都有引腳。TSOP適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，封裝外形尺寸，寄生參數減小，適合高頻應用，操作方便，可靠性高。採用這種技術的品牌有三星、現代、Kingston等，TSOP目前廣泛應用於SDRAM內存的製造上，但是隨著時間的推移和技術的進步，TSOP已越來越不適用於高頻、高速的新一代內存。
如同微處理器一樣，內存條的技術也是不斷地更新。大家可能已發現手中內存條上的顆粒模樣漸漸在變，變得比以前更小、更精緻。變化不僅在表面上，而且這些新型的晶元在適用頻率和電氣特性上比老前輩又有了長足的進步。這一結晶應歸功於那些廠商選用了新型內存晶元封裝技術。以TinyBGA和BLP技術為代表的新型晶元封裝技術逐漸成熟起來。
首先我們要提及的就是TinyBGA技術，TinyBGA技術是Kingmax的專利，於1998年8月開發成功。要了解TinyBGA技術，首先要知道BGA是什麼，BGA為Ball-Gird-Array的英文縮寫，即球柵陣列封裝，是新一代的晶元封裝技術，它的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是可增加I/O數和間距，消除高I/O數帶來的生產成本和可靠性問題。它已經在筆記本電腦的內存、主板晶元組等大規模集成電路的封裝領域得到了廣泛的應用。比如我們所熟知的Intel 845PE、VIA KT400晶元組等都是採用這一封裝技術的產品。
TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），其晶元面積與封裝面積之比不小於1：1.14，屬於BGA封裝技術的一個分支。該項革新技術的應用可以使所有計算機中的DRAM內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，TinyBGA採用BT樹脂以替代傳統的TSOP技術，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。
TinyBGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了驚人的提升，在和128M TSOP封裝的144針SO-DIMM相同空間的PCB板上利用TinyBGA封裝方式可以製造256M內存。以相同大小的兩片內存模塊而言，TinyBGA封裝方式的容量比TSOP高一倍，但價格卻未有明顯變化。資料顯示，採用TinyBGA封裝技術的內存產品以相同容量比較，體積只有TSOP封裝的三分之一；當內存模組的製程直徑小於0.25 m時TinyBGA封裝的成本要小於TSOP封裝成本。
TinyBGA封裝內存的I/O端子是由晶元中心方向引出的，而TSOP則是由四周引出。這有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的四分之一，因此信號的衰減便隨之減少。這樣不僅大幅度升晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能，採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外額，而採用傳統TSOP封裝最高只可抗150MHz的外額。而且，用TinyBGA封裝的內存，不但體積較之相同容量的TSOP封裝晶元小，同時也更薄(封裝高度小於0.8mm)，從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。於是，TinyBGA內存便擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。經過反復測試顯示，TinyBGA的熱抗阻比TSOP的低75％。很明顯與傳統TSOP封裝方式相比，TinyBGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
除了TinyBGA之外，BLP技術也是目前市場上常用的一種技術，BLP英文全稱為Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技術)，其晶元面積與封裝面積之比大於1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封裝規范。不僅高度和面積極小，而且電氣特性得到了進一步的提高，製造成本也不高，廣泛用於SDRAM\RDRAM\DDR等新一代內存製造上。隨著由於BLP封裝中關鍵部件塑封基底價格的不斷下降，BLP封裝內存很快就會走入普通用戶的家庭
內存顆粒的封裝方式經歷了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的變革，可謂風風雨雨一路發展而來。在介紹內存顆粒封裝之前，讓我們先來看看內存的3種模塊。
在早期的PC中，存儲晶元都是直接焊接在主板上的， RAM的容量也就因此固定下來，如果要擴容就很麻煩。為了拓展RAM的容量，後來設計者就把存儲晶元做成專門的存儲模塊，需要的時候再添加。
SIMM（單列直插存儲模塊）
體積小、重量輕，插在主板的專用插槽上。插槽上有防呆設計，能夠避免插反，而且插槽兩端有金屬卡子將它卡住，這便是現今內存的雛形。其優點在於使用了標准引腳設計，幾乎可以兼容所有的PC機。
DIMM（雙列直插存儲模塊）
和SIMM相似，只是體積稍大。不同處在於SIMM的部分引腳前後連接在一起，而DIMM的每個引腳都是分開的，所以在電氣性能上有較大改觀，而且這樣可以不用把模塊做得很大就可以容納更多的針腳，從而容易得到更大容量的RAM。
RIMM（Rambus直插式存儲模塊）
其外形有點像DIMM，只是體積要大一點，性能更好，但價格昂貴，發熱量較大。為了解決發熱問題，模塊上都有一個很長的散熱片。
F. 一般pcb板的密度和比熱容是多少電鍍的銅呢
這個每個公司都有其固定的計算方法，有些是根據鍍層厚度還有不同電鍍線用不同的電鍍效率來計算的，像有個公式：鍍層厚度=電流密度X電鍍時間X電鍍常數X電鍍效率，一般二銅電流密度用1.0-3.0ASD之間，電錫用0.8-2.0ASD之間
G. 內存顆粒封裝
隨著計算機晶元技術的不斷發展和成熟，為了更好地與之相配合，內存產品也由後台走出，成為除CPU外的另一關注焦點。作為計算機的重要組成部分，內存的性能直接影響計算機的整體性能。而內存製造工藝的最後一步也是最關鍵一步就是內存的封裝技術，採用不同封裝技術的內存條，在性能上存在較大差距。只有高品質的封裝技術才能生產出完美的內存產品。
封裝技術其實就是一種將集成電路打包的技術。拿我們常見的內存來說，我們實際看到的體積和外觀並不是真正的內存的大小和面貌，而是內存晶元經過打包即封裝後的產品。這種打包對於晶元來說是必須的，也是至關重要的。因為晶元必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對晶元電路的腐蝕而造成電學性能下降。另一方面，封裝後的晶元也更便於安裝和運輸。由於封裝技術的好壞還直接影響到晶元自身性能的發揮和與之連接的PCB(印製電路板)的設計和製造，因此它又是至關重要的。
目前業界普遍採用的封裝技術盡管多種多樣，但是有90%採用的是TSOP(如圖1所示)技術，TSOP英文全稱為Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封裝)，這是80年代出現的內存第二代封裝技術的代表。TSOP的一個典型特徵就是在封裝晶元的周圍做出引腳，如SDRAM的IC為兩側有引腳，SGRAM的IC四面都有引腳。TSOP適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，封裝外形尺寸，寄生參數減小，適合高頻應用，操作方便，可靠性高。採用這種技術的品牌有三星、現代、Kingston等，TSOP目前廣泛應用於SDRAM內存的製造上，但是隨著時間的推移和技術的進步，TSOP已越來越不適用於高頻、高速的新一代內存。
如同微處理器一樣，內存條的技術也是不斷地更新。大家可能已發現手中內存條上的顆粒模樣漸漸在變，變得比以前更小、更精緻。變化不僅在表面上，而且這些新型的晶元在適用頻率和電氣特性上比老前輩又有了長足的進步。這一結晶應歸功於那些廠商選用了新型內存晶元封裝技術。以TinyBGA和BLP技術為代表的新型晶元封裝技術逐漸成熟起來。
首先我們要提及的就是TinyBGA技術，TinyBGA技術是Kingmax的專利，於1998年8月開發成功。要了解TinyBGA技術，首先要知道BGA是什麼，BGA為Ball-Gird-Array的英文縮寫，即球柵陣列封裝，是新一代的晶元封裝技術，它的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是可增加I/O數和間距，消除高I/O數帶來的生產成本和可靠性問題。它已經在筆記本電腦的內存、主板晶元組等大規模集成電路的封裝領域得到了廣泛的應用。比如我們所熟知的Intel 845PE、VIA KT400晶元組等都是採用這一封裝技術的產品。
TinyBGA就是微型BGA的意思，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），其晶元面積與封裝面積之比不小於1：1.14，屬於BGA封裝技術的一個分支。該項革新技術的應用可以使所有計算機中的DRAM內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，TinyBGA採用BT樹脂以替代傳統的TSOP技術，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。
TinyBGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了驚人的提升，在和128M TSOP封裝的144針SO-DIMM相同空間的PCB板上利用TinyBGA封裝方式可以製造256M內存。以相同大小的兩片內存模塊而言，TinyBGA封裝方式的容量比TSOP高一倍，但價格卻未有明顯變化。資料顯示，採用TinyBGA封裝技術的內存產品以相同容量比較，體積只有TSOP封裝的三分之一；當內存模組的製程直徑小於0.25 m時TinyBGA封裝的成本要小於TSOP封裝成本。
TinyBGA封裝內存的I/O端子是由晶元中心方向引出的，而TSOP則是由四周引出。這有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的四分之一，因此信號的衰減便隨之減少。這樣不僅大幅度升晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能，採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外額，而採用傳統TSOP封裝最高只可抗150MHz的外額。而且，用TinyBGA封裝的內存，不但體積較之相同容量的TSOP封裝晶元小，同時也更薄(封裝高度小於0.8mm)，從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。於是，TinyBGA內存便擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。經過反復測試顯示，TinyBGA的熱抗阻比TSOP的低75％。很明顯與傳統TSOP封裝方式相比，TinyBGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
除了TinyBGA之外，BLP技術也是目前市場上常用的一種技術，BLP英文全稱為Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技術)，其晶元面積與封裝面積之比大於1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封裝規范。不僅高度和面積極小，而且電氣特性得到了進一步的提高，製造成本也不高，廣泛用於SDRAM\RDRAM\DDR等新一代內存製造上。隨著由於BLP封裝中關鍵部件塑封基底價格的不斷下降，BLP封裝內存很快就會走入普通用戶的家庭
內存顆粒的封裝方式經歷了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的變革，可謂風風雨雨一路發展而來。在介紹內存顆粒封裝之前，讓我們先來看看內存的3種模塊。
在早期的PC中，存儲晶元都是直接焊接在主板上的， RAM的容量也就因此固定下來，如果要擴容就很麻煩。為了拓展RAM的容量，後來設計者就把存儲晶元做成專門的存儲模塊，需要的時候再添加。
SIMM（單列直插存儲模塊）
體積小、重量輕，插在主板的專用插槽上。插槽上有防呆設計，能夠避免插反，而且插槽兩端有金屬卡子將它卡住，這便是現今內存的雛形。其優點在於使用了標准引腳設計，幾乎可以兼容所有的PC機。
DIMM（雙列直插存儲模塊）
和SIMM相似，只是體積稍大。不同處在於SIMM的部分引腳前後連接在一起，而DIMM的每個引腳都是分開的，所以在電氣性能上有較大改觀，而且這樣可以不用把模塊做得很大就可以容納更多的針腳，從而容易得到更大容量的RAM。
RIMM（Rambus直插式存儲模塊）
其外形有點像DIMM，只是體積要大一點，性能更好，但價格昂貴，發熱量較大。為了解決發熱問題，模塊上都有一個很長的散熱片。
參考資料：
H. 你好。有些問題想向您咨詢一下
BGA返修台 一，非光學機型(ZM-R380C,ZM-R380B,ZM-R590,ZM-R5830,ZM-R5850,ZM-R5860,ZM-R5850C,ZM-R5860C,) 二，光學機型（ZM-R6800，ZM-R6808，ZM-R6810，ZM-R680C，ZM-R680D，ZM-R6821，ZM-R8650） BGA返修台
[1] BGA植球加工
BGA返修台
分光學對位與非光學對位
光學對位——通過光學模塊採用裂棱鏡成像，LED照明方式，調整光場分布，使小晶元成像顯示與顯示器上。以達到光學對位返修。 非光學對位 ——則是通過肉眼將BGA根據PCB板絲印線及點對位，以達到對位返修。 針對不同大小的BGA原件進行視覺對位，焊接、拆卸的智能操作設備，有效提高返修率生產率，大大降低成本。 BGA返修台ZM-R5860C
BGA：BGA封裝內存 BGA封裝(Ball Grid Array Package)的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它 的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。 BGA封裝技術可詳分為五大類： 1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般為2-4層有機材料構成的多層板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV處理器均採用這種封裝形式。 2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，晶元與基板間的電氣連接通常採用倒裝晶元（FlipChip，簡稱FC）的安裝方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro處理器均採用過這種封裝形式。 3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬質多層基板。 4.TBGA（TapeBGA）基板：基板為帶狀軟質的1-2層PCB電路板。 5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封裝中央有方型低陷的晶元區（又稱空腔區）。 說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支。是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。 說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支。是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。 BGA的全稱是Ball Grid Array（球柵陣列結構的PCB），它是集成電路採用有機載板的一種封裝法。它具有：①封裝面積減少②功能加大，引腳數目增多③PCB板溶焊時能自我居中，易上錫④可靠性高⑤電性能好，整體成本低等特點。有BGA的PCB板一般小孔較多，大多數客戶BGA下過孔設計為成品孔直徑8~12mil，BGA處表面貼到孔的距離以規格為31.5mil為例，一般不小於10.5mil。BGA下過孔需塞孔，BGA焊盤不允許上油墨，BGA焊盤上不鑽孔 BGA主要有四種基本類型：PBGA、CBGA、CCGA和TBGA，一般都是在封裝體的底部連接著作為I/O引出端的焊球陣列。這些封裝的焊球陣列典型的間距為1.0mm、1.27mm、1.5mm，焊球的鉛錫組份常見的主要有63Sn/37Pb和90Pb/10Sn兩種，焊球的直徑由於目前沒有這方面相應的標准而各個公司不盡相同。從BGA的組裝技術方面來看，BGA有著比QFP器件更優越的特點，其主要體現在BGA器件對於貼裝精度的要求不太嚴格，理論上講，在焊接迴流過程中，即使焊球相對於焊盤的偏移量達50%之多，也會由於焊料的表面張力作用而使器件位置得以自動校正，這種情況經實驗證明是相當明顯的。其次，BGA不再存在類似QFP之類器件的引腳變形問題，而且BGA還具有相對QFP等器件較良好的共面性，其引出端間距與QFP相比要大得多，可以明顯減少因焊膏印刷缺陷導致焊點「橋接」的問題；另外，BGA還有良好的電性能和熱特性，以及較高的互聯密度。BGA的主要缺點在於焊點的檢測和返修都比較困難，對焊點的可靠性要求比較嚴格，使得BGA器件在很多領域的應用中受到限制。 以下就四種基本類型的BGA，從其結構特點等多方面加以闡述。 1.1 PBGA(Plastic Ball Grid Array塑封球柵陣列) PBGA即通常所說的OMPAC(Overmolded Plastic Array Carrier)，是最普通的BGA封裝類型(見圖2)。PBGA的載體是普通的印製板基材，例如FR－4、BT樹脂等。矽片通過金屬絲壓焊方式連接到載體的上表面，然後用塑料模壓成形，在載體的下表面連接有共晶組份(37Pb/63Sn)的焊球陣列。焊球陣列在器件底面上可以呈完全分布或部分分布(見圖3)，通常的焊球尺寸0.75～0.89mm左右，焊球節距有1.0mm、1.27mm、1.5mm幾種。 圖2 PBGA內部結構 圖3部分分布與完全分布示意圖 PBGA可以用現有的表面安裝設備和工藝進行組裝。首先通過漏印方式把共晶組份焊膏印刷到相應的PCB焊盤上，然後把PBGA的焊球對應壓入焊膏並進行迴流，因漏印採用的焊膏和封裝體的焊球均為共晶焊料，所以在迴流過程中焊球和焊膏共熔，由於器件重量和表面張力的作用，焊球坍塌使得器件底部和PCB之間的間隙減小，焊點固化後呈橢球形。目前，PBGA169～313已有批量生產，各大公司正不斷開發更高的I/O數的PBGA產品，預計在近兩年內I/O數可達600～1000。 PBGA封裝的主要優點： ①可以利用現有的組裝技術和原材料製造PBGA，整個封裝的費用相對較低。 ②和QFP器件相比，不易受到機械損傷。 ③可適用於大批量的電子組裝。 PBGA技術的主要挑戰是保證封裝的共面性、減少潮氣的吸收和防止「popcorn」現象的產生以及解決因日趨增大的矽片尺寸引起的可靠性問題，對於更高I/O數的封裝，PBGA技術的難度將更大。由於載體所用材料是印製板基材，所以在組裝件中PCB和PBGA載體的熱膨脹系數(TCE)近乎相同，因此在迴流焊接過程中，對焊點幾乎不產生應力，對焊點的可靠性影響也較小。目前PBGA應用遇到的問題是如何繼續減少PBGA封裝的費用，使PBGA能在I/O數較低的情況下仍比QFP節省費用。 1.2 CBGA(Ceramic Ball Grid Array陶瓷球柵陣列) 圖4 CBGA和CCGA的結構比較 CBGA通常也稱作SBC(Solder Ball Carrier)，是BGA封裝的第二種類型(見圖4)。CBGA的矽片連接在多層陶瓷載體的上表面，矽片與多層陶瓷載體的連接可以有兩種形式，第一種是矽片線路層朝上，採用金屬絲壓焊的方式實現連接，另一種則是矽片的線路層朝下，採用倒裝片結構方式實現矽片與載體的連接。矽片連接完成之後，對矽片採用環氧樹脂等填充物進行包封以提高可靠性和提供必要的機械防護。在陶瓷載體的下表面，連接有90Pb/10Sn焊球陣列，焊球陣列的分布可以有完全分布或部分分布兩種形式，焊球尺寸通常約0.89mm左右，間距因各家公司而異，常見的為1.0mm和1.27mm。 PBGA器件也可以用現有的組裝設備和工藝進行組裝，但由於與PBGA的焊球組份不同，使得整個組裝過程和PBGA有所不同。PBGA組裝採用的共晶焊膏的迴流溫度為183℃，而CBGA焊球的熔化溫度約為300℃，現有的表面安裝迴流過程大都是在220℃迴流，在這個迴流溫度下僅熔化了焊膏，但焊球沒有熔化。因此，要形成良好的焊點，漏印到焊盤上的焊膏量和PBGA相比要多，其目的首先是要用焊膏補償CBGA焊球的共平面誤差，其次是保證能形成可靠的焊點連接。 在迴流之後，共晶焊料包容焊球形成焊點，焊球起到了剛性支撐的作用，因此器件底部與PCB的間隙通常要比PBGA大。CBGA的焊點是由兩種不同的Pb/Sn組份焊料形成的，但共晶焊料和焊球之間的界面實際上並不明顯，通常焊點的金相分析，可以看到在界面區域形成一個從90Pb/10Sn到37Pb/63Sn的過渡區。 目前一些產品已採用了I/O數196～625的CBGA封裝器件，但CBGA的應用還不太廣泛，更高I/O數的CBGA封裝的發展也停滯不前，主要歸咎於CBGA組裝中存在的PCB和多層陶瓷載體之間的熱膨脹系數(TCE)不匹配問題，這個問題的出現，使得在熱循環時引起封裝體尺寸較大的CBGA焊點產生失效。通過大量的可靠性測試，已經證實了封裝體尺寸小於32mm×32mm的CBGA均可以滿足工業標准熱循環試驗規范。CBGA的I/O數目前限制在625以下，對於陶瓷封裝體尺寸在32mm×32mm以上的，則必須要考慮採取其它類型的BGA。 CBGA封裝的主要優點在於： 1)具有優良的電性能和熱特性。 2)具有良好的密封性能。 3)和QFP器件相比，CBGA不易受到機械損傷。 4)適用於I/O數大於250的電子組裝應用。 此外，由於CBGA的矽片與多層陶瓷的連接可以採用倒裝片連接方式，所以可以達到比金屬絲壓焊連接方式更高的互聯密度。在很多情況下，尤其是在高I/O數的應用下，ASICs的矽片尺寸受到金屬絲壓焊焊盤尺寸的限制，CBGA通過採用了更高密度的矽片互聯線路，使得矽片的尺寸可以進一步減小而又不犧牲功能，從而降低了費用。 目前CBGA技術的發展沒有太大的困難，其主要的挑戰在於如何使CBGA在電子組裝行業的各個領域中得到廣泛應用。首先必須要能保證CBGA封裝在大批量生產工業環境中的可靠性，其次CBGA封裝的費用必須要能和其它BGA封裝相比擬。由於CBGA封裝的復雜性以及相對高的費用，使得CBGA被局限應用於高性能、高I/O數要求的電子產品。此外，由於CBGA封裝的重量要比其它類型BGA封裝大，所以在攜帶型電子產品中的應用也受到限制。 1.3 CCGA(Ceramic Cloumn Grid Array 陶瓷柱柵陣列) CCGA也稱SCC(Solder Column Carrier)，是CBGA在陶瓷體尺寸大於32mm×32mm時的另一種形式(見圖5)，和CBGA不同的是在陶瓷載體的下表面連接的不是焊球而是90Pb/10Sn的焊料柱，焊料柱陣列可以是完全分布或部分分布的，常見的焊料柱直徑約0.5mm，高度約為2.21mm，柱陣列間距典型的為1.27mm。CCGA有兩種形式，一種是焊料柱與陶瓷底部採用共晶焊料連接，另一種則採用澆鑄式固定結構。CCGA的焊料柱可以承受因PCB和陶瓷載體的熱膨脹系數TCE不匹配產生的應力，大量的可靠性試驗證實封裝體尺寸小於44mm×44mm的CCGA均可以滿足工業標准熱循環試驗規范。CCGA的優缺點和CBGA非常相似，唯一的明顯差異是CCGA的焊料柱比CBGA的焊球在組裝過程中更容易受到機械損傷。目前有些電子產品已經開始應用CCGA封裝，但是I/O數在626～1225之間的CCGA封裝暫時尚未形成批量生產，I/O數大於2000的CCGA封裝仍在開發中。 圖5 CCGA(Ceramic Cloumn Grid Array 陶瓷柱柵陣列) 1.4 TBGA(Tape Ball Grid Array 載帶球柵陣列) 圖6 TBGA內部結構 TBGA又稱為ATAB(Araay Tape Automated Bonding)，是BGA的一種相對較新的封裝類型(見圖6)。TBGA的載體是銅/聚醯亞胺/銅雙金屬層帶，載體的上表面分布有信號傳輸用的銅導線，而另一面則作為地層使用。矽片與載體之間的連接可以採用倒裝片技術來實現，當矽片與載體的連接完成後，對矽片進行包封以防止受到機械損傷。載體上的過孔起到了連通兩個表面、實現信號傳輸的作用，焊球通過採用類似金屬絲壓焊的微焊接工藝連接到過孔焊盤上形成焊球陣列。在載體的頂面用膠連接著一個加固層，用於給封裝體提供剛性和保證封裝體的共面性。在倒裝矽片的背面一般用導熱膠連接著散熱片，給封裝體提供良好的熱特性。TBGA的焊球組份為90Pb/10Sn，焊球直徑約為0.65mm，典型的焊球陣列間距有1.0mm、1.27mm、1.5mm幾種，TBGA與PCB之間的組裝所採用的為63Sn/37Pb共晶焊料。TBGA也可以利用現有的表面安裝設備和工藝，採用與CBGA相似的組裝方法進行組裝。 目前常用的TBGA封裝的I/O數小於448，TBGA736等產品已上市，國外一些大公司正在開發I/O數大於1000的TBGA。 TBGA封裝的優點在於： ①比其它大多數BGA封裝類型更輕更小(尤其是I/O數較高的封裝)。 ②具有比QFP和PBGA封裝更優越的電性能。 ③可適於批量電子組裝。 此外，這種封裝採用高密度的倒裝片形式實現矽片與載體的連接，使TBGA具有信號雜訊小等很多優點，由於印製板和TBGA封裝中加固層的熱膨脹系數TCE基本上是相互匹配的，所以對組裝後TBGA焊點可靠性的影響並不大，TBGA封裝遇到的最主要問題是潮氣的吸收對封裝的影響。 TBGA應用遇到的問題是如何才能在電子組裝領域中佔有一席之地，首先TBGA的可靠性必須能在批量生產環境中予以證實，其次TBGA封裝的費用必須要能和PBGA封裝相比擬。由於TBGA的復雜性和相對高的封裝費用，TBGA目前主要用於高性能、高I/O數的電子產品。 2 Flip Chip : 和其它表面安裝器件不同，倒裝片無封裝，互聯陣列分布於矽片的表面，取代了金屬絲壓焊連接形式，矽片直接以倒扣方式安裝到PCB上。倒裝片不再需要從矽片向四周引出I/O端，互聯的長度大大縮短，減小了RC延遲，有效地提高了電性能。倒裝片連接有三種主要類型：C4、DC4和FCAA。 2.1 C4(Controlled Collapse Chip Connection可控坍塌晶元連接) 圖7 C4結構形式 C4是類似超細間距BGA的一種形式(見圖7)。與矽片連接的焊球陣列一般的間距為0.203～0.254mm，焊球直徑為0.102～0.127mm，焊球組份為97Pb/3Sn，這些焊球在矽片上可以呈完全分布或部分分布。由於陶瓷可以承受較高的迴流溫度，因此陶瓷被用來作為C4連接的基材，通常是在陶瓷的表面上預先分布有鍍Au或Sn的連接盤，然後進行C4形式的倒裝片連接。 C4連接不能使用目前現有的組裝設備和工藝進行組裝，因為97Pb/3Sn焊球的熔化溫度是320℃，且在這種採用C4連接的互聯結構中不存在其它組份的焊料。在C4連接中，取代了焊膏漏印，而是採用印刷高溫助焊劑的方式，首先將高溫助焊劑印刷到基材的焊盤或矽片的焊球上，然後矽片上的焊球和基材上相應焊盤精確對位，通過助焊劑提供足夠的粘附力來保持相對位置並直到迴流焊接完成。C4連接採用的迴流溫度為360℃，在該溫度下焊球熔化，矽片處於「懸浮」狀態，由於焊料表面張力的作用，矽片會自動校正焊球和焊盤的相對位置，最終焊料坍塌至一定的高度形成連接點。C4連接方式主要應用於CBGA和CCGA封裝中，此外，有些廠家在陶瓷多晶元模塊(MCM—C)應用中也使用這種技術。目前採用C4連接的I/O數在1500以下，一些公司預期開發的I/O數將超過3000。 C4連接的優點在於： 1)具有優良的電性能和熱特性。 2)在中等焊球間距的情況下，I/O數可以很高。 3)不受焊盤尺寸的限制。 4)可以適於批量生產。 5)可大大減小尺寸和重量。 此外，C4連接在矽片和基材之間只有一個互聯界面，可提供最短的、干擾最小的信號傳遞通道，減少的界面數量使得結構更簡單，並且可靠性更高。C4連接在技術上還存在很多挑戰，真正應用於電子產品還有一定的難度。C4連接方式只能適用於陶瓷基材，它們將在高性能、高I/O數的產品中得到廣泛的應用，例如CBGA、CCGA和MCM—C等。 2.2 DCA(Direct Chip Attach 直接晶元連接) DCA和C4類似，是一種超細間距連接(見圖8)。DCA的矽片和C4連接中的矽片結構相同，兩者之間的唯一區別在於基材的選擇，DCA採用的基材是典型的印製材料。DCA的焊球組份是97Pb/3Sn，連接焊接盤上的焊料是共晶焊料(37Pb/63Sn)。對於DCA，由於間距僅為0.203～0.254mm，共晶焊料漏印到連接焊盤上相當困難，所以取代焊膏漏印這種方式，在組裝前給連接焊盤頂鍍上鉛錫焊料，焊盤上的焊料體積要求十分嚴格，通常要比其它超細間距元件所用的焊料多。在連接焊盤上0.051～0.102mm厚的焊料由於是預鍍的，一般略呈圓頂狀，必須要在貼片前整平，否則會影響焊球和焊盤的可靠對位。 圖8 DCA結構形式 這種連接方式可以用現在的表面安裝設備和工藝實現。首先，助焊劑通過印刷方式被分配到矽片上，然後進行矽片的貼裝，最後迴流焊接。DCA組裝採用的迴流溫度約220℃，低於焊球的熔點但高於連接焊盤上的共晶焊料熔點，矽片上焊球的作用相當於剛性支撐，迴流之後共晶焊料熔化，在焊球與焊盤之間形成焊點連接。對於這種採用兩種不同的Pb/Sn組份形成的焊點，在焊點中兩種焊料的界面實際並不明顯，而是形成從97Pb/3Sn到37Pb/63Sn的光滑過渡區域。由於焊球的剛性支撐作用，DCA組裝中焊球不「坍塌」，但還具有自校正特性。DCA已經開始得到應用，I/O數主要在350以下，一些公司計劃開發的I/O數超過500。這種技術發展的動力不是更高的I/O數，而主要是著眼於尺寸、重量和費用的減小。DCA的特點和C4非常相似，由於DCA可以利用現有的表面安裝工藝實現與PCB的連接，所以能採用這種技術的應用很多，尤其是在攜帶型電子產品中的應用。 然而並不能誇大DCA技術的優點，在DCA技術的發展過程中仍有許多技術挑戰。在實際生產中使用這種技術的組裝廠家為數並不多，他們都在努力提高工藝水平，以擴大DCA的應用。由於DCA連接把那些和高密度相關的復雜性轉移到PCB上，所以給PCB的製造增加了難度，此外，專門生產帶有焊球的矽片的廠家為數不多，在組裝設備、工藝等各方面仍存在著很多值得關注的問題，只有這些問題得到了解決，才能推動DCA技術的發展。 2.3 FCAA(Flip Chip Adhesive Attachment 倒裝片膠連接) FCAA連接存在多種形式，當前仍處於初期開發階段。矽片與基材之間的連接不採用焊料，而是用膠來代替。這種連接中的矽片底部可以有焊球，也可以採用焊料凸點等結構。FCAA所用的膠包括各向同性和各向異性等多種類型，主要取決於實際應用中的連接狀況。另外，基材的選用通常有陶瓷、印製板材料和柔性電路板等。這種技術目前尚未成熟，在這里就不作更多的闡述。
編輯本段BGA返修台
BGA的全稱是Ball Grid Array（球柵陣列結構的PCB），它是集成電路採用有機載板的一種封裝法。它具有：①封裝面積減少②功能加大，引腳數目增多③PCB板溶焊時能自我居中，易上錫④可靠性高⑤電性能好，整體成本低等特點。有BGA的PCB板一般小孔較多，大多數客戶BGA下過孔設計為成品孔直徑8~12mil，BGA處表面貼到孔的距離以規格為31.5mil為例，一般不小於10.5mil。BGA下過孔需塞孔，BGA焊盤不允許上油墨，BGA焊盤上不鑽孔。- S% X. i: E% h5 O% X* o" ?# _我們公司目前對BGA下過孔塞孔主要採用工藝有：①鏟平前塞孔：適用於BGA塞孔處阻焊單面露出或部分露出，若兩種塞孔孔徑相差1.5mm時，則無論是否阻焊兩面覆蓋均採用此工藝；②阻焊塞孔：應用於BGA塞孔處阻焊兩面覆蓋的板；③整平前後的塞孔：用於厚銅箔板或其他特殊需要的板。所塞鑽孔尺寸有：0.25、0.30、0.35、0.40、0.45、0.50、0.55mm共7種。# T4 Z* |" c4 R在CAM製作中BGA應做怎樣處理呢？' e+ d; L5 [4 h( Z, O# _3 j# F一、外層線路BGA處的製作：- Z4 Q8 p, g6 P6 ~: F1 p" X% a( c在客戶資料未作處理前，先對其進行全面了解，BGA的規格、客戶設計焊盤的大小、陣列情況、BGA下過孔的大小、孔到BGA焊盤的距離，銅厚要求為1~1.5盎司的PCB板，除了特定客戶的製作按其驗收要求做相應補償外，其餘客戶若生產中採用掩孔蝕刻工藝時一般補償2mil，採用圖電工藝則補償2.5mil，規格為31.5mil BGA的不採用圖電工藝加工；當客戶所設計BGA到過孔距離小於8.5mil，而BGA下過孔又不居中時，可選用以下方法：( i* H! i. o/ Q7 M可參照BGA規格、設計焊盤大小對應客戶所設計BGA位置做一個標准BGA陣列，再以其為基準將需校正的BGA及BGA下過孔進行拍正，拍過之後要與原未拍前備份的層次對比檢查一下拍正前後的效果，如果BGA焊盤前後偏差較大，則不可採用，只拍BGA下過孔的位置。! W, {+ f/ x2 G二、BGA阻焊製作： 8 A) ^/ ?% b. D7 T: c1、BGA表面貼阻焊開窗：與阻焊優化值一樣其單邊開窗范圍為1.25~3mil，阻焊距線條（或過孔焊盤）間距大於等於1.5mil； ( p/ s: ^5 @, Z' z2、BGA塞孔模板層及墊板層的處理：! A" N( l% Q& V2 F$ y. Q4 L①製做2MM層：以線路層BGA焊盤拷貝出為另一層2MM層並將其處理為2MM范圍的方形體，2MM中間不可有空白、缺口（如有客戶要求以BGA處字元框為塞孔范圍，則以BGA處字元框為2MM范圍做同樣處理），做好2MM實體後要與字元層BGA處字元框對比一下，二者取較大者為2MM層。) T$ f4 e- X; U% l0 Q②塞孔層（JOB.bga）：以孔層碰2MM層（用面板中Actionsàreference selection功能參考2MM層進行選擇），參數Mode選Touch，將BGA 2MM范圍內需塞的孔拷貝到塞孔層，並命名為：JOB.bga（注意，如客戶要求BGA處測試孔不作塞孔處理，則需將測試孔選出，BGA測試孔特徵為：阻焊兩面開滿窗或單面開窗）。7 c7 z" j" b. e3 Y7 g* e5 ]③拷貝塞孔層為另一墊板層（JOB.sdb）。* A8 _; t2 B- G% R. y④按BGA塞孔文件調整塞孔層孔徑和墊板層孔徑。4 \* e, {1 D! e6 r/ v* [三、BGA對應堵孔層、字元層處理：5 j* C% S, w3 }' w g①需要塞孔的地方，堵孔層兩面均不加擋點；) p2 m1 t2 x/ U) \* G4 s②字元層相對塞孔處過孔允許白油進孔。5 K1 {0 M# G5 |7 y* M' y以上步驟完成後，BGA CAM的單板製作就完成了，這只是目前BGA CAM的單板製作情況，其實由於電子信息產品的日新月異，PCB行業的激烈競爭，關於BGA塞孔的製作規程是經常在更換，並不斷有新的突破。這每次的突破，使產品又上一個台階，更適應市場變化的要求。我們期待更優越的關於BGA塞孔或其它的工藝出爐。