如何製作過濾晶元

A. 晶元是如何製作的

呵呵,你難道有想做晶元的想法嗎?

首先你必須得弄明白你的晶元到底是干什麼的,它有回什麼功能.
然後用電路圖表達出答來.這就要用到很多門電路和數字電子技術當中的邏輯運算等等的知識.然後講這個復雜的電路圖進行化簡.最後會得到一個最簡的電路圖.
對應電路圖中的要求,把各個門電路等全部連接起來.就可以實現功能.

當然,這里晶元還差得很遠.選取金屬,一般高集成電路是用純金來作為導線.鑲嵌在絕緣的板上,然後將門電路再次化簡,縮小等.最後得到的一個板,就是高集成電路.要求很高的技術在裡面的啊.

B. 如何製作低通濾波器

程式控制濾波器的發展趨勢 一、總體方案設計 1.1程式控制放大器方案 題目要求放大器輸入信號振幅10mV，即峰峰值為20mV，電壓增益為60dB，增益步進為10dB，電壓增益誤差小於5%，通頻帶為100hz-40khz。 方案一：使用低雜訊運放OP37按要求做6路不同幅度的放大，然後再用繼電器或模擬開關做通道切換。該方案硬體實現簡單，增益控制准確。但是控制相對復雜且涉及的元器件較多，不利於系統的快速實現。 方案二：使用可變增益放大器AD603的壓控增益接法。AD603是一種低雜訊，寬頻（最大90M增益帶寬積）可變增益運放。根據文檔中給出的增益公式 ，直接就可得到增益的連續控制，且結果為對數值。可以方便的實現0db到60dB的增益范圍。 綜合以上分析，我們認為方案二的可操作性最佳，而且方案二經過運放調整後可輕松的實現題目峰峰值要求，故選方案二。 1.2程式控制濾波器方案 題目要求濾波器可設置為低通和高通濾波器，-3dB的截至頻率為1K～20KHz，頻率步進為1KHz，並且2 處系統的總增益不大於30dB。我們考慮的方案有以下幾種： 方案一：使用現成的濾波器晶元，如Maxim公司的開關電容濾波器晶元MAX262，可以實現低通、高通、和帶通濾波器，中心頻率范圍可以從DC到140KHz，能很好的實現題目的要求。 方案二：採用狀態可調濾波器，用3個運放和電阻電容來組成，電路比較簡單，而且可以實現LPF、BPF、HPF三種輸出。可以使用先確定決定Q值的電阻和決定中心頻率的電容，通過不同的電阻來切換中心頻率，以達到截至頻率為1K～20KHz，頻率步進為1KHz。 方案三：採用狀態可調濾波器來實現，利用DA的內部R－2R電阻網路，通過數字量的控制實現電阻的變化，來改變濾波器的中心頻率，以實現題目的要求。 比較後覺得方案一比較好，但由於沒有買到開關電容濾波器的晶元，所以放棄該方案，而採用方案三，通過數字量控制DAC0832內部電阻網路來實現中心頻率的改變，方案可操作性較強，且易於達到要求。 1.3 四階橢圓濾波器 四階橢圓濾波器的方案為： 方案一：利用狀態可調變數濾波器的LP、BP、HP輸出，將三個按一定的比例疊加起來就可以得到一個二階橢圓低通濾波器，再把兩個二階節串聯起來就可以實現4階橢圓低通濾波器. 方案二：利用運放藉助現有的Filter解決軟體，直接藉助軟體給出的電路，做適當的調整就可以實現4階低通橢圓濾波器。 比較兩個方案，方案一可以很好的實現題目要求，但調試起來比較麻煩，技術要求較高，方案二電路形式簡單易行，可快速製作，故採用方案二。 1.4幅頻特性測試儀 題目要求我們製作幅頻特性測試儀，掃頻范圍為100Hz～200KHz，頻率步進為10KHz，掃頻方案我們採用DDS晶元，可以很好的實現線性掃頻。關於檢波方案主要有兩種： 方案一：先檢波後放大的方案，檢波放大的方案一般採用峰值檢測的方法，檢波輸出後使用步進分壓器，再使用直流放大器放大信號進行測量。但需注意檢波二極體的參數會影響最小信號的分辨能力。 方案二：先放大後檢波的方案。放大檢波的方案一般採用均值檢測的方法，輸入信號先進入步進分壓器，經放大後送入均值檢波器。但需注意放大器的帶寬會影響測量的信號的頻率范圍。 我們要測試的頻率范圍100Hz～200KHz，對放大器增益帶寬積的要求不是很高，故我們採用放大檢波的方案。 二、系統的設計： 整個系統分為兩個部分，程式控制濾波器模塊和幅頻特性曲線測試模塊，系統模塊的框圖如下所示：（圖省） 2.1 程式控制放大器的實現 根據題目要求，輸入峰峰值為20mV時，程式控制放大器的動態范圍要做到60dB，要求輸出峰峰值從2mV到20V。本設計採用AD603的連續模式（最佳信噪比）實現。該方案是把兩個AD603的增益曲線組合從而實現動態范圍的擴大。如下圖所示，組合後的增益范圍約是-20dB到60dB，可以滿足題目動態范圍的要求。 由於AD603的供電電壓較低，輸出電壓幅度范圍的要求則可以使用較高電壓供電的運放，在AD603的放大基礎上調整實現。 2.4幅頻特性曲線測試儀的實現 幅頻特性曲線的測試時的掃頻採用MSP430F1611單片機控制DDS來實現，檢波使用AD637做有效值檢波 ，採用ADS8505作為單片機外設對AD637的輸出采樣,單片機的最小系統使用了紅外遙控器鍵盤和32

C. 如何製作小型干擾晶元

34級時先去凱麗處接「製作柯卡穆的干擾晶元」的任務，收集5根[鋒利的尖內刺]、2個[白色大晶體容]和10個[耀眼的結晶]交給凱麗；然後拿晶元找夏洛克接「驅動壓縮機」任務，把10000金幣和[柯卡穆的干擾晶元]交給夏洛克。(找赫頓瑪爾的凱麗就可以製作柯卡穆的干擾晶元)，得到「壓縮膠囊」，開壓縮膠囊可以得到次品晶元、黑硬的物質或小型干擾晶元（此幾率較底）；如果有了4個次品晶元了，可以找夏洛克接「活用次品晶元」任務，收集4個[次品晶元]和3萬金幣交給夏洛克，得到「小型干擾晶元」。望採納。

D. 晶元是怎麼做成的

晶元內部製造工藝：

晶元製造的整個過程包括晶元設計、晶元製造、封裝製造、測試等。晶元製造過程特別復雜。

首先是晶元設計，根據設計要求，生成「圖案」

1、晶片材料

矽片的成分是硅，硅由石英砂精製而成。矽片經硅元素（99．999％）提純後製成硅棒，成為製造集成電路的石英半導體材料。晶元是晶元製造所需的特定晶片。晶圓越薄，生產成本就越低，但對工藝的要求就越高。

2、晶圓塗層

晶圓塗層可以抵抗氧化和溫度，其材料是一種光致抗蝕劑。

3、晶圓光刻顯影、蝕刻

首先，在晶圓（或基板）表面塗覆一層光刻膠並乾燥。乾燥的晶片被轉移到光刻機上。通過掩模，光將掩模上的圖案投射到晶圓表面的光刻膠上，實現曝光和化學發光反應。曝光後的晶圓進行二次烘烤，即所謂曝光後烘烤，烘烤後的光化學反應更為充分。

最後，顯影劑被噴在晶圓表面的光刻膠上以形成曝光圖案。顯影後，掩模上的圖案保留在光刻膠上。糊化、烘烤和顯影都是在均質顯影劑中完成的，曝光是在平版印刷機中完成的。均化顯影機和光刻機一般都是在線操作，晶片通過機械手在各單元和機器之間傳送。

整個曝光顯影系統是封閉的，晶片不直接暴露在周圍環境中，以減少環境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響。

4、添加雜質

相應的p和n半導體是通過向晶圓中注入離子而形成的。

具體工藝是從矽片上的裸露區域開始，將其放入化學離子混合物中。這個過程將改變摻雜區的傳導模式，使每個晶體管都能打開、關閉或攜帶數據。一個簡單的晶元只能使用一層，但一個復雜的晶元通常有許多層。

此時，該過程連續重復，通過打開窗口可以連接不同的層。這與多層pcb的製造原理類似。更復雜的晶元可能需要多個二氧化硅層。此時，它是通過重復光刻和上述工藝來實現的，形成一個三維結構。

5、晶圓

經過上述處理後，晶圓上形成點陣狀晶粒。用針法測試了各晶粒的電學性能。一般來說，每個晶元都有大量的晶粒，組織一次pin測試模式是一個非常復雜的過程，這就要求盡可能批量生產相同規格型號的晶元。數量越大，相對成本就越低，這也是主流晶元設備成本低的一個因素。6、封裝

同一片晶元芯可以有不同的封裝形式，其原因是晶片固定，引腳捆綁，根據需要製作不同的封裝形式。例如：DIP、QFP、PLCC、QFN等，這主要取決於用戶的應用習慣、應用環境、市場形態等外圍因素。

6、測試和包裝

經過上述過程，晶元生產已經完成。這一步是測試晶元，去除有缺陷的產品，並包裝。

(4)如何製作過濾晶元擴展閱讀：

晶元組是一組集成電路「晶元」一起工作，並作為產品銷售。它負責將計算機的核心微處理器與機器的其他部件連接起來。它是決定主板級別的重要組件。過去，晶元組是由多個晶元組成，逐漸簡化為兩個晶元。

在計算機領域，晶元組通常是指計算機主板或擴展卡上的晶元。在討論基於英特爾奔騰處理器的個人電腦時，晶元組這個詞通常指兩種主要的主板晶元組：北橋和南橋。晶元組製造商可以，而且通常是獨立於主板的。

例如，PC主板晶元組包括NVIDIA的NFORCE晶元組和威盛電子公司的KT880，它們都是為AMD處理器或許多英特爾晶元組開發的。

單晶元晶元組已經推出多年，如sis 730。

E. 怎麼製作電腦晶元和程序

這是不假，但硅又來自哪裡呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想像吧，價格昂貴，結構復雜，功能強大，充滿著神秘感的晶元竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個復雜的製造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成晶元，那麼成品的質量會怎樣，你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎？ 除去硅之外，製造晶元還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的晶元工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響晶元的邏輯功能，進而導致晶元無法使用。這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS(北木暴畢綜合症)的原因，當發燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急於求成，大幅提高晶元電壓時，嚴重的電遷移問題導致了晶元的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷，它顯然需要一些改進。不過另一方面講，應用銅互連技術可以減小晶元面積，同時由於銅導體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。 除了這兩樣主要的材料之外，在晶元的設計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。晶元製造的准備階段在必備原材料的採集工作完畢之後，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路製造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然後將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。 而後，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內部原子是晶體結構，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以製造復雜程度更高，功能更強大的集成電路晶元。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹晶元的製造過程。單晶硅錠在製成硅錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產的處理器晶元就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要，它直接決定了成品晶元的質量。單晶硅錠新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料，而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體製造多選擇CMOS工藝(互補型金屬氧化物半導體)。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現，因為在製造過程的後期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。在摻入化學物質的工作完成之後，標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米製造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出埠電壓的大小。准備工作的最後一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結束之後，能夠通過化學方法將其溶解並除去。光刻蝕這是目前的晶元製造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什麼這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步(每一步進行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上，那麼這個晶元的結構有多麼復雜，可想而知了吧。當這些刻蝕工作全部完成之後，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。摻雜在殘留的感光層物質被去除之後，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後，另一個二氧化硅層製作完成。然後，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料(因此稱作金屬氧化物半導體)，多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然後，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作埠。重復這一過程 從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然後光刻一次。重復這些步驟，然後就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。今天的P4處理器採用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數取決於最初的版圖設計，並不直接代表著最終產品的性能差異。接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試，包括檢測晶圓的電學特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現的等等。而後，晶圓上每一個出現問題的晶元單元將被單獨測試來確定該晶元有否特殊加工需要。 而後，整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器晶元單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的晶元單元將被採用某種方式進行封裝，這樣它就可以順利的插入某種介面規格的主板了。大多數intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。在處理器成品完成之後，還要進行全方位的晶元功能檢測。這一部會產生不同等級的產品，一些晶元的運行頻率相對較高，於是打上高頻率產品的名稱和編號，而那些運行頻率相對較低的晶元則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在晶元功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷(這種缺陷足以導致絕大多數的晶元癱瘓)，那麼它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當然也就降低了產品的售價，這就是Celeron和Sempron的由來。在晶元的包裝過程完成之後，許多產品還要再進行一次測試來確保先前的製作過程無一疏漏，且產品完全遵照規格所述，沒有偏差。晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步(每一步進行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上，那麼這個晶元的結構有多麼復雜，可想而知了吧。 當這些刻蝕工作全部完成之後，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。摻雜在殘留的感光層物質被去除之後，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後，另一個二氧化硅層製作完成。然後，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料(因此稱作金屬氧化物半導體)，多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然後，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作埠。重復這一過程 從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然後光刻一次。重復這些步驟，然後就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。程序.可以用語言來寫,有C語等等啊

F. TPA3112d1功放晶元，製作的D類功放電路，最後的輸出需接一個LC低通濾波器，請問要怎麼設計LC參數呀

如果不考慮EMI和效率問題，可以按圖上方案直接接揚聲器（揚聲器功率要大內於功放功率），容輸出波形是方波，但是該方波含有音頻（低頻）成分，揚聲器照樣可以還原出聲音信號，大於20khz的頻率成分人耳是聽不見的。如果要降低所用揚聲器的功率，考慮WMI和效率問題，可以吧圖中的FB（磁珠）和小電容改大，即設計一個LC低通濾波器（具體設計步驟可以看基本的模電書籍），你可以先把磁珠改為22uh的電感試試。